AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini
Optical and structural analysis of AlxGa1-xAs and InxGa1-xN layered semiconductor structures
- Tez No: 212654
- Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 109
Özet
Bu çalısmada elektronik ve opto-elektronik cihazların üretilmesinde kullanılan AlxGa1-xAs/GaAs tek kuantum kuyulu (QW), AlxGa1-xAs/GaAs ve InxGa1- xN/GaN çoklu kuantum kuyulularının (MQWs) büyütülerek, optik ve yapısal özellikleri incelendi. AlxGa1-xAs/GaAs (100) LED Moleküler Demet Epitaksi (MBE) ile InxGa1-xN/GaN LED ise Metal Organik Buhar Faz Birikimi (MOVCD) teknikleri ile büyütüldü. Büyütülen AlxGa1-xAs/GaAs ve InxGa1- xN/GaN yarıiletkenlerinin kristal yapı analizi ve optik özellikleri Yüksek Çözünürlüklü X-Isını Kırınımı (HR-XRD), Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM), Spektroskopik Elipsometre (SE) ve Fotolüminesans (PL) sistemleriyle belirlendi. Anahtar Kelimeler :MBE, MOVCD, QW, MQW, AlxGa1-xAs/GaAs, InxGa1-xN/GaN
Özet (Çeviri)
In this study, optical and structural properties of AlxGa1-xAs/GaAs single quantum well (SQW), AlxGa1-xAs/GaAs and InxGa1-xN/GaN multi quantum wells (MQWs) are analyzed by growing, which are used in the production of electronic and optoelectronic devices. AlxGa1-xAs/GaAs (100) LED are grown by Molecular Beam Epitaxy (V80H-MBE), and InxGa1-xN/GaN LED are grown by using Metal Organic Vapour Chemical Deposition (MOVCD). Crystal Structure analyse and optical properties of grown AlxGa1-xAs/GaAs and InxGa1-xN/GaN semiconductors and determined by high resolution X-Ray diffraction (HRXRD), Atomic Force Microscopy (AFM), Spectroscopic Elipsometry (SE), and photoluminescence (PL) systems. Key Words :MBE, MOVCD, QW, MQW, AlxGa1-xAs/GaAs, InxGa1-xN/GaN
Benzer Tezler
- Fabrication and characterization of GaInP/InGuAs/GuAs modulation doped field effect transistors
GaInP/InGuits/GuAs modüle katkılı alan etkili transistörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
TOLGA YALÇIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- GaAs-AlxGa1-xAs heteroyapı ve çoklu kuantum kuyu IR fotodedektörün elektro-optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the electro-optic features of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructure and multiple quantum well IR photodetector
ASLAN TÜRKOĞLU
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Kuantum noktalarının sonlu farklar yöntemi ile çözümü
Finite difference method aplication for quantum dots
YAŞAM SAFTEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ŞABAN AKTAŞ
- Kuantum kuyu ve küresel kuantum noktasında uyarılmış durum bağlanma enerjilerinin dönüm noktaları
Excited state binding energy turning points in quantum well and spherical quantum dot
PINAR BULUT
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLHAN ERDOĞAN
PROF. DR. HASAN AKBAŞ
- Çoklu kuantum tel yapısının dışarıdan uygulanan elektrik alan ve lazer alanın elektronik özelliklere etkisi
The effect of electric field and lazer fi̇eld on electronic specifications in multiple quantum wire structure
HAVVA UYAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırklareli ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUSTAFA ULAŞ