Electrical properties of silicide I silicon diodes
Silisid isilisyum iyotların elektriksel özellikleri
- Tez No: 35595
- Danışmanlar: DOÇ. DR. RAŞİT TURAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1994
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 137
Özet
ÖZ SİLİSİD/SİLİSYUM DİYOTLARIN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ AKMAN, Nurten Master Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Assist. Prof. Dr. Raşit TURAN Ağustos, 1994, 123 sayfa. İV- tipi ve p- tipi silisyum üzerine oluşturulan ve teknolojik önemi olan bazı sil- isid/silicon diyotlarm elektriksel özellikleri incelendi. Akım- gerilim, sığa- gerilim ve aktif enerji ölçümleri kullanılarak bu diyotların engel yükseklikleri ve diyot kalite faktörleri incelendi. Üretilen CrSi2İSi, Pd.2Si/Si, PtSi/Si diyotlarının çoğu ideal'e yakın özellikler gösterdi. İdeal durumdan sapmalar incelendi ve tartışıldı. Özellikle, 3-5 um lik atmosfer penceresinde termal resimleme uygulamalarında kızılötesi ışık detektörü olarak kullanılan PtSi/Si diyotları mükemmel karakteristikler sergiledi. Anahtar Kelimeler : Silisitler, Schottky engel yüksekliği, Kızılötesi detektörler, Buharlaştırma, Çığılama. Bilim dalı sayısal kodu : 404.05.01 iv
Özet (Çeviri)
ABSTRACT ELECTRICAL PROPERTIES OF SILICIDE/SILICON DIODES AKMAN, Nurten M.S. in Physics Supervisor: Assist. Prof. Dr. Raşit TURAN August, 1994, 123 pages. Electrical properties of some technologically important silicide/silicon diodes formed on both n- type and p- type silicon have been investigated. The barrier heights and diode ideality factors of the diodes manufactured by these silicides have been evaluated by several measurement techniques such as current- voltage mea surement, capacitance- voltage measurement and activation energy measurement. The Schottky diodes, CrSiz/Si, Pd^Si/Si, and PtSi/Si, showed near ideal char acteristics in most cases. Deviations from the ideality have been analysed and discussed. In particular the PtSi/Si diodes, which is used as an infrared detector in the 3-5 pm atmospheric window for the thermal imaging applications, showed excellent diode characteristics. Keywords : Silicides, Schottky barrier height, Infrared detectors, Evaporation, Sputtering Science Code : 404.05.01 111
Benzer Tezler
- Ni/Si eklemlerin elektrik ve optik karakteristikleri
Electrical and optical characteristics of Ni/Si junctions
AYŞEGÜL ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
- Katodik ark plazma işlemi ile CrSi2 yarıiletken filmlerin üretimi
CrSi2 semiconductor film production via cathodic arc plasma deposition
BERİL KOZÇAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA ÜRGEN
- Mechanochemical synthesis and characterization investigations of some refractory metal silicides
Bazı refrakter metal silisitlerin mekanokimyasal yöntemle sentezlenmesi ve karakterizasyonu
DİDEM OVALI DÖNDAŞ
Doktora
İngilizce
2018
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA LUTFİ ÖVEÇOĞLU
- Sülfürlü ve oksitli bileşiklerden ergimiş tuz elektrolizi ile bakır ve alaşımlarının direkt sentezi
Direct synthesis of copper and copper alloys from sulfide/oxide compounds via molten salt electrolysis
LEVENT KARTAL
Doktora
Türkçe
2019
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERVET İBRAHİM TİMUR
- Ti/Si ve Zr/Si eklemlerin elektriksel karakteristikleri
Electrical caracteristics of Ti/Si and Zr/Si junctions
HALİL ALBAYRAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. IŞIK KARABAY