Organik yarı iletken kullanılarak üretilen Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin belirlenmesi
Determination of electrical charactheristics of Schottky diodes fabricated by organic semiconductors
- Tez No: 380851
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BERNA GÜLVEREN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Selçuk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 65
Özet
Bu çalışmada, Al/perylene-diimide/ITO Schottky diyot üretilmiştir. Üretim aşamasında, ITO/cam alttaşın yüzeyi damlatma yayma yöntemi ile perylene-diimide (PDI) ile kaplanmış, daha sonra Aluminyum(Al) Schottky kontaklar organik malzeme üzerinde yaklaşık 5x10-6 Torr basınç altında 150 nm kalınlığında termal olarak buharlaştırlmıştır. Deneysel değerler elde edilmiş ve diyotun akım(I)-voltaj(V) grafiği çizilmiştir. I-V grafiğinin asimetrik doğası açık bir şekilde Schottky bariyer tipi davranışa sahip olduğunu gösterir. Bununla birlikte Alüminyum PDI ile doğrultucu kontak oluşturmuştur. Yapının elektriksel özellikleri üzerine detaylı analiz, termiyonik emisyon teorisi kabulu ile gerçekleşmiştir. I-V karakteristikleri kullanılarak, idealite faktörü (n), bariyer yüksekliği (Φb), ve diğer diyot parametreleri hesaplanmıştır. Bu amaçla,öncelikle klasik yöntem(ln(I)- V grafiği analizi) kullanılmıştır. Daha sonra, hesaplamalarda Cheung-Cheung metodu kullanılmıştır. Sonuçlar klasik yöntemle elde edilen sonuçlarla uyumludur. n idealite değeri birden çok büyüktür (n>>1). Hesaplanan n değrinin bir değerinden sapması oluşma-yeniden birleşme, arayüzey durumları gibi mümkün mekanizmaları gösterir.
Özet (Çeviri)
In this work, we have fabricated an Al/perylene-diimide/ITO Schottky barrier diode. In sample fabrication stage, the surface of ITO/glass substrate has been coated with perylene-diimide by drop casting method and then the Aluminium ( Al ) Shottky contacts have been thermally evaporated on the on the organic material with a thickness of 150 nm in a pressure of approximately 5x10-6 Torr. Experimental values are obtained and the Current(I)-Voltage (V) graph of the diode is drawn. The asymmetric nature of the I-V curve clearly indicates a Schottky barrier type behavior. Moreover Al forms rectifying contacts with PDI. Detail analysis on electronic properties of the structure is performed by assuming the standard thermionic emission model(TEM). By using I-V characteristics, the idealite factor (n), barrier height (Φb), and some other diode parameters have been calculated. For this purpose,first, conventional method (i.e lnI-V) graph anaysis) is used. Then , Cheung-Cheung method is employed to perform the calculation. The values are good agreement with ones which are obtained from convensional method. The ideality factor n is calculated as much bigger than unity n>>1. Deviations of calculated n value from the unity shows possible mechanisms as generation-recombination processes and the interface states .
Benzer Tezler
- Metal/Al0,20Ga0,80N Schottky diyotun akım-gerilim ölçümlerinden engel yüksekliğinin belirlenmesi
Barrier height determination from current-voltage measurements of metal/Al0,20Ga0,80N Schottky diode
GÖNÜL ERTUĞRUL
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
- AU/P3HT:F4-TCNQ/N-Sİ Schottky bariyer diyotların F4-TCNQ konsantrasyonuna bağlı C-V ve G/w-V karakteristiklerinin incelebnmesi
The analysis of f4-tcnq concertration dependentc-v and G/w-V characteristics of AU/P3HT:F4-TCNQ/N-Sİ Schottky barrier diodes
ASLIHAN DANACI
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiDüzce ÜniversitesiKompozit Malzeme Teknolojileri Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖZGE TÜZÜN ÖZMEN
- Metal/GaN kontakların yapımı ve sıcaklığa bağlı elektriksel ölçümler
Fabrication of Metal/GaN contacts and the temperature-dependent electrical measurements
LEYLA ESMER
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
- Organik ara yüzey tabakalı metal-yarıiletken (MS) yapıların oluşturulması ve frekansa bağlı elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Formation of metal-semiconductor (MS) structures with organic interface layers and examination of frequency-dependent electrical properties
NESLİHAN DELEN
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY
- PCDTBT tabanlı organik güneş gözelerinin üretimi ve karakterizasyonu
The production and characterization of PCDTBT-based organic solar cells
MERVE KURTAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiDüzce ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KADİR GÖKŞEN
DOÇ. DR. ÖZGE TÜZÜN ÖZMEN