Geri Dön

Electrical properties of silicide I silicon diodes

Silisid isilisyum iyotların elektriksel özellikleri

  1. Tez No: 35595
  2. Yazar: NURTEN AKMAN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. RAŞİT TURAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1994
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 137

Özet

ÖZ SİLİSİD/SİLİSYUM DİYOTLARIN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ AKMAN, Nurten Master Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Assist. Prof. Dr. Raşit TURAN Ağustos, 1994, 123 sayfa. İV- tipi ve p- tipi silisyum üzerine oluşturulan ve teknolojik önemi olan bazı sil- isid/silicon diyotlarm elektriksel özellikleri incelendi. Akım- gerilim, sığa- gerilim ve aktif enerji ölçümleri kullanılarak bu diyotların engel yükseklikleri ve diyot kalite faktörleri incelendi. Üretilen CrSi2İSi, Pd.2Si/Si, PtSi/Si diyotlarının çoğu ideal'e yakın özellikler gösterdi. İdeal durumdan sapmalar incelendi ve tartışıldı. Özellikle, 3-5 um lik atmosfer penceresinde termal resimleme uygulamalarında kızılötesi ışık detektörü olarak kullanılan PtSi/Si diyotları mükemmel karakteristikler sergiledi. Anahtar Kelimeler : Silisitler, Schottky engel yüksekliği, Kızılötesi detektörler, Buharlaştırma, Çığılama. Bilim dalı sayısal kodu : 404.05.01 iv

Özet (Çeviri)

ABSTRACT ELECTRICAL PROPERTIES OF SILICIDE/SILICON DIODES AKMAN, Nurten M.S. in Physics Supervisor: Assist. Prof. Dr. Raşit TURAN August, 1994, 123 pages. Electrical properties of some technologically important silicide/silicon diodes formed on both n- type and p- type silicon have been investigated. The barrier heights and diode ideality factors of the diodes manufactured by these silicides have been evaluated by several measurement techniques such as current- voltage mea surement, capacitance- voltage measurement and activation energy measurement. The Schottky diodes, CrSiz/Si, Pd^Si/Si, and PtSi/Si, showed near ideal char acteristics in most cases. Deviations from the ideality have been analysed and discussed. In particular the PtSi/Si diodes, which is used as an infrared detector in the 3-5 pm atmospheric window for the thermal imaging applications, showed excellent diode characteristics. Keywords : Silicides, Schottky barrier height, Infrared detectors, Evaporation, Sputtering Science Code : 404.05.01 111

Benzer Tezler

  1. Ni/Si eklemlerin elektrik ve optik karakteristikleri

    Electrical and optical characteristics of Ni/Si junctions

    AYŞEGÜL ÇELİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TAYYAR CAFEROV

  2. Katodik ark plazma işlemi ile CrSi2 yarıiletken filmlerin üretimi

    CrSi2 semiconductor film production via cathodic arc plasma deposition

    BERİL KOZÇAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA ÜRGEN

  3. Mechanochemical synthesis and characterization investigations of some refractory metal silicides

    Bazı refrakter metal silisitlerin mekanokimyasal yöntemle sentezlenmesi ve karakterizasyonu

    DİDEM OVALI DÖNDAŞ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA LUTFİ ÖVEÇOĞLU

  4. Sülfürlü ve oksitli bileşiklerden ergimiş tuz elektrolizi ile bakır ve alaşımlarının direkt sentezi

    Direct synthesis of copper and copper alloys from sulfide/oxide compounds via molten salt electrolysis

    LEVENT KARTAL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SERVET İBRAHİM TİMUR

  5. Ti/Si ve Zr/Si eklemlerin elektriksel karakteristikleri

    Electrical caracteristics of Ti/Si and Zr/Si junctions

    HALİL ALBAYRAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. IŞIK KARABAY