Geri Dön

GaN/AlGaN kuantum kuyularının elektronik özellikleri

The electronic properties of GaN/AlGaN quantum well

PDF İndir

  1. Tez No: 346469
  2. Yazar: İBRAHİM GÜNERİ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. FİGEN KARACA BOZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Trakya Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 54

Özet

Bu tezde, zinc-blende GaN/AlXGa 1-XN kuantum kuyusunun elektrik , manyetik, lazer alanlar ve hidrostatik basınç altında elektronik özellikleri incelenir. Zinc-blende GaN/AlXGa1-XN kuantum kuyusundaki bir elektronun enerjisi dıs alanların etkisi altında sonlu farklar metoduyla bulunur. Bu kuantum kuyusuna yabancı atom katıldıgında yabancı atomun enerjisi varyasyon metoduyla bulunur. Zinc-blende GaN/AlXGa1-XN kuantum kuyusuna dısarıdan hiçbir etki yokken yabancı atomun konumunun z yönünde degisimiyle ve kuyunun genisliginin artmasıyla baglanma enerjisinde azalma gösterir. Bu kuyuya ?z yönünde elektrik alan uygulandıgında z yönünde yabancı atomun konumunun degismesiyle baglanma enerjisi artıs gösterir. Zinc-blende GaN/AlXGa1-XN kuantum kuyusuna merkezinde yer alan yabancı atom için z yönünde uygulanan manyetik alanın artımıyla baglanma enerjisi artar. Farklı yabancı atom konumları için ise manyetik alanın artımıyla baglanma enerjisi azalır. Zinc-blende GaN/AlXGa1-XN kuantum kuyusuna lazer alan uygulandıgında kuyu genisliginin yarısından küçük olan lazer giydirme parametrelerinde baglanma enerjisi azalır. Bu kuantum kuyularına hidrostatik basıncın artmasıyla kuyu genisligine göre baglanma enerjileri tüm yabancı atom konumları için artıs gösterir. Bu tezde dısarıdan uygulanan elektrik, manyetik, lazer alanların ve hidrostatik basınç etkileri kadar kuantum kuyusunda yabancı atomun konumunun da önemli oldugu gözlenir.

Özet (Çeviri)

In this thesis, the electronic properties of zinc-blende GaN/Al XGa1-XN quantum well under the electric, the magnetic, the laser fields and the hydrostatic pressure are examined. The energy of an electron in the zinc-blende GaN/Al XGa1-XN quantum well is found with the method of finite differences under the influence of external fields. When the impurity is joined to this quantum well, the energy of the impurity is found with the variation method. While there was no effect to zinc-blende GaN/Al XGa1-XN quantum well from outside, the binding energy decreases with the increase of the width of well and the location of the impurity changes in the z direction. When the electric field applied to the well in the -z direction, the binding energy increases with change of the position of impurity in the z direction. The binding energy increases with the increase of magnetic field applied in the z direction to the impurity center located in zinc-blende GaN/AlXGa1-XN quantum well. The binding energy decreases with the increase of the magnetic field for different impurity location When the laser field is applied the zinc-blende GaN/Al XGa1-XN quantum wells, the binding energy is reduced for the laser driven parameter that are smaller than values half of the well width.With the increase of hydrostatic pressure, the binding energy increases for all the impurity location. In this thesis, it is observed that the location of impurity is as important as the size of effect from outside applied the electric, magnetic , laser fields and hydrostatic pressure .

Benzer Tezler

  1. Tez No

    495068

    Lazer alan etkisinde farklı geometrilere sahip GaAs/Al(GaAs) ve GaN/Al(GaN) kuantum yapılarının elektronik ve optik özellikleri

    Electronic and optical properties of GaAs/Al(GaAs) and GaN/Al(GaN) quantum structures with different geometries in laser field effect

    BAHADIR BEKAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FİGEN KARACA BOZ

  2. Tez No

    323036

    Çoklu kuvantum kuyu arkabariyer yapısına sahip AlQN/AlN/GaN-temelli (Q=Ga, In) transistörlerde 2-boyutlu taşıyıcıların özelliklerinin hesaplamalı incelenmesi

    Numerical investigation of the 2-dimensional carriers in AlQN/AlN/GaN--based (Q=Ga, In) transistors with multi-quantum well back-barriers

    GÖKHAN ATMACA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN

  3. Tez No

    275039

    Enhancing light extraction efficiency of IngaN/GaNmulti quantum well light emitting diodes with embedded two dimensional photonic crystal structures

    İki boyutlu fotonik kristal yapıları gömülü IngaN/GaN çoklu kuantum kuyulu ışık saçan diyotların ışık çıkarım verimlerini artırma

    ALİ GÜNEŞ KAYA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2010

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SALİM ÇIRACI

    YRD. DOÇ. DR. AYKUTLU DANA

    YRD. DOÇ. DR. BİLGE İMER

  4. Tez No

    395638

    Inxga1-xn (x= 0,075; 0,090; 0,100) Mavi led'lerin mikroyapısal kusurlarının ters örgü uzay haritası ile incelenmesi

    Investigation of Inxga1-xn (x= 0,075; 0,090; 0,100) Blue led's mi̇crostructure defects from reciprocal space mapping

    YUNUS BAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK

    DOÇ. DR. HALİT ALTUNTAŞ

  5. Tez No

    169060

    GaN/AlGaN hemt yapılarda saçılma mekanizmaları

    Scattering mechanisms in GaN/AlGaN hemt structures

    AYKUT ILGAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. SİBEL GÖKDEN

Geri Dön