Geri Dön

Saçtırma yöntemiyle elde edilen Co/n-GaP schottky diyotların tavlama ve numune sıcaklığına bağlı elektriksel karakterizasyonu

Electrical characterization of Co/n-GaP schottky diodes obtained by sputtering method depending on the annealing and sample temperature

PDF İndir

  1. Tez No: 346699
  2. Yazar: İKRAM ORAK
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ABDULMECİT TURUT, DOÇ. DR. NEZİR YILDIRIM
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 118

Özet

400 m kalınlığında ve (222) doğrultusunda büyütülmüş, taşıyıcı yoğunluğu 300 K'de 2,4×1016 cm-3 olan n tipi GaP yarıiletkeni kullanarak Co/n-GaP Nano-Schottky diyotlar oluşturulmuştur. Co metal kontak için DC magnetron sputter (saçtırma) tekniği kullanılmıştır. Yapılan numuneler üç dakika 400?C ve 600?C'de termal tavlama işlemine tabi tutulmuştur. Sıcaklığa bağlı olarak karanlık ortamda 100-320 K aralığında 20 K'lik adımlarla kapasite-gerilim (C-V) ve kondüktans-gerilim (G-V) ölçümleri yapılmıştır. Termal tavlama işlemine tabi tutulmuş diyotların XRD analizleri yapılmıştır. Tavlanmadan önce ve sonra numune yüzeyindeki metal tabakanın morfolojisini görmek için atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ile yüzey görüntüsü alınmıştır. Oda sıcaklığında alınan akım-gerilim (I-V) ölçümler artan tavlama sıcaklığıyla idealite faktörünün ve seridirencin azaldığını göstermiştir. İdealite faktörünün 400?C tavlamada 1.02 olduğu görülmüştür. Tavlamadan önce ve sonra, ölçüm sıcaklığına bağlı olarak, kapasite-frekans (C-f) ve kondüktans-frekans (G-f) ölçümleri yapılmıştır ve grafikleri çizilmiştir. Bu grafiklerden termal tavlama işlemine tabi tutulan numunelerin arayüzey halleri numune sıcaklığına bağlı olarak hesaplanmış ve karşılaştırmaları yapılmıştır.

Özet (Çeviri)

Co/n-GaP Nano-Schottky diodes have been fabricated using n type GaP semiconductor that were grown in the direction of (222), had the thickness of 400 m and carrier density of 2,4×1016 cm-3 at 300 K. DC Magnetron sputtering technique has been used for Co metallic contact. The samples have been annealed for three minutes at 400°C ve 600°C. Capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) measurements of these Schottky diodes have been performed with a temperature step of 20 K in the range of 100-320 K under dark conditions. XRD analyzeses of the devices subjected to thermal annealing process have been investegated. Surface images have been taken with Atomic Force Microscopy (AFM) in order to examine the morphology of the surface of the metal layer before and after the annealing the sample. The current-voltage (I-V) measurements taken at room temperature have shown that the ideality factor and series resistance decrease with the increasing annealing temperature. The ideality factor was found to be 1.02 for sample annealed at 400°C. Before and after annealing, depending on the temperature measurement, the capacitance-frequency (C-f) and conductance-frequency (G-f) have been measured, and graphs have been plotted. The interface states of thermal annealed samples have been calculated and compared depending on sample temperature.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    312940

    Magnetron saçtırma yöntemiyle hazırlanan metal/P-InP Schottky diyotların karakteristik parametrelerinin tavlama ve numune sıcaklığına bağlı değişimlerinin incelenmesi

    Investigation of changes in caharacteristic parameters of metal/P-InP Schottky diodes prepared by magnetron sputter method depend on annealing and sample temperature

    KADİR EJDERHA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULMECİT TÜRÜT

    PROF. DR. BAHATTİN ABAY

  2. Tez No

    898423

    Metal katkılı TiO2 ve indirgenmiş grafen oksit temelli elektrotlar kullanılarak boya duyarlı güneş hücrelerinin üretilmesi, karakterizasyonu ve performanslarının incelenmesi

    Production, characterization, and performance investigation of dye-sensitized solar cells using metal-doped TiO2 and reduced graphene oxi̇de-based electrodes

    BERRAK ÇALIŞKAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    EnerjiAtatürk Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ENES ŞAYAN

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ERDAL İĞMAN

  3. Tez No

    376023

    Structural and electrical characterizations of BiFeO3 thin films and usage in radiation sensors

    BiFeO3 ince filmlerin yapısal ve elektriksel özellikleri ve radyasyon sensörü olarak kullanımı

    ŞENOL KAYA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAbant İzzet Baysal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERCAN YILMAZ

  4. Tez No

    387468

    Soğuran malzeme katkılı ince filmlerin optik özelliklerini belirlemede spektroskopik elipsometre yönteminin uygulanması

    Application of spectroscopic ellipsometry method on determining the optical properties of absorbing material doped thin films

    MEHMET ALİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET ERDİNÇ

    YRD. DOÇ. DR. GÖKHAN ÖZGÜR

  5. Tez No

    93244

    Enantiomeric resolution of racemic-2-substituted norbornadiene and perchloronorbornadiene derivatives via hydrolase type enzymes

    (+-)-Sübstitüenorbornadiene ve perklor norbornadiene türevlerinin hidrolaz tipi enzimler ile enantiyomerik ayrıştırılması

    GAMZE ÇELİKEL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    KimyaOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CİHANGİR TANYELİ

    PROF. DR. İDRİS MECİTOĞLU AHMEDOV

Geri Dön