Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al kontağın elektronik özellikleri
The study of the electronics properties of Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al structures
- Tez No: 259768
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. AHMET FARUK ÖZDEMİR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada p-tipi Si yarıiletkenini üzerine (PNpClPh PPy) polimeri ile oluşturulmuş kontağın karakteristikleri çalışıldı. Polimer arayüzeyli Schottky diyodun üretiminde (100) doğrultusunda, 400 µm kalınlığında ve 1 ? -cm özdirence sahip p-Si kullanılmıştır. Akım ?gerilim (I-V) ve kapasite- gerilim ölçümleri kullanılarak diyodun karakteristik parametreleri elde edilmiştir. Bütün ölçümler oda sıcaklığında ve karanlıkta gerçekleştirilmiştir.Al/ PNpClPh PPy /p-Si/Al yapısının idealite faktörü ve engel yüksekliği değeri I-V karakteristiğinden 0.78eV ve 1.41 elde edilmiştir. Oda sıcaklığında Al/ PNpClPh PPy /p-Si/Al diyodunun idealite faktörü ve engel yüksekliği değeri geleneksel Al/p-Si Schottky diyodundan önemli ölçüde büyük bulunmuştur. Seri direnç (Rs) Cheung fonksiyonları ve Norde fonksiyonları yardımıyla bulunmuştur. Cheung fonksiyonlarından elde edilen kontak parametreleri ile Norde fonksiyonundan elde edilen kontak parametreleri karşılaştırılmıştır.Diyodun ters beslem C?2?V karakteristiğinden taşıyıcı konsantrasyonu1.27 × 1015 cm?3 ve engel yüksekliği 0.89eV olarak elde edilmiştir. C-V ölçümlerinden bulunan engel yüksekliği değeri I-V ölçümlerinden bulunan engel yüksekliği değerinden daha büyüktür. Bu iki değer arasındaki uyumsuzluk artık kapasite veya engel inhomojenitesinin varlığından kaynaklanmaktadır.Al/ PNpClPh PPy /p-Si/Al diyodunun bulunan bütün karakteristik özelliklerine göre MOS(metal-oksit-yarıiletken) davranışı sergilediği söylenebilir.
Özet (Çeviri)
The junction characteristics of the conducting polymer (PNpClPh PPy) on a p-type Si substrate have been studied. In this study, to fabricate a Schottky diode with polymer interface, p-type silicon wafer with (1 0 0) orientation, 400 µm thickness and 1 ? -cm resistivity was used. The characteristic parameters of the diode have been obtained by using the current-voltage (I-V) and the capacitance - voltage (C-V) measurements. All the measurements were performed at room temperature in dark.The ideality factor and barrier height of Al/ PNpClPh PPy /p-Si/Al structure were determined from current-voltage characteristics and were found to be 1.41 and 0.78eV, respectively. The ideality factor and barrier height values for the Al/ PNpClPh PPy /p-Si/Al junction at the room temperature are significantly larger than of the conventional Al/p-Si Schottky diode. Series resistance (Rs) of the diode were calculated from Cheung Functions and Norde?s function. The contact parameters obtained from Norde?s function were compared with those from Cheung Functions.The BH and carrier concentration values for diode were extracted from its reverse bias C?2?V characteristic. The barrier height value obtained from the reverse bias C?2?V characteristics has varied 0.89 eV. A doping density of about 1.27 × 1015 cm?3 has been determined from the reverse bias C?2?V characteristics. The barrier height value obtained from C-V measurement is higher than that of the barrier height value obtained from I-V measurement. The discrepancy between these values is probably due to existence of excess capacitance at the structure or presence of barrier inhomogeneities.According to presented characteristic properties of Al/ PNpClPh PPy /p-Si/Al diode, it can be said that the diode obeys the metal-oksit-semiconductor (MOS) structure.
Benzer Tezler
- Al-Si12 alaşımının metalik sodyum ile modifikasyonu
Modification of Al-Si12 alloy with metalic sodium
KADİR KOCATEPE
Yüksek Lisans
Türkçe
1988
Metalurji MühendisliğiGazi ÜniversitesiMetalurji Eğitimi Ana Bilim Dalı
PROF.DR. Ö. ERTUĞRUL ATASOY
- Al-Mg-Si işlem alaşımlarında ön yaşlandırma ısıtma hızı ve kademeli yapay yaşlandırmanın mekanik özelliklere etkisi
Başlık çevirisi yok
A.TEVFİK ŞİMŞEK
Yüksek Lisans
Türkçe
1988
Metalurji MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. REMZİ ÇETİN
- Al-Mn işlem alaşımlarında tav paremetrelerinin derin çekilebilirliğe etkileri
Başlık çevirisi yok
YAKUP DELİKÜÇÜK
Yüksek Lisans
Türkçe
1989
Metalurji MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. REMZİ ÇETİN
- Early stage phase transformations and coarsening of an Al-Li-Zr alloy
Al-Li-Zr alaşımında faz dönüşümleri ilk aşamaları ve çökelti büyümesi
MEHMET KADRİ AYDINOL
- Al/n-Si schottky diyodlarının ideal olmayan I-V, C-V karakteristikleri ve arayüzey hallerinin enerji dağılımı
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA SAĞLAM
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
