Investigation of SiO2 / P-Si structure by DLTS and various admittance techniques
SiO2 / P-Si yapısının DLTS ve çeşitli admıttans teknikleri ile belirlenmesi
- Tez No: 35728
- Danışmanlar: PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MOS, Ara Yüz Durumu, Etkin Kesit, DLTS, Admittans, Statik Sığa, iletkenlik, Civa Probu, MOS, Interface Traps, Capture Cross Section, DLTS, Admittance, Static Capacitance, Conductance, Mercury Probe
- Yıl: 1994
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 315
Özet
oz SİO /p-Sİ YAPISININ DLTS VE ÇEŞİTLİ ADMITTANS TEKNİKLERİ İLE BELİRLENMESİ ÖZDER, Serhat Doktora Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Bayram KATIRCIO?LU Şubat, 1994, 294 sayfa. SİO /Si yapısının elektriksel özelliklerini, azot ve hidrojen altında yapılan ısıl işlemler dizisiyle, iyileştiren koşullar araştırıldı. Bu işlemlerin etkisi, DLTS ve çeşitli admittans teknikleriyle belirlendi. Geri dönüşlü civa geçitli MOS yapılar, ölçüm aygıtı olarak düzenli biçimde kullanıldı ve alüminyum geçitli aygıtlarla karşılaştırılarak kullanılabilirlik sınırları belirlendi. Voltaj ve frekans taramalı a.c. iletkenlik ve kararlı sığa gibi eldeki tekniklerin bilgisayarlı veri işleme düzeneğine bağlanması ve bu doğrultuda özel programların geliştirilmesi bu tezin ilk katkısını oluşturmak tadır.Eldeki DLTS düzeneğini, sabit voltaj, sabit sığa, sıcaklık taramalı, frekans taramalı, voltaj taramalı gibi çeşitli kullanım türlerine dönüştürebilen teknik ve biri kim yönünde katkı sağlanmıştır. Bu arada voltaj ve frekans tarama türlerinin karışımını içeren daha yalın ve kullanışlı yeni bir DLTS kullanım türü geliştirilmiştir. SiO /p-Si yapının arayüz durumu D ve taşıyıcı yakalama etkin kesiti a dağılımları, yukarıda belirlenen tekniklerle ölçülmüştür. Bu çalışmanın başlıca katkıları olarak, önce arayüz potansiyel dalgalanmalarının ve eksik dolmanın, D ve er üzerine nicel etkisinin hesaplanması ve arkasından p da, etkin kesitin, örgünün yerel titreşiminin sonucu olarak, sıcaklıkla üstel uyarılabilen türde olmasının belirlenmesi sayılabilir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT INVESTIGATION OF Sİ02/p-Sİ STRUCTURE BY DLTS AND VARIOUS ADMITTANCE TECHNIQUES ÖZDER, Serhat Ph.D. in Physics Supervisor: Prof. Dr. Bayram KATIRCIO?LU February, 1994, 294 pages. The optimization of SiO /Si electrical properties was investigated by a series of nitrogen and hydrogen annealing processes. The effects of these processes were determined by DLTS and various admittance techniques. Non-destructive mercury gate Metal Oxide Silicon (MOS) structure has been systematically used and its limitations have been determined in light of the comparison with eva porated aluminum gate MOS structure. Important contributions have been made to the improvement of the existing conventional admittance tech niques such as steady-state capacitance, frequency scan a.c. conductance, voltage scan a.c. conductance in their computerization and in the development of special programs for data analysis. IllThe DLTS system at hand has been improved for adapting it to different versions such as constant vol tage, constant capacitance, temperature scan, voltage scan, frequency scan. A new version of DLTS, based on the combination of voltage and frequency scan has been deve loped. Distributions of interface trap density D and capture cross section a of SiO /p-Si system were deter- p 2 mined by the above mentioned techniques. The main contributions of this work can be cited as follows. We have shown that the surface potential fluc tuations and incomplete filling of the traps have impor tant effect on the Djx and cr distributions. Our experi- lt p mental observations and the related analysis indicate that the capture cross section strongly depends on temperature, which may be interpreted as due to multiphonon emission process.
Benzer Tezler
- Al/SiO2/p-Si (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) stuctures
DİLBER ESRA YILDIZ
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi
Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure
AYŞE EVRİM SAATCİ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Al/SiO2/p-Si (MIS) yapıların elektrik karekteristiklerinin frekansa bağlı incelenmesi
The investigation of frequency dependent electric characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) structures
AHMET KAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Metal-yalıtkan-yarıiletken (Al/SiO2/p-Si) yapıların elektrik ve dielektrik özelliklerinin frekans ve potansiyele bağlı incelenmesi
The investigation of frequency and voltage dependent electrical and dielectric properties of metal-insulator-semiconductor (Al/SiO2/p-Si) structures
ZEKAYİ SÖNMEZ
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Metal-yalıtkan-yarı iletken (MIS) yapılarda elektrik ve dielektrik özelliklerinin sıcaklık ve frekansa bağlı incelenmesi
The investigation of frequency and temperature dependent electrical and dielectric properties in metal-insulator-semiconductor (MIS) structures
İBRAHİM YÜCEDAĞ
Doktora
Türkçe
2007
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGazi ÜniversitesiEndüstriyel Teknoloji Eğitimi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL