Geri Dön

Metal/Al0,20Ga0,80N Schottky diyotun akım-gerilim ölçümlerinden engel yüksekliğinin belirlenmesi

Barrier height determination from current-voltage measurements of metal/Al0,20Ga0,80N Schottky diode

  1. Tez No: 406087
  2. Yazar: GÖNÜL ERTUĞRUL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: AlGaN, Schottky diyot, Elektriksel karakteristik, Termoiyonik emisyon teori, Engel yükseklik homojensizliği, Gaussian dağılımı, AlGaN, Schottky diode, Electrical chracteristics, Thermionic emission theory, barrier height inhomogeneity, Gaussian distribution
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Erciyes Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 101

Özet

Bu çalışmada silisyum karbür üzerine metal organik kimyasal buhar biriktirme yöntemi ile büyütülen n-Al0,20Ga0,80N altlıklar kullanılarak Pd/n-Al0,20Ga0,80N Schottky diyotlar üretildi. Omik ve Schottky kontak metalizasyonu dc manyetik saçtırma ve termal buharlaştırma yöntemleriyle altlıklar üzerine Ti (22,5 nm)/Al (100 nm) ve Pd (80 nm) metalleri biriktirilerek yapıldı. Schottky diyotların engel yüksekliği ve idealite faktörü değerleri termoiyonik emisyon teori kullanılarak doğru beslem akım-gerilim karakteristiklerinden sırasıyla 1,231 ± 0,038 eV, 1,906 ± 0,057 eV olarak elde edildi. Ayrıca, üretilen Schottky diyotların 100 K - 310 K sıcaklık aralığında akım-gerilim ölçümleri yapıldı. Diyotların sıcaklığa bağlı I-V grafiklerinin analizinden, artan sıcaklıkla engel yüksekliğinin arttığı ve idealite faktörünün azaldığı belirlendi. Schottky engel yüksekliğinin sıcaklığa bağlılığı metal-yarıiletken ara yüzeyinde oluşan engel yüksekliği homojensizliğinin üçlü Gaussian dağılımı göz önüne alınarak açıklandı. Schottky engel yüksekliğinin üçlü Gaussian dağılım parametreleri kullanılarak modifiye edilmiş Richardson grafikleri çizildi. Bu grafiklerden elde edilen Richardson sabitinin ortalama değeri Al0,20Ga0,80N için bilinen teorik 32,64 A/K2 cm2 değerine yakın olduğu görüldü.

Özet (Çeviri)

In this study, Pd/n-Al0.20Ga0.80N Schottky diodes were fabricated by using Al0.20Ga0.80N epitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on a 4H-SiC. Ohmic and Schottky contact metallization were formed by depositing Ti (22,5 nm) / Al (100 nm) and Pd (80 nm) metals on n-Al0.20Ga0.80N substrates using dc magnetic sputtering and thermal evaporation methods. The forward bias I-V characteristics were analyzed on the basis of the thermionic emission theory. The values of the ideality factor and the barrier height of the Pd/n-Al0.20Ga0.80N Schottky diodes were determined to be 1.231 ± 0.038 eV, 1.906 ± 0.057 eV, respectively. The current–voltage characteristics of Pd/n-Al0.20Ga0.80N Schottky diodes were investigated in the wide temperature range of 100 K – 310 K. It was found from the analysis of the I-V-T curves that the ideality factor decreases while the barrier height increases with increasing temperatures. The temperature dependence of the Schottky barrier height was explained by considering the existence of the three Gaussian distributions of the barrier height inhomogeneity at metal-semiconductor interface. In addition, the modified Richardson plots were used to determine experimental Richardson constants in the three temperature regions. The obtained average Richardson constant value is in close to the theoretical value of 32.64 A/K2 cm2 known for n-Al0.20Ga0.80N.

Benzer Tezler

  1. (Ni/Au)/Al0. 22Ga0. 78N/AlN/GaN çoklu-yapıların elektriksel karakteristiklerinin admitans spektroskopi metoduyla incelenmesi

    The investigation of electrical properties of Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN hetero-structures by using admittance spectroscopy method

    YASEMİN ŞAFAK ASAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  2. Düşük boyutlu yarıiletken yapılarda sıcak elektronların enerji kayıp mekanizmalarının incelenmesi

    An investigation of energy loss mechanism of hot electrons in low dimensional semiconductor structures

    GÖKHAN ALGÜN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÇETİN ARIKAN

  3. Yüksek performanslı Al(In)GaN/AlN/(In)GaN heteroeklem yapıların iletim özellikleri

    Transport properties of high performance Al(In)GaN/AlN/(In)GaN heterostructures

    REMZİYE TÜLEK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ALİ TEKE

    DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN

  4. MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve A1GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri

    Transport properties of InGaAs/GaAs and A1GaAs/GaAs semiconductors grown by MBE

    SEFER BORA LİŞESİVDİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Metalurji MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. MEHMET KASAP

  5. Ultrases ve sıfır yüklü metal parti̇külleri̇ (Al0 ve Mg0) i̇le ni̇tratin deni̇tri̇fi̇kasyonu

    Ultrasound and zero-valent metal particles (Al0 and Mg0) for denitrification of nitrate

    BURCU İLERİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Çevre MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Çevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÖMER APAYDIN

    PROF. DR. ÖNDER AYYILDIZ