İki boyutlu elektron sisteminin kuantum kapasitans hesapları
Calculations of quantum capacitance of the two dimensional electron system
- Tez No: 377355
- Danışmanlar: DOÇ. DR. AFİF SIDDIKİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 57
Özet
Bu tezde kuantum Hall rejiminde iki boyutlu elektron sisteminin (2BES) elektrostatik özellikleri ve kenar durumlarında oluşan sıkıştıralabilir ve sıkıştırılamaz şeritlerin değişimi incelenmiştir. İki boyuttaki durum yoğunluğu hesabında safsızlıkların sebep olduğu Landau seviyelerinin genişlemesi de düşünülmüştür. Safsızlıklar için iki farklı durum yoğunluğu alınarak, Gaussiyen formda ve öz uyumlu Born yaklaşımı (SCBA) altında (bu yaklaşıklıkta Gaussiyenlerin kuyrukları yalnızca sonsuzda sıfır olacağı için durum yoğunluğu yarı eliptik şekilde alınmıştır), Thomas – Fermi – Poisson yaklaşıklığı kullanılarak sistemin öz iletkenlikleri hesaplanmıştır. Kapasitansı iki plaka arasında bir plakadan diğerine geçmesi için gereken iş olaran tanımladığımızda, 2BES üzerinde girilebilir durum olduğunda kapasitans hesaplanabilir. 2BES'in durum yoğunluğu ile ilgili olan bu kapasitansa kuantum kapasitans diyoruz ve iki farklı durum yoğunluğu için bu hesaplamalar yapıldı. Elde edilen sonuçların, taramalı kapasitans mikroskobu ile yapılan deney sonucu alınan sonuçlarla uyumlu olduğu görülmüştür.
Özet (Çeviri)
In this thesis we investigate electrostatic properties of two dimensional electron system (2DES) in quantum Hall regime and how changes of compressible and incompressible strips at the edge states. We consider impurity effect on two dimensional density of states calculations, Landau Levels are broadened with impurities. Density of state takes two different form for impurites, these are Gaussian form and with self consistent Born approximation (SCBA) (in this approximation density of state has semi eliptical shape, because tails of Gaussian goes zero when tails goes infinity), we calcaulate conductivities with Thomas – Fermi – Poisson approximation. Definition of parallel plate capacitance is also equal to charging energy which is the energy that is required to move one elementary charge between parallel plates. That means we can calculate capacitance only if we have available states. Therefore capacitance is proportional to compressibility of 2DES, we called that quantum capacitance and we made calculations of this capacitance for Gaussian and SCBA density of states. An experiment by using Dynamic scanning capacitance microscopy has similar results with ours.
Benzer Tezler
- Kuantum Hall etkisinde sıkıştırılamazlığın yerel doğası
The local nature of incompressibility at quantised hall effect
SERKAN SIRT
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiMimar Sinan Güzel Sanatlar ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AFİF SIDDIKİ
- Silindirik yüzeylerde klasik bohr-sommerfeld kuantizasyonunun yüksek manyetik alanlar altında incelenmesi
Investigation of classical bohr-sommerfeld quantization on cylindrical surfaces under high magnetic fields
SERHAN SEYYARE AKSU
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AFİF SIDDIKİ
- Morse potansiyeli içinde etkileşen n elekronlu kuantum nokta yapıların taban durum özelliklerinin sınırlandırma şiddetine bağlı olarak değişiminin incelenmesi
Investigation of ground state properties of quantum dot containing n interacting electrons in a morse potential depending on a confinement strength
RUYA AYDIN RAOOF
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RIDVAN DURAK
- Yarıiletken süper örgülerde ortaklaşa uyarımlar
Collective excitations in semiconductor superlattices
ÖZLEM ALTUNORDU
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiZonguldak Karaelmas ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. YÜKSEL AYAZ
- Dirac systems in terms of the berry gauge fields and effective field theory of a topological insulator
Berry ayar alanları cinsinden dirac sistemleri ve bir topolojik yalıtkanın etkin alan kuramı
ELİF YUNT
Doktora
İngilizce
2014
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER FARUK DAYI