Geri Dön

Ti/Si ve Zr/Si eklemlerin elektriksel karakteristikleri

Electrical caracteristics of Ti/Si and Zr/Si junctions

  1. Tez No: 182717
  2. Yazar: HALİL ALBAYRAK
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. IŞIK KARABAY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Ti/Si ve Zr/Si eklemler, Schottky diyot, Ti5Si4, Ti/Si and Zr/Si junctions, Schottky diode, Ti5Si4
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 66

Özet

Metal-yarıiletken eklemler, mikroelektronik cihazların ve entegre elektronik elemanlarıntemelini oluşturmaktadır. Geçiş metalleri kullanılarak yapılan metal-yarıiletken eklemlerinkarakteristikleri ile ilgili yapılan araştırmalarda ara yüzde oluşan silikatların özdirençlerinindüşük olması ve oksitlenmeye karşı dayanıklı olmaları dikkat çekmiştir. Yine de, geçişmetal/yarıiletken eklemler konusunda az çalışma vardır.Bu çalışmada, kristal Si(100) altlık üzerine benzer kimyasal özellikler taşıyan Ti ve Zr incefilm kaplama yapılarak yapılan eklemlerin elektriksel özelliklerinin karşılaştırılmasıamaçlanmıştır. DC magnetron sıçratma tekniği ile n-tipi ve p-tipi Si(100) altlık üzerine Ti veZr ince film kaplamalar yapılmıştır. Bu eklemlerin akım-gerilim ve kapasitans-gerilimkarakteristikleri incelenmiş, deneysel bulgulardan Schottky engel yüksekliği, ideallik faktörü,katkı iyonu yoğunluğu gibi parametreler hesaplanmıştır. Ayrıca, Si altlık için UV geçirgenlikölçümü yapılarak yasak enerji aralığı hesaplanmış ve kaplamadan sonra XRD analizleriincelenerek ara yüzeyde ne tür kristal fazları oluşup oluşmadığı irdelenmiştir.Yapılan elektriksel ölçümlerde, Ti/p-Si eklemin engel yüksekliği Фb(I-V)= 0,73 eV, Фb(C-V)= 0,90 eV ve akseptör iyonu yoğunluğu Na= 2,28x1013 cm-3 olarak, Ti/n-Si eklemin engelyüksekliği Фb(I-V)= 0,68 eV, Фb(C-V)= 0,80 eV ve donör iyonu yoğunluğu Nd=5,12x1013cm-3 olarak ve Zr/p-Si eklemin engel yüksekliği Фb(I-V)= 0,83 eV, Фb(C-V)= 1,34 eV veakseptör iyonu yoğunluğu Na= 3,03x1013 cm-3 olarak hesaplanmıştır. Ayrıca Ti/Sieklemlerin foto duyarlılık özelliği göstermediği, ancak Zr/p-Si ekleminin ışıkla doğrultmaözelliğinin arttığı gözlenmiştir. Hazırlanan Ti/n-Si, Ti/p-Si ve Zr/p-Si eklemleri Schottkydiyot özelliği göstermiştir.

Özet (Çeviri)

Metal semiconductor junctions form the fundamental background of microelectronic andintegrated electronic devices. Researches have focused on the characteristics of metalsemiconductor junctions made by using transition metals since silicides at the interface havelow resistivity and they are not oxidized easily. However, there is still lack of study abouttransition metals/semiconductor junctions.In this study, junctions having either Ti or Zr thin film covering on crystal Si substrate havebeen compared in terms of their electrical properties. The Ti and Zr thin film coverings on n-type and p-type Si substrate have been made by using DC magnetron sputtering technique.Current-voltage and capacitance-voltage characteristics of the junctions have beeninvestigated experimentally. Moreover, parameters like Schottky barrier height, ideality factorand dopand density have been calculated. Also, energy gap has been calculated by measuringUV transmission for Si substrate and after the covering, types of crystal phases have beendetermined by making XRD analysis.After completing electrical measurements, these following calculations have been concluded:Ti/p-Si junction barrier height Фb(I-V)= 0,73 eV, Фb(C-V)= 0,90 eV and acceptor dopantNa=2,28x1013 cm-3 , Ti/n-Si junction barrier height Фb(I-V)= 0,68 eV, Фb(C-V)= 0,80 eVand donor density Nd=5,12x1011 cm-3, and Zr/p-Si junction barrier height Фb(I-V)= 0,83eV, Фb(C-V)=1,34 eV and acceptor dopant Na= 3,03x1013 cm-3. In addition Ti/Si junctionshas not shown photo sensitivity property. On the other hand, Zr/p-Si junction Schottky diodeproperty has increased proportionally with light. It is observed that Ti/n-Si, Ti/p-Si and Zr/p-Si have Schottky diode properties.

Benzer Tezler

  1. AZ91 magnezyum alaşımının korozyon davranışları üzerine ilave alaşım elementlerinin etkisi

    Effect of additional alloying elements on corrosion behavior of AZ91 magnesium alloy

    HALİL KUŞDEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Teknik EğitimKarabük Üniversitesi

    Teknik Eğitim Bölümü

    DOÇ. DR. ŞENNUR CANDAN

  2. Alaşım elementlerinin magnezyum döküm özelliklerine etkisinin incelenmesi

    An investigation of effect of alloying elements on properties of magnesium castings

    ERKAN KOÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Teknik EğitimKarabük Üniversitesi

    Teknik Eğitim Bölümü

    PROF. DR. ERCAN CANDAN

  3. Bazı yıldızların atom ve molekül tayflarının incelenmesi

    Examination of atomic and molecular spectral of some stars

    BURCU AKÇA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ALİ GÜROL

    YRD. DOÇ. DR. CAHİT YEŞİLYAPRAK

  4. Zircon typology and chemistry of the granitoids from Central Anatolia, Turkey

    Orta Anadolu'daki (Türkiye) granitoyidlerin zirkon tipolojisi ve kimyası

    SERHAT KÖKSAL

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Jeoloji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Jeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. CEMAL GÖNCÜOĞLU

  5. Yüksek yapışma özellikli, paketleme endüstrisinde kullanılacak pearlize bopp film kaplamaların geliştirilmesi

    Development of pearlized bopp film coatings with high seal properties to be used in the packaging industry

    MEHMET HAYRİ GENÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Kimyaİnönü Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TURGAY SEÇKİN