AlxGa1-xN/GaN çoklu kuantum kuyularının optiksel özellikleri
Optical properties of AlxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
- Tez No: 373218
- Danışmanlar: PROF. DR. ALİ TEKE
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 45
Özet
Bu çalışmada, c- doğrultuda safir alt taş üzerine Metal-Organik Kimyasal Buhar Biriktirme(MOCVD) tekniği ile büyütülen AlxGa1-xN/GaN çoklu kuantum kuyulu yapılar incelenmiştir. Yapıların optik özelliklerini incelemek için Kararlı- Hal Fotolüminesans tekniği kullanılmıştır. Numunelerin fotolüminesans (PL) spektrumlarında gözlenen AlxGa1-xN/GaN çoklu kuantum kuyusuna ait ana geçişlerin pik enerjilerinin, şiddetlerinin ve çizgi genişliklerinin sıcaklığa bağlı değişimleri ampirik fit denklemleri yardımıyla detaylı olarak analiz edilmiştir.Dolayısyla, farklı alüminyum alaşım oranının çoklu kuantum kuyulu yapıların optik özellikleri üzerindeki etkileri araştırılmıştır. Sonuç olarak, incelenen örneklerin sıcaklığa bağlı fotolüminesans spektrumları benzer özellikler göstermiş olup, literatürde yapılan çalışmalar ile karşılaştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this work, the optical properties of the AlxGa1-xN/GaN Multiple Quantum Wells (MQW) grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD) on sapphire substrates have been investigated. Steady-State Photoluminescence (PL) technique was used to characterize the optical properties of the structures. To investigate the emission mechanisms of AlxGa1-xN/GaN MQW structures, the temperature dependent PL measurements was carried out between 8 K and 300 K. The temperature dependent PL peak energy, full width at half maximum (FWHM) and peak intensity were analyzed. Also, the effect of Al content is investigated for these parameters. The temperature behaviors of PL peak energy, FWHM and peak intensity were analyzed by fitting equations. Fit parameters obtained from fitting equations were compared with literature.
Benzer Tezler
- AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini
Optical and structural analysis of AlxGa1-xAs and InxGa1-xN layered semiconductor structures
SABİT KORCAK
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Morötesi̇ bölgede işik yayan di̇yot yapilarinin (UV-LED) büyütülmesi̇ ve karakteri̇zasyonu
Growth and characterization of ultraviolet light emitting diode (UV-LED)
BARIŞ BULUT
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- AlxGa1-xN/GaN 2 boyutlu elektron gazının elektriksel ve optiksel özellikleri arasındaki ilişkinin incelenmesi
Electrical and optical characterization of 2 DEG in AlxGa1-xN/GaN heterostructure
SALİH TOLGA BAYRAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ TEKE
- MOCVD yöntemiyle safir alttaş üzerine büyütülen AlxGa1-xN/GaN HEMT yapısının yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structual, optical and electrical chacteristic of AlxGa1-xN/GaN HEMT structures grown on sapphire substrate by MOCVD method
ÖMER AKPINAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK
- GaN/AlGaN kuantum kuyularının elektronik özellikleri
The electronic properties of GaN/AlGaN quantum well
İBRAHİM GÜNERİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. FİGEN KARACA BOZ