Sılar tekniği ile büyütülen SnO2 ince filmlerin özelliklerinin tavlama sıcaklığına bağlı incelenmesi
The investigation of properties of SnO2 thin films grown silar technique as a function of annealing temperature
- Tez No: 478328
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MEMET ALİ YILDIRIM
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erzincan Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 93
Özet
Saydam iletken oksit malzemelerden olan SnO2 ince filmler, Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) tekniği kullanılarak cam taban malzemeler üzerine oda sıcaklığında büyütüldü. SnO2 ince filmler 30 dakika oksijen atmosferinde 200, 300, 400, 500 ve 600 oC'de tavlama işlemine tabi tutuldu. Filmlerin yapısal, yüzeysel, optik ve elektriksel özellikleri farklı analiz teknikleri ile incelendi ve bu özellikler üzerine tavlama sıcaklığının etkisi araştırıldı. X-ışını kırınımı ve taramalı elektron mikroskobu ölçümleri, filmlerin polikristal yapıda olduğunu ve taban malzeme yüzeyine kaplandığını gösterdi. Optik soğurma ve sıcaklığa bağlı I-V ölçümleri yardımıyla, tavlama sıcaklığı ile filmlerin yasak enerji aralığı değerleri 3,73 eV'tan 3,66 eV'ta; oda sıcaklığında elektriksel özdirenç değerlerinin ise 13,5x10-1 Ω-cm'den 9,0x10-2 Ω-cm'ye azaldığı belirlenmiştir. Kırılma indisi (n), statik dielektrik (εo) ve yüksek frekans (ε∞) dielektrik sabiti değerleri tavlama sıcaklığına bağlı olarak hesaplandı. Sonuç olarak, tavlama sıcaklığının filmlerin karakteristik özelliklerinde dikkate değer etkiler yarattığı ve bu özelliklerin tavlama sıcaklığı ile iyileştiği görüldü.
Özet (Çeviri)
Transparent conducting oxides, such as SnO2 thin films were grown on glass substrates using Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) technique at room temperature. SnO2 thin films were annealed at 200, 300, 400, 500 and 600 oC for 30 min. in oxygen atmosphere. The structural, surface, optical and electrical properties of the films were characterized with different analysis techniques and the annealing temperature effect on these properties was investigated. The X-ray diffraction and scanning electron microscopy measurements showed that the films are covered well on substrates and have polycrystalline structure. With the help of optical absorption and temperature-dependent I-V measurements, it was determined that band gap values of films decreased from 3,73 eV to 3,66 eV; electrical resistivity decreased from 13,5x10-1 Ω-cm to 9,0x10-2 Ω-cm at room temperature with annealing temperature. The refractive index (n), optical static (εo) and high frequency (ε∞) dielectric constants values were calculated as a function of the annealing temperature. Consequently, it was seen that the annealing temperature have noticeable effects on the characteristic properties of the films and these properties were improved with annealing temperature.
Benzer Tezler
- ITO, IZO ve AZO ince filmlerinin bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of some physical properties of ITO, IZO and AZO thin films
SALİHA ELMAS
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞADAN KORKMAZ
- SILAR tekniği ile büyütülen MnS ince filmlerin özelliklerinin film kalınlığına bağlı incelenmesi
The investigation of properties of MnS thin films grown SILAR technique as a function of film thickness
İLKE CAVANMİRZA
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiErzincan ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MEMET ALİ YILDIRIM
- Sılar tekniği ile büyütülen cds ince filmlerin sandviç tipi devre elemanları yapımında kullanılması ve bu yapıların karakteristiklerinin incelenmesi
Using the cds thin films deposited by silar method in sandwich type devices and investigation of characteristics this structures
BETÜL GÜZELDİR
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM
- SILAR tekniği ile büyütülen ZnS ince filmlerinin optiksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
The investigation of optical properties of ZnS thin films which is growth SILAR technique as a function of temperature
MEHMET ALİ YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. AYTUNÇ ATEŞ
- SILAR tekniği ile büyütülen ZnO ve CdO ince filmlerinin karakterizasyonu ve sandviç yapilarda kullanilmasi
The characterization of ZnO and CdO thin films grown SILAR technique and using in sandwich structures
MEMET ALİ YILDIRIM
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYTUNÇ ATEŞ