AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini
Optical and structural analysis of AlxGa1-xAs and InxGa1-xN layered semiconductor structures
- Tez No: 212654
- Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MBE, MOVCD, MQW, AlxGa1-xAs/GaAs, InxGa1-xN/GaN, MBE, MOVCD, MQW, AlxGa1-xAs/GaAs, InxGa1-xN/GaN
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalısmada elektronik ve opto-elektronik cihazların üretilmesinde kullanılan AlxGa1-xAs/GaAs tek kuantum kuyulu (QW), AlxGa1-xAs/GaAs ve InxGa1- xN/GaN çoklu kuantum kuyulularının (MQWs) büyütülerek, optik ve yapısal özellikleri incelendi. AlxGa1-xAs/GaAs (100) LED Moleküler Demet Epitaksi (MBE) ile InxGa1-xN/GaN LED ise Metal Organik Buhar Faz Birikimi (MOVCD) teknikleri ile büyütüldü. Büyütülen AlxGa1-xAs/GaAs ve InxGa1- xN/GaN yarıiletkenlerinin kristal yapı analizi ve optik özellikleri Yüksek Çözünürlüklü X-Isını Kırınımı (HR-XRD), Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM), Spektroskopik Elipsometre (SE) ve Fotolüminesans (PL) sistemleriyle belirlendi.
Özet (Çeviri)
In this study, optical and structural properties of AlxGa1-xAs/GaAs single quantum well (SQW), AlxGa1-xAs/GaAs and InxGa1-xN/GaN multi quantum wells (MQWs) are analyzed by growing, which are used in the production of electronic and optoelectronic devices. AlxGa1-xAs/GaAs (100) LED are grown by Molecular Beam Epitaxy (V80H-MBE), and InxGa1-xN/GaN LED are grown by using Metal Organic Vapour Chemical Deposition (MOVCD). Crystal Structure analyse and optical properties of grown AlxGa1-xAs/GaAs and InxGa1-xN/GaN semiconductors and determined by high resolution X-Ray diffraction (HRXRD), Atomic Force Microscopy (AFM), Spectroscopic Elipsometry (SE), and photoluminescence (PL) systems.
Benzer Tezler
- Fabrication and characterization of GaInP/InGuAs/GuAs modulation doped field effect transistors
GaInP/InGuits/GuAs modüle katkılı alan etkili transistörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
TOLGA YALÇIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- AlxGa1-xAs/GaAs kuantum kuyulu fotodedektör yapılarının üretimesi ve fiziksel özelliklerinin belirlenmesi
Mbe growth and determination of physical properties of AlxGa1-xAs/GaAs quantum well infrared photodetector structures
HALİT ALTUNTAŞ
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- GaAs-AlxGa1-xAs heteroyapı ve çoklu kuantum kuyu IR fotodedektörün elektro-optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the electro-optic features of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructure and multiple quantum well IR photodetector
ASLAN TÜRKOĞLU
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Low loss optical wavequides and polarization splitters wit oxidized ALxGa1-xAs layers
ALxGA1-xAs tabakaların oksitlenmesiyle geliştirilen düşük kayıplı optik dalga klavuzları ve kutupluluk ayraçları
ALPAN BEK
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- AlxGa1-xAs/GaAs nanoyapılarının kimyasal aşındırma yöntemi ile incelenmesi
Examination of AlxGa1-xAs/GaAs nanostructures with chemical etching method
YUSUF ALPER ULU
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TOFİG MAMMADOV