Geri Dön

A1 / P-Si / CrNiCo schottky diyod yapısının akım iletim özellikleri ve diyot parametrelerinin tayini

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 38695
  2. Yazar: DUYGU CENGİZ
  3. Danışmanlar: PROF.DR. NECATİ YALÇIN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1995
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Erciyes Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 39

Özet

ÖZET Bu çalışmanın amacı yüksek özdirençli (p=l 150 ü cm) P-Si kristali kullanılarak yapılan Al/P-Si/CıNiCo Schottky diyot yapısının akım-iletim özellikleri inceleyerek diyot parametrelerinin tayin edilmesidir. Bunun için Norde yaklaşımı ve Cheung yöntemi kullanıldı. Klasik DC yöntemi ile elde edilen Schottky diyodun C-V karakteristiklerinden taşıyıcı yoğunluğu Na= 3,5x10 18 m"3, kristal kalınlığı d=18 um, difüzyon potansiyeli eVd=0,31 eV, boşluk engel yüksekliği etyp - 0,65 eV olarak elde edildi. Bu durumda elektronlar için hesap edilen engel yüksekliği e*j>n = 0,47 eV 'tur. Schottky diyodun I-V ölçümleri yardımı ile elde edilen Schottky çiziminden boşluk engel yüksekliği çHJjp^GoeV, doğru besleme [dV/dlnI]-I ve H(I)-I grafiklerinden ep ==0,76^ bulundu. Buna göre elektronlar için engel yüksekliği sırasıyla e*^ 0,46eV ve e^ = 0,36e V olarak elde edilir. Ayrıca diyot idealite çarpanın -1,8 ve diyot seri direnci de Rs=8kQ ve Rs = 7,2kQ olarak hesap edildi. Sonuç olarak Al/p-Si/CrNiCo Schottky diyot yapısının C-V ve I-V ölçümlerinden elde edilen diyot parametrelerinin birbiri ile yaklaşık olarak uyum içinde oldukları görüldü,

Özet (Çeviri)

VI SUMMARY The aim of this study is to search the current transport mechanisms of the Schottky diodes Al / p -Si / CrNiCo and determine the parameters of the diodes made of p-type Si having a high resistivity (p=1150 £2cm) and cut [111] direction. Therefore Norde theory and Cheung's Method has been used. Classical DC methods, from the C - V characteristics of the Schottky diode structure, the majority carrier density Na = 3,5 10 ^ m "3, the crystal thickness d = 18 (im; difliıssion potential eVj = 0,31 eV and hole barrier height eta) = 0,65 eV were found. In this case, calculated the barrier height for electons, e^n = 0,47 eV. By using I- V mesuring of the Schottky diode, eta = 0,66 eV was found from Schottky drawing and ep = 0,76 eV, from reserve bias [dV /din I] - 1 and H(I) - 1 plots. Hence, obtain the barrier heights of the electons are etaj = 0,46 eV nd e^ = 0,36 eV. In addition; the diode ideality factor and series resistance obtined as n = 1,8 and Rs = 8 k£2, Rs = 7,2 kQ. As results, the measured values from I - V and C - V characteristics of the Al / p- Si/ CrNiCo Schottky diode Structure are in agreement with each ether.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    131578

    Hidrostatik basınç altında metal/p-Si schottky diyotların elektriksel karakterizasyonu

    Electrical characterization of metal/p-Si schottky diodes under hydrostatic pressure

    GÜVEN ÇANKAYA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NAZIM UÇAR

  2. Tez No

    362822

    Renal osteodistrofi

    Başlık çevirisi yok

    MEHMET SOYDAN

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1989

    NefrolojiAnadolu Üniversitesi

    İç Hastalıkları Ana Bilim Dalı

  3. Tez No

    10026

    Tip-II diabette insülin ve oral antidiabetik kullanımının serum HDL, apoprotein A1 ve apoprotein B seviyelerine etkisi

    Başlık çevirisi yok

    MEHMET ÇİFTÇİOĞLU

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1990

    Endokrinoloji ve Metabolizma HastalıklarıErciyes Üniversitesi

    İç Hastalıkları Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. M. YÜCESOY

  4. Tez No

    75052

    Otomotiv sektörü için AI-Si-Fe-x alaşımlarının geliştirilmesi

    Başlık çevirisi yok

    NECİP ÜNLÜ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİYAZİ ERUSLU

  5. Tez No

    648874

    Erişkin eklem dışı distal tibia kırıklarının cerrahi tedavisinde uygulanan minimal invazif medial ve anterolateral plak ile osteosentezin klinik ve radyolojik sonuçlarının karşılaştırılması

    A comparison of the clinical and radiological results between minimal invasive medial and anterolateral plate osteosynthesis in extraarticular distal tibial fractures

    TUNA KOÇOĞLU

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Ortopedi ve TravmatolojiSağlık Bilimleri Üniversitesi

    Ortopedi ve Travmatoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEMİL KAYALI

Geri Dön