Geri Dön

X-ışını radyasyonunun metal/organik/yarıiletken doğrultucu kontaklarının I-V (Akım-gerilim) karakteristikleri üzerine etkileri

The effects of X-ray irradiation on the /current-voltage/ (I-V) characterictics of metal/organic/semiconductor rectifier contacts

  1. Tez No: 352141
  2. Yazar: YILMAZ ŞAHİN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞAKİR AYDOĞAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: p-Si, Schottky diyot, x ışını radyasyonu, Antrakinon, Piridin, p-Si, Schottky diode, x-ray radiation, Antraquinone, Piridin
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 71

Özet

Bu çalışmada Au/Antrakinon/p-Si/Al ve Au/Piridin/p-Si/Al doğrultucu kontaklarının 50 gray ve 75 gray dozdaki X-ışını radyasyonunun I-V (Akım-Gerilim) karakteristikleri üzerindeki etkileri araştırıldı. Radyasyon ışınlamalarından önce ve sonra I-V ölçümleri alındı. Düz beslem I-V grafikleri yardımıyla kontakların idealite faktörü, engel yüksekliği değerleri hesaplandı. Cheung fonksiyonları yardımıyla idealite faktörleri, engel yükseklikleri ve seri direnç değerleri hesaplandı. Işınlanmadan önce oda sıcaklığında Au/Antrakinon/p-Si/Al diyodunun idealite faktörü 1,10, engel yüksekliği 0,75 eV, 75 gray ışınlanmadan sonra idealite faktörü 1,33, engel yüksekliği ise 0,87 eV olarak hesaplandı. Aynı metot ile oda sıcaklığında Au/Piridin/p-Si/Al diyodunun idealite faktörü 1,53, engel yüksekliği 0,72 eV, 75 gray ışınlamadan sonra idealite faktörü 1,70, engel yüksekliği 0,73 eV olarak hesaplandı. Işınlamanın etkisiyle idealite faktöründe ve engel yüksekliğinde artış gözlendi. Işınlama dozunun artmasıyla idealite faktöründeki artış diyotların akım iletim mekanizmasının termoiyonik emisyon teorisinden sapmasıyla açıklandı. Artan radyasyon dozuyla seri direnç değerinde de artış gözlendi. Seri dirençteki bu artış mobilite ve serbest taşıyıcı konsantrasyonunun azalmasına atfedildi. Yüksek dozda radyasyonun diyotlarda oluşturduğu kusurlar nedeniyle diyotların ideallikten saptığı gözlendi. Bu durum radyasyonun diyodun yapısını bozmasına atfedildi.

Özet (Çeviri)

This study aimed to analyse the effects of x-ray irradiation with 50 gray and 75 gray doses on current-voltage (I-V) characteristics of Au/Antrakinon/p-Si/Al and Au/Piridin/p-Si/Al rectifier contacts. I-V measurements were taken before and after the irradiation exposure. With the help of I-V plots, the ideal factors and barier height values were calculated. In addition, with the help of Cheung functions, ideal factors, barrier heights and series resistance values were calculated. Prior to the radiation application, in the room temperature, the ideal factor and barrier height of Au/Antrakinon/p-Si/Al were calculated as 1.10 and 0.75 eV respectively. After the radiation application, the ideal factor and barrier height values were calculated as 1.33, and 0.87 eV respectively. By using the same methods, in the room temperature, the ideal factor and barrier height of Au/Piridin/p-Si/Al were calculated as 1.53 and 0.72 eV respectively. After the application of 75 gray, ideal factor was measured as 1.70 and barrier height 0.73 eV. The application of x-ray irradiation increased the values of ideal factor and barrier height. The increase in ideal factor with respect to the increase of irradiation dose was explained by an outcome of the deviation in current transmission mechanism from thermo-ionic emission theory. Series resistance values increased in parallel with the increase in the radiation dose. The increase in the serial resistance was attributed to the decrease of mobility and free carrier concentration. After x-ray irradiation the diodes deviated from ideal case due to the defects induced by irradiation. This case was attributed to the impairment in the structure of diodes done by radiation.

Benzer Tezler

  1. Design and application of novel photoinitating systems for radical and cationic polymerizations under UV and visible light

    UV ve görünür ışık altında radikal ve katyonik polimerleşme yapabilen yeni fotobaşlatıcıların tasarımı ve sentezi

    KEREM KAYA

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YUSUF YAĞCI

  2. Güneş pillerinin cigs soğurucu tabakasının radyasyon karşısındaki davranışı

    Behavior of cigs absorber layer of solar cells against to radiation

    UTKU CANCİ MATUR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN

  3. Investigation of electrical properties of au/fe3o4/p-si/al and au/fe3o4/p-si/al heterojunctions dependent on temperature

    Au/Fe3O4/p-Si/Al ve Au/Fe3O4/p-Si/Al heteroyapilarin elektri̇ksel özelli̇kleri̇ni̇n sicakliğa bağli olarak i̇ncelenmesi̇

    ALİ RIZA DENİZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞAKİR AYDOĞAN

  4. Tekstil kültürel mirasının restorasyonunda tahribatsız ve mikro yöntemlerin kullanılması ve yöntem geliştirilmesi

    The use of non-destruction and micro methods in restoration of textile cultural heritage and development of method

    ABDULKADİR PARS

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Tekstil ve Tekstil MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Tekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA SABRİ ÖZEN

    PROF. DR. RECEP KARADAĞ

  5. X veya γ ışını soğuran camların etkin atom ve elektron numaralarının hesaplanması

    Calculation of effective atomic and electronic numbers of glasses absorbing x or γ ray

    ŞERİF ERMİŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBursa Teknik Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FARUK DEMİR