Metal/Al0,20Ga0,80N Schottky diyotun akım-gerilim ölçümlerinden engel yüksekliğinin belirlenmesi
Barrier height determination from current-voltage measurements of metal/Al0,20Ga0,80N Schottky diode
- Tez No: 406087
- Danışmanlar: PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: AlGaN, Schottky diyot, Elektriksel karakteristik, Termoiyonik emisyon teori, Engel yükseklik homojensizliği, Gaussian dağılımı, AlGaN, Schottky diode, Electrical chracteristics, Thermionic emission theory, barrier height inhomogeneity, Gaussian distribution
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erciyes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 101
Özet
Bu çalışmada silisyum karbür üzerine metal organik kimyasal buhar biriktirme yöntemi ile büyütülen n-Al0,20Ga0,80N altlıklar kullanılarak Pd/n-Al0,20Ga0,80N Schottky diyotlar üretildi. Omik ve Schottky kontak metalizasyonu dc manyetik saçtırma ve termal buharlaştırma yöntemleriyle altlıklar üzerine Ti (22,5 nm)/Al (100 nm) ve Pd (80 nm) metalleri biriktirilerek yapıldı. Schottky diyotların engel yüksekliği ve idealite faktörü değerleri termoiyonik emisyon teori kullanılarak doğru beslem akım-gerilim karakteristiklerinden sırasıyla 1,231 ± 0,038 eV, 1,906 ± 0,057 eV olarak elde edildi. Ayrıca, üretilen Schottky diyotların 100 K - 310 K sıcaklık aralığında akım-gerilim ölçümleri yapıldı. Diyotların sıcaklığa bağlı I-V grafiklerinin analizinden, artan sıcaklıkla engel yüksekliğinin arttığı ve idealite faktörünün azaldığı belirlendi. Schottky engel yüksekliğinin sıcaklığa bağlılığı metal-yarıiletken ara yüzeyinde oluşan engel yüksekliği homojensizliğinin üçlü Gaussian dağılımı göz önüne alınarak açıklandı. Schottky engel yüksekliğinin üçlü Gaussian dağılım parametreleri kullanılarak modifiye edilmiş Richardson grafikleri çizildi. Bu grafiklerden elde edilen Richardson sabitinin ortalama değeri Al0,20Ga0,80N için bilinen teorik 32,64 A/K2 cm2 değerine yakın olduğu görüldü.
Özet (Çeviri)
In this study, Pd/n-Al0.20Ga0.80N Schottky diodes were fabricated by using Al0.20Ga0.80N epitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on a 4H-SiC. Ohmic and Schottky contact metallization were formed by depositing Ti (22,5 nm) / Al (100 nm) and Pd (80 nm) metals on n-Al0.20Ga0.80N substrates using dc magnetic sputtering and thermal evaporation methods. The forward bias I-V characteristics were analyzed on the basis of the thermionic emission theory. The values of the ideality factor and the barrier height of the Pd/n-Al0.20Ga0.80N Schottky diodes were determined to be 1.231 ± 0.038 eV, 1.906 ± 0.057 eV, respectively. The current–voltage characteristics of Pd/n-Al0.20Ga0.80N Schottky diodes were investigated in the wide temperature range of 100 K – 310 K. It was found from the analysis of the I-V-T curves that the ideality factor decreases while the barrier height increases with increasing temperatures. The temperature dependence of the Schottky barrier height was explained by considering the existence of the three Gaussian distributions of the barrier height inhomogeneity at metal-semiconductor interface. In addition, the modified Richardson plots were used to determine experimental Richardson constants in the three temperature regions. The obtained average Richardson constant value is in close to the theoretical value of 32.64 A/K2 cm2 known for n-Al0.20Ga0.80N.
Benzer Tezler
- (Ni/Au)/Al0. 22Ga0. 78N/AlN/GaN çoklu-yapıların elektriksel karakteristiklerinin admitans spektroskopi metoduyla incelenmesi
The investigation of electrical properties of Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN hetero-structures by using admittance spectroscopy method
YASEMİN ŞAFAK ASAR
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Düşük boyutlu yarıiletken yapılarda sıcak elektronların enerji kayıp mekanizmalarının incelenmesi
An investigation of energy loss mechanism of hot electrons in low dimensional semiconductor structures
GÖKHAN ALGÜN
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÇETİN ARIKAN
- Yüksek performanslı Al(In)GaN/AlN/(In)GaN heteroeklem yapıların iletim özellikleri
Transport properties of high performance Al(In)GaN/AlN/(In)GaN heterostructures
REMZİYE TÜLEK
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ TEKE
DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN
- MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve A1GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri
Transport properties of InGaAs/GaAs and A1GaAs/GaAs semiconductors grown by MBE
SEFER BORA LİŞESİVDİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Metalurji MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- Ultrases ve sıfır yüklü metal parti̇külleri̇ (Al0 ve Mg0) i̇le ni̇tratin deni̇tri̇fi̇kasyonu
Ultrasound and zero-valent metal particles (Al0 and Mg0) for denitrification of nitrate
BURCU İLERİ
Doktora
Türkçe
2016
Çevre MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiÇevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖMER APAYDIN
PROF. DR. ÖNDER AYYILDIZ