Al/SiO2/p-Si (MIS) yapıların elektrik karekteristiklerinin frekansa bağlı incelenmesi
The investigation of frequency dependent electric characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) structures
- Tez No: 268914
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Al/SiO2/p-Si yapılar, [100] yönelimli, 1 ?cm özdirençli p-Si üzerine oluşturuldu. Bu yapıların frekansa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, seri direnç (RS) ve arayüzey durumlarının (Nss) etkileri dikkate alınarak incelendi. C-V ve G/w-V ölçümleri oda sıcaklığında ve 1 kHz-1 MHz aralığında gerçekleştirildi. Deneysel sonuçlar, yapının hem C hem de G/w değerlerinin artan frekansla azaldığını gösterdi. Düşük frekanslarda C ve G/w' nın bu davranışı, Si/SiO2 arayüzeyinde lokalize olmuş arayüzey durumlarına (Nss) atfedildi. RS' nin C ve G/w üzerinde etkisi yüksek frekanslarda olduğu görüldü. Bu yüzden, gerçek Cc ve Gc/w değerlerini elde etmek için ölçülen Cm ve Gm/w değerleri, RS etkisi dikkate alınarak düzeltildi. Voltaja bağlı Rs profili tüm frekanslar için yaklaşık 0 V civarında bir anormal pik gösterdi. Ayrıca, yapının; kesişim voltajı (V0), engel yüksekliği ( ? B(C-V)), Fermi seviyesi (EF) gibi temel parametreleri farklı frekanslar için C-2-V grafiklerinden elde edildi. Engel yüksekliği, arayüzey durumlarının yoğunluk dağılımı tarafından etkili bir şekilde kontrol edildiği için arayüzey durumlarının yoğunluğunun ve onların zaman sabitlerinin uygulanan gerilimle ve enerjiye bağlı değişimi, admittans spektroskopi metodu ile elde edildi.
Özet (Çeviri)
Al/SiO2/p-Si structures were fabricated on p-Si with [100] orientation and 1 ?cm resistivity. The frequency dependent capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) characteristics of the Al/SiO2/p-Si (MIS) structures have been investigated by considering series resistance (RS) and interface states (Nss) effects. The C-V and G/w-V measurements of these structures were carried out in the frequency range of 1 kHz-1 MHz at room temperature. Experimental results show that both C and G/w of sample decreases with increasing frequency. Such behavior of C and G/w at low frequencies results from the existence of Nss at Si/SiO2 interface. The effect of Rs on the C and G/w are found noticeable at high frequency. Therefore, the high frequencies Cm and Gm/w values measured under both forward and reverse bias were corrected for the effect of Rs to obtain the real Cc and Gc/w of structure. The profile of Rs exhibits an anomalous peak at each frequency about at zero-bias. Furthermore, the characteristic parameters of structure such as intercept voltage (V0), barrier height ( ? B(c-v)), Fermi level (EF) were determined from C-2-V characteristics for various frequencies. Since the barrier height is controlled by the density distribution of the Nss, the variation of interface states density and their relaxation time constant were obtained from admittance Spectroscopy method as function of voltage and energy.
Benzer Tezler
- Metal-yalıtkan-yarıiletken (Al/SiO2/p-Si) yapıların elektrik ve dielektrik özelliklerinin frekans ve potansiyele bağlı incelenmesi
The investigation of frequency and voltage dependent electrical and dielectric properties of metal-insulator-semiconductor (Al/SiO2/p-Si) structures
ZEKAYİ SÖNMEZ
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Metal/oksit tabaka/silisyum yarıiletken/metal yapıların elektriksel özellikleri
Electrical properties of metal/oxide layer/silicon semiconductor/metal structures
MUHAMMED CAN ÖZDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Medeniyet ÜniversitesiNanobilim ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TURUT
- Metal/yalıtkan/yarıiletken (MIS) yapıların farklı frekanslar altında elektriksel özelliklerinin belirlenmesi
Determination of electrical properties of metal/insulator/semiconductor (MIS) structures under different frequencies
DİLEK ŞAHİN CÜCE
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGiresun ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BEHZAD BARIŞ
- Organik ara yüzey tabakalı metal-yarıiletken (MS) yapıların oluşturulması ve frekansa bağlı elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Formation of metal-semiconductor (MS) structures with organic interface layers and examination of frequency-dependent electrical properties
NESLİHAN DELEN
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY
- Al/(ZnS-PVA)/p-Si (MPS) yapıların hazırlanması ve elektriksel ile dielektrik özelliklerinin geniş bir frekans ve sıcaklık aralığında incelenmesi
The fabrication of Al/(PVA-ZnS)/p-Si (MPS) structures and investigating their electrical and dielectric properties in a wide range of frequency and temperature
NALAN BARAZ
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiDüzce ÜniversitesiElektrik-Elektronik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İBRAHİM YÜCEDAĞ