Katmanlı yarıiletkenlere dayalı morötesi ışık algılayıcılarının fiziksel temellerinin incelenmesi ve tasarımı
Investigating the physical properties of UV photodetectors based on the layered semiconductors
- Tez No: 351956
- Danışmanlar: PROF. DR. RAUF SÜLEYMANLI
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 186
Özet
Morötesi fotoalgılayıcılar ticari ve askeri uygulamaları nedeniyle ilgi çekmektedirler. Morötesi ışığın yüksek soğrulma katsayısı nedeniyle morötesi algılayıcı tasarımında yüzey yeniden birleşmesi ve sığ p?n eklem üretilmesi gibi sorunlarla başa çıkılmalıdır. Bazı fiziksel ve teknolojik sorunlar nedeniyle morötesi algılayıcı yapmaya uygun yeni malzemeleri araştırmak oldukça zordur. Morötesi fotoalgılayıcı yapımında kullanılan tüm yarıiletkenler için ortak ve hayati önemde bir sorun yüzey yeniden birle şmesidir. Bu halde morötesi fotoalgılayıcılar için uygun malzeme seçiminde yüzey kalitesi önemli bir faktördür. Katmanlı yarıiletkenler üst üste yığılmış ve zayıf Van? der?Waals bağları ile birbirlerine bağlanmış kristal katmanları ile ayırt edilirler. Bunun bir sonucu olarak pratikte bu kristallerin yüzeyleri serbest bağlar içermeyip kimyasal tepkimelere girmeye isteksizdirler. Schottky diyotlarında uzay?yük bölgesi yarıiletken yüzeye oldukça yakındır ve fazladan bu diyotlar çoğunluk yük taşıyıcısı cihazlarıdırlar. Bununla beraber p?n eklemlere göre üretimleri kolaydır. Böylece, bir çoğunluk yük taşıyıcısı cihazı olması ve yüzeye yakın uzay?yük bölgesine sahip olması bu diyotları kısa dalgaboylarına duyarlı ve hızlı tepki verebilen bir cihaz yapar. Schottky diyotların bu avantajları ile TlGaSe2 kristallerinin sahip olduğu kaliteli yüzeyi göz önüne alındığında TlGaSe2 Schottky fotoalgılayıcıları morötesi fotoalgılayıcılar için iyi bir adaydır. Bu tez çalışmasında TlGaSe2 katmanlı yarıiletkenlerinden üretilmiş morötesi fotoalgılayıcılar tanıtılmış ve bunların elektro?optik özellikleri incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
UV photodetectors received much attention due to their commercial and military applications. Due to the high absorption coefficient of the light in the UV region one must overcome the depression of the surface recombinations and fabrication of very shallow p?n junctions when designing UV photodetectors. Some physical and technological drawbacks make the investigations of the new type of semiconductors for UV photo detectors a challenging problem. One of the most crucial problem, that is common to all type of semiconductor materials used for the UV photodetectors, is the surface recombination. So the quality of the surface becomes an important consideration through selecting a semiconductor material for UV photodetectors. Layered semiconductors are characterized by their crystal layers stacked over one another by weak Van?der?Waals bonding. As a consequence, the surfaces of these crystals are practically free of dangling bonds and very inert to chemical reactions.The space? charge region of the Schottky diodes is very close to the semiconductor surface and additionally these diodes are majority carriers devices. And also compared to p?n junctions their fabrication technology is simpler. Therefore, being a majority carrier device combined with surface located space?charge region make them high sensitive to short wavelengths and a fast responsive device. Combined the advantages of Schottky diodes with the surface quality of TlGaSe2 semiconductors make TlGaSe2 Schottky photodiodes a potential candidate for UV applications. In this thesis UV photodetectors fabricated from TlGaSe2 layered semiconductors are presented and their electro?optical properties are investigated.
Benzer Tezler
- Well-controlled modification of emission kinetics of colloidal semiconductor quantum wells
Kolloidal yarıiletken kuantum kuyuları ışıma kinetiklerinin iyi kontrol edilebilen değişikliği
MUHAMMAD HAMZA HUMAYUN
Doktora
İngilizce
2021
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HİLMİ VOLKAN DEMİR
- Thermally stimulated current study of traps distribution in beta-TlInS2 layered crystals
Beta-TlInS2 katmanlı kristallerde tuzak dağılımlarının ısıl uyarılmış akım çalışması
MEHMET IŞIK
Yüksek Lisans
İngilizce
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENVER BULUR
- Langmuir Blodgett assembly of peptide functionalized nanoparticles onto silicatebased surfaces and their characterization
Peptit ile fonksiyonlandırılmış nanoparçacıkların Langmuir Blodgett yöntemi ile silika tabanlı yüzey üzerine kaplanması ve karakterizasyonu
NUR MUSTAFAOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Biyolojiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA ÜRGEN
- ALD yöntemi ile düşük sıcaklıkta büyütülen ZnO esaslı TFT'lerin üretimi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of ZnO based TFT's deposited under low temperature by ALD
LÜTFULLAH DURNA
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Metalurji MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAKAN ATEŞ
- Investigation of paramagnetic atom doped layered and nanostructured TlMX2 (M=Ga, In; X=Se, S) magnetic semiconductors
Paramanyetik atom katkılandırılmış katmanlı nanoyapılı TlMX2 (M=Ga, In; X=Se, S) manyetik yarıiletkenlerin incelenmesi
SERDAR GÖKÇE
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FAİK MİKAİLZADE