Geri Dön

Ti/Si ve Zr/Si eklemlerin elektriksel karakteristikleri

Electrical caracteristics of Ti/Si and Zr/Si junctions

PDF İndir

  1. Tez No: 182717
  2. Yazar: HALİL ALBAYRAK
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. IŞIK KARABAY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Ti/Si ve Zr/Si eklemler, Schottky diyot, Ti5Si4, Ti/Si and Zr/Si junctions, Schottky diode, Ti5Si4
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Metal-yarıiletken eklemler, mikroelektronik cihazların ve entegre elektronik elemanlarıntemelini oluşturmaktadır. Geçiş metalleri kullanılarak yapılan metal-yarıiletken eklemlerinkarakteristikleri ile ilgili yapılan araştırmalarda ara yüzde oluşan silikatların özdirençlerinindüşük olması ve oksitlenmeye karşı dayanıklı olmaları dikkat çekmiştir. Yine de, geçişmetal/yarıiletken eklemler konusunda az çalışma vardır.Bu çalışmada, kristal Si(100) altlık üzerine benzer kimyasal özellikler taşıyan Ti ve Zr incefilm kaplama yapılarak yapılan eklemlerin elektriksel özelliklerinin karşılaştırılmasıamaçlanmıştır. DC magnetron sıçratma tekniği ile n-tipi ve p-tipi Si(100) altlık üzerine Ti veZr ince film kaplamalar yapılmıştır. Bu eklemlerin akım-gerilim ve kapasitans-gerilimkarakteristikleri incelenmiş, deneysel bulgulardan Schottky engel yüksekliği, ideallik faktörü,katkı iyonu yoğunluğu gibi parametreler hesaplanmıştır. Ayrıca, Si altlık için UV geçirgenlikölçümü yapılarak yasak enerji aralığı hesaplanmış ve kaplamadan sonra XRD analizleriincelenerek ara yüzeyde ne tür kristal fazları oluşup oluşmadığı irdelenmiştir.Yapılan elektriksel ölçümlerde, Ti/p-Si eklemin engel yüksekliği Фb(I-V)= 0,73 eV, Фb(C-V)= 0,90 eV ve akseptör iyonu yoğunluğu Na= 2,28x1013 cm-3 olarak, Ti/n-Si eklemin engelyüksekliği Фb(I-V)= 0,68 eV, Фb(C-V)= 0,80 eV ve donör iyonu yoğunluğu Nd=5,12x1013cm-3 olarak ve Zr/p-Si eklemin engel yüksekliği Фb(I-V)= 0,83 eV, Фb(C-V)= 1,34 eV veakseptör iyonu yoğunluğu Na= 3,03x1013 cm-3 olarak hesaplanmıştır. Ayrıca Ti/Sieklemlerin foto duyarlılık özelliği göstermediği, ancak Zr/p-Si ekleminin ışıkla doğrultmaözelliğinin arttığı gözlenmiştir. Hazırlanan Ti/n-Si, Ti/p-Si ve Zr/p-Si eklemleri Schottkydiyot özelliği göstermiştir.

Özet (Çeviri)

Metal semiconductor junctions form the fundamental background of microelectronic andintegrated electronic devices. Researches have focused on the characteristics of metalsemiconductor junctions made by using transition metals since silicides at the interface havelow resistivity and they are not oxidized easily. However, there is still lack of study abouttransition metals/semiconductor junctions.In this study, junctions having either Ti or Zr thin film covering on crystal Si substrate havebeen compared in terms of their electrical properties. The Ti and Zr thin film coverings on n-type and p-type Si substrate have been made by using DC magnetron sputtering technique.Current-voltage and capacitance-voltage characteristics of the junctions have beeninvestigated experimentally. Moreover, parameters like Schottky barrier height, ideality factorand dopand density have been calculated. Also, energy gap has been calculated by measuringUV transmission for Si substrate and after the covering, types of crystal phases have beendetermined by making XRD analysis.After completing electrical measurements, these following calculations have been concluded:Ti/p-Si junction barrier height Фb(I-V)= 0,73 eV, Фb(C-V)= 0,90 eV and acceptor dopantNa=2,28x1013 cm-3 , Ti/n-Si junction barrier height Фb(I-V)= 0,68 eV, Фb(C-V)= 0,80 eVand donor density Nd=5,12x1011 cm-3, and Zr/p-Si junction barrier height Фb(I-V)= 0,83eV, Фb(C-V)=1,34 eV and acceptor dopant Na= 3,03x1013 cm-3. In addition Ti/Si junctionshas not shown photo sensitivity property. On the other hand, Zr/p-Si junction Schottky diodeproperty has increased proportionally with light. It is observed that Ti/n-Si, Ti/p-Si and Zr/p-Si have Schottky diode properties.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    25554

    Aspect verbal en grec Istanbouliote: modele de description fonctionnaliste

    Başlık çevirisi yok

    EMİNE YAVAŞGEL

    Yüksek Lisans

    Fransızca

    Fransızca

    1993

    Dilbilimİstanbul Üniversitesi

    Yabancı Diller Eğitimi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NÜKHET GÜZ

  2. Tez No

    59467

    Pulmoner rehabilitasyonun ankilozan spondilitli hastalarda ergospirometre parametreleri ve klinik bulguları üzerine etkileri

    Başlık çevirisi yok

    SİBEL DEMİR DEVİREN

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fiziksel Tıp ve RehabilitasyonSağlık Bakanlığı

    Fiziksel Tıp ve Rehabilitasyon Ana Bilim Dalı

  3. Tez No

    19295

    Bir boya robotunun tasarımı, kontrolu ve işletmesi

    Design and control of a sproy painting robot

    ŞENİZ FIÇICI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. AHMET KUZUCU

  4. Tez No

    352388

    İnsansı robotlarda yürüme

    Humanoid walking

    SABRİ YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kontrol ve Otomasyon Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. METİN GÖKAŞAN

  5. Tez No

    10198

    Bursa şartlarında ikinci ürün olarak yetiştirilen yem şalgamı (Brassica rapa L.)'nın verim ve kalite özellikleri üzerinde araştırmalar

    Başlık çevirisi yok

    AYŞEN UZUN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1990

    ZiraatUludağ Üniversitesi

    Tarla Bitkileri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ESVET AÇIKGÖZ

Geri Dön