Geri Dön

Thermally stimulated current study of traps distribution in beta-TlInS2 layered crystals

Beta-TlInS2 katmanlı kristallerde tuzak dağılımlarının ısıl uyarılmış akım çalışması

  1. Tez No: 176795
  2. Yazar: MEHMET IŞIK
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ENVER BULUR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Katmanlı Yarıiletkenler, Isıluyarılmış Akım, Elektriksel Özellikler, Safsızlıklar, X-ışını Kırınımı, Enerji Dağılımlı Spektrum Analizi, Fotogeçirgenlik, Optik Sabitler, Layered Semiconductors, Thermally Stimulated Currents, Electrical Properties, Defects, X-ray Diffraction, Energy Dispersive Spectral Analysis, Photoconductivity, Optical Constants
  7. Yıl: 2008
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 97

Özet

Katkılanmamış TlInS2 katmanlı kristallerindeki tuzak seviyelerinin araştırılması ısıluyarılmış akım ölçümleri kullanılarak gerçekleştirildi. Isıluyarılmış akım ölçümleri 10-300 K sıcaklık aralığında, farklı ısıtma hızları ile yapıldı. Deneysel veriler aktivasyon enerjileri 12, 14, 400, 570 ve 650 meV olan beş tuzak merkezinin bulunduğunu gösterdi. Bu tuzak seviyelerinin yakalama kesit alanları ve tuzak yoğunlukları bu çalışmada sunuldu. Deneysel sonuçlar ile yavaş geri tuzaklanmaya dayalı teorik öngörülerin uyumlu olması bu tuzak seviyelerinde geri tuzaklanmanın ihmal edilebilir olduğunu gösterdi. Farklı ışınlama sıcaklıkları sonucunda elde edilen ısıluyarılmış akım ölçüm verilerinin analizi tuzak seviyelerinin üstel dağılımını ortaya çıkardı.Emilme katsayısı ve kırılma indisini bulmak için 400-1100 nm dalgaboyu aralığında TlInS2 kristalinin geçirgenlik ve yansıtıcılık spektrumları ölçüldü. Oda sıcaklığındaki emilme verilerinin analizleri, doğrudan ve dolaylı geçişlerin bir arada bulunduğunu gösterdi. Sıcaklık 10K'den 300K'e arttıkça emilme kenarının daha düşük enerji değerlerine doğru değiştiği gözlemlendi. Ayrıca titreşim ve dağılma enerjileri ile sıfır frekans kırılma indisi belirtildi. Bunların yanı sıra, TlInS2 kristalinin kimyasal bileşimi enerji dağılımlı spektrum analizi ile bulundu. Monoklinik birim hücre parametreleri x-ışını toz difraksiyon çalışması ile belirlendi.

Özet (Çeviri)

Trapping centres in as-grown TlInS2 layered single crystals have been studied by using a thermally stimulated current (TSC) technique. TSC measurements have been performed in the temperature range of 10-300 K with various heating rates. Experimental evidence has been found for the presence of five trapping centres with activation energies 12, 14, 400, 570 and 650 meV. Their capture cross-sections and concentrations were also determined. It is concluded that in these centres retrapping is negligible as confirmed by the good agreement between the experimental results and the theoretical predictions of the model that assumes slow retrapping. An exponential distribution of traps was revealed from the analysis of the TSC data obtained at different light excitation temperatures.The transmission and reflection spectra of TlInS2 crystals were measured over the spectral region of 400-1100 nm to determine the absorption coefficient and refractive index. The analysis of the room temperature absorption data revealed the coexistence of the indirect and direct transitions. The absorption edge was observed to shift toward the lower energy values as temperature increases from 10 to 300 K. The oscillator and the dispersion energies, and the zero-frequency refractive index were also reported. Furthermore, the chemical composition of TlInS2 crystals was determined from energy dispersive spectroscopic analysis. The parameters of monoclinic unit cell were found by studying the x-ray powder diffraction.

Benzer Tezler

  1. Thermally stimulated current study of traps distribution in TlGaSeS layered single crystals

    TlGaSeS tek kristallerde tuzak dağılımlarının ısıl uyarılmış akım çalışması

    HİSHAM NASSER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. NİZAMİ HASANLİ

  2. Tel örgü katmanlardan oluşan gözenekli ortamda zorlanmış ısı geçişi

    Başlık çevirisi yok

    MUSTAFA ÖZDEMİR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    DOÇ. DR. A. FERİDUN ÖZGÜÇ

  3. Optical and electrical transport properties of some quaternary thallium dichalcogenides

    Bazı dörtlü talyum ikili kalkojenlerin optik ve elektriksel taşıma özellikleri

    GÜLER İPEK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. NİZAMİ HASANLİ

  4. Thermally stimulated current in layered semiconductor thallium indium sulphide

    Tabakalı yarı iletken talyum indiyum sülfürde ısıl uyarılmış akım

    ERSİN CİVAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1996

    Eğitim ve ÖğretimOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fen Bilimleri Eğitimi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SELAHATTİN ÖZDEMİR

  5. Tuzaklı yapılarda elektriksel iletkenliğin sıcaklıkla değişimi

    The variation of the electrical conductivity by the temperature in structure with traps

    MURAT KARA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. AHMET ŞENOL AYBEK