Geri Dön

Excess carriers and metal contacts on hevavily doped p-type silicon

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 35350
  2. Yazar: SEVAL GENÇ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. GÜLEN AKTAŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1995
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 58

Özet

KISA ÖZET Bu çalışmada, 10mm x 4mm boyutlarındaki silikon örneğinin özellikleri incelenmiştir. Yarı iletken tipi, direnç, özdirenç, iletkenlik, mobilite, taşıyıcı yoğunluğu bu özellikler arasındadır. Metal- Yarıiletken kontakları, hem omik hem de doğrultucu kontaklar incelenmiş ve bariyer yüksekliği hesaplanmıştır. Yaratılmış azınlık taşıyıcılarının mobilitesini ölçmek için Haynes-Shockley Deneyi üzerinde çalışılmıştır. Silikon örneğinin özellikleri başarı ile elde edildiği halde Haynes- Shockley Deneyi gerçekleştirilememiştir. Bunun sebepleri ise bu tezde tartışılacaktır.

Özet (Çeviri)

IV ABSTRACT In this thesis, the characteristics of a Si sample with dimensions of 10mm x 4mm are investigated The characteristics involve the conductivity type, resistance, resistivity, conductivity, mobility, and carrier concentration. The metal- semiconductor contacts (Al- pSi), both ohmic and rectifying, are analyzed and the barrier height of the Schottky diode is calculated. Haynes Shockley Experiment is tried for the determination of the excess minority carriers. Although the characteristics of the Si sample are achieved successfully, The Haynes Shockley Experiment is unsuccessful. The reasons for the failure of this experiment and the methods to overcome the problems will be discussed in this thesis.

Benzer Tezler

  1. II-VI elektrolüminesans cihazları

    II-VI electroluminescent devices

    MEHMET DOMAÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. SAMİ GEZCİ

  2. III-V grubu bileşiklerin elektrik / elektronik özelliklerine dislokasyonların elastik zorlanma enerjisinin etkisinin incelenmesi

    The examination of effects of the elastic strain energy of dislocations on electri-city / electronic properties of III-V group compounds

    YILDIRIM AYDOĞDU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET CEYLAN

  3. İmplant malzemelerinin mekanik özelliklerinin geliştirilmesi

    Improvement of mechanical properties of implant materials

    FATMA ZEHRA KÖSE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    BiyomühendislikSakarya Üniversitesi

    Biyomedikal Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MEHMET İSKENDER ÖZSOY

  4. Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al kontağın elektronik özellikleri

    The study of the electronics properties of Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al structures

    SİNEM GÜRKAN AYDIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. AHMET FARUK ÖZDEMİR