Elektrokimyasal olarak büyütülen ZnSe ince filmlerinin yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin ve heteroeklem uygulamalarının araştırılması
ZnSe thin films grown electrochemically structural, optical and electrical properties and investigation of heterojunction applications
- Tez No: 378479
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. HATİCE ASIL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kilis 7 Aralık Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 69
Özet
Bu çalışmada, ZnSe ince filmi elektrokimyasal büyütme tekniğiyle ITO ve p-tipi Si altlık malzemeler üzerine büyütülmüştür. Büyütme işleminde çinko perklorat (ZnClO4), selenous asit (H2SeO3) ve selenium dioksit (SeO2) bileşikleri kullanılmıştır. Elektrokimyasal olarak ZnSe ince filmleri ITO üzerine -0,6 V ve p-Si üzerine -1,4 V potansiyel uygulanarak elde edilmiştir. Büyütülen numunelerin yapısal özellikleri, optiksel özellikleri X-ışını kırınımı ve soğurma spektrumları yardımıyla incelenmiştir. ZnSe/p-Si heteroekleminin akım-voltaj (I-V) karakteristiği incelenmiş ve akım-voltaj grafiğinde doğrultma davranışı olduğu gözlenmiştir. İdealite faktörü akım-voltaj grafiğinden 1,76 olarak hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, ZnSe thin film was grown by electrochemical deposition technique onto ITO and p-Si substrate materials. In order to obtain ZnSe, zinc perchlorate (Zn (ClO4)2), selenous acid (H2SeO3) and selenium dioxide (SeO2) compounds are used. Electrochemically to obtain ZnSe thin films on ITO and on p-Si was applied -0,6 V and -1,4 V potential, respectively. The structural and optical properties of growth samples, X-ray diffraction and absorption spectra was analyzed. The current-voltage (I-V) characteristics of ZnSe/p-Si heterostructures were examined. Ideality factor from the current-voltage plot was calculated as 1,76.
Benzer Tezler
- Elektrokimyasal olarak büyütülen Gase ve Gate filmlerinin karakterizasyonu ve In/GaSe/p-Si/Al ve Ti/GaTe/p-Si/Al schottky diyodlar üzerinde radyasyon etkileri
Characterization of electrochemically grown Gase and Gate thin films and radiation effects on In/GaSe/p-Si/Al AND Ti/GaTe/p-Si/Al schottky diodes
KÜBRA ÇINAR
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CEVDET COŞKUN
- Co/Cu süperörgülerin elektrokimyasal olarak üretilmesi ve yapısal ve manyetik özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
MÜRŞİDE ŞAFAK HACIİSMAİLOĞLU
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MÜRSEL ALPER
- InSe' nin elektrokimyasal olarak büyütülmesi ve karakterizasyonu
Electrochemical deposition and characterization of InSe
SENİYE YÜKSEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiGiresun ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CEVDET COŞKUN
- Titanyum alt tabaka üzerine elektrodepozisyonla büyütülen NiFe/Cu süperörgülerin yapısal, manyetik ve manyetorezistans özellikleri üzerine manyetik tabaka (NiFe) kalınlığının etkisinin incelenmesi
Investigation of the effect of magnetic layer (NiFe) thickness on structural, magnetic and magnetoresistance properties of NiFe/Cu superlattices electrodeposited on titanium substrate
NURAY ÇOLAK AYTEKİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HİLAL KURU
PROF. DR. HAKAN KÖÇKAR
- Geniş bant aralıklı ZnO'nun, elektrokimyasal olarak büyütülmesi, karakterizasyonu ve mümkün elektronik uygulamalarının araştırılması
Electrochemical growth and characterization of wide bandgap and investigation of its possible electronic applications
HATİCE ASIL
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN