Geri Dön

InSe' nin elektrokimyasal olarak büyütülmesi ve karakterizasyonu

Electrochemical deposition and characterization of InSe

  1. Tez No: 415475
  2. Yazar: SENİYE YÜKSEL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. CEVDET COŞKUN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Giresun Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 65

Özet

Bu çalışmada, deiyonize su (DI) çözücüsü içinde indiyum (III) sülfat hidrat (In2(SO4)3xH2O) ve selenyum dioksit (SeO2) tuzları kullanılarak ITO üzerine elektrokimyasal büyütme tekniğiyle InSe ince filmleri büyütülmüştür. Büyütme parametrelerinden pH; 2-3 aralığında, büyütme potansiyeli; -0,600 V ile -0,730 V aralığında ve sıcaklık ise; 30 °C ile 90 ºC aralığında değiştirilerek optimum film karakteristikleri elde edilmeye çalışılmıştır. Yapısal ve optiksel anlamda en kaliteli ince film InSe bileşiklerin bir saatlik büyütme süresi için, DI çözücüsünde 85 °C sıcaklık değerinde, 2.10-3 M indiyum (III) sülfat hidrat (In2(SO4)xH2O) ve 1.10-3 M selenyum dioksit (SeO2) bileşiği kullanılarak, -0,730 V katodik potansiyelde ve çözelti pH'sının 2 olduğu durumda büyütüldüğü görülmüştür. X-Işını kırınım (XRD) desenlerinden elde edilen filmlerin polikristal yapıda oldukları ve (110) tercihli yönelimlere sahip oldukları gözlemlenmiştir. Soğurma ölçümlerinden, optimum yapısal özellikler sergileyen InSe ince filmlerin yasak enerji aralıklarının 2,12 eV civarında olduğu hesaplanmıştır. Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) yardımıyla büyütülen InSe filmlerinin yüzey yapısının incelemesiyle ortalama pürüzlülük değerinin 172,08 nm civarında olduğu belirlenmiştir.

Özet (Çeviri)

In this work, InSe thin films was grown on ITO by electrochemical deposition technique using indium (III) sulphate hydrate (In2(SO4)3xH2O) and selenium dioxide (SeO2) in DI water. In order to obtain optimum film characteristics, growth parameters was changed such as between 2-3, potential between -0,600 and -0,730 V, temperature 30 °C and 90 °C. The best quality InSe thin films have been obtained from 2.10-3 M indium (III) sulphate hydrate (In2(SO4)3xH2O) and 1.10-3 M selenium dioxide (SeO2) within DI water of 85 °C for one hour, at the pH= 2 and V= -0,730 V. It was observed from the XRD measurements that the InSe thin films grown by ECD were in polycrystal form having the (110) preferred orientation. The band gap values of the optimum InSe thin films were measured as 2,12 eV from the absorption measurements. The atomic force microscopy (AFM) measurements showed that the average roughness value of the surfaces of InSe films obtained by electrochemical deposition technique was around of 172,08 nm.

Benzer Tezler

  1. ZnO ince filminin gaz sensör özelliğinin incelenmesi

    Investigation of gas sensor property of ZnO thin films

    ÖMER ÇOBAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN

  2. Characterization of vacuum deposited indium selenide thin films and Schottky barrier diodes

    Vakumda büyütülmüş p-InSe ince filmlerin ve Schottky diyotların karakterizasyonu

    ÖZLEM PEHLİVAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2001

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ

  3. Gaspare ve Giuseppe Fossati'nin İstanbul H.Sophia kilisesindeki mozaik onarım çalışmaları

    Başlık çevirisi yok

    GÜLSÜM ASLAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Sanat TarihiHacettepe Üniversitesi

    Arkeoloji ve Sanat Tarihi Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. S. YILDIZ ÖTÜKEN

  4. Tralles aşağı kent metal üretim atölyeleri

    Metal production workshops of the lower city of Tralles

    ESRA YÜCEL DİNÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    ArkeolojiDokuz Eylül Üniversitesi

    Arkeoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AKIN ERSOY