A1 / P-Si / CrNiCo schottky diyod yapısının akım iletim özellikleri ve diyot parametrelerinin tayini
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 38695
- Danışmanlar: PROF.DR. NECATİ YALÇIN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1995
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erciyes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 39
Özet
ÖZET Bu çalışmanın amacı yüksek özdirençli (p=l 150 ü cm) P-Si kristali kullanılarak yapılan Al/P-Si/CıNiCo Schottky diyot yapısının akım-iletim özellikleri inceleyerek diyot parametrelerinin tayin edilmesidir. Bunun için Norde yaklaşımı ve Cheung yöntemi kullanıldı. Klasik DC yöntemi ile elde edilen Schottky diyodun C-V karakteristiklerinden taşıyıcı yoğunluğu Na= 3,5x10 18 m"3, kristal kalınlığı d=18 um, difüzyon potansiyeli eVd=0,31 eV, boşluk engel yüksekliği etyp - 0,65 eV olarak elde edildi. Bu durumda elektronlar için hesap edilen engel yüksekliği e*j>n = 0,47 eV 'tur. Schottky diyodun I-V ölçümleri yardımı ile elde edilen Schottky çiziminden boşluk engel yüksekliği çHJjp^GoeV, doğru besleme [dV/dlnI]-I ve H(I)-I grafiklerinden ep ==0,76^ bulundu. Buna göre elektronlar için engel yüksekliği sırasıyla e*^ 0,46eV ve e^ = 0,36e V olarak elde edilir. Ayrıca diyot idealite çarpanın -1,8 ve diyot seri direnci de Rs=8kQ ve Rs = 7,2kQ olarak hesap edildi. Sonuç olarak Al/p-Si/CrNiCo Schottky diyot yapısının C-V ve I-V ölçümlerinden elde edilen diyot parametrelerinin birbiri ile yaklaşık olarak uyum içinde oldukları görüldü,
Özet (Çeviri)
VI SUMMARY The aim of this study is to search the current transport mechanisms of the Schottky diodes Al / p -Si / CrNiCo and determine the parameters of the diodes made of p-type Si having a high resistivity (p=1150 £2cm) and cut [111] direction. Therefore Norde theory and Cheung's Method has been used. Classical DC methods, from the C - V characteristics of the Schottky diode structure, the majority carrier density Na = 3,5 10 ^ m "3, the crystal thickness d = 18 (im; difliıssion potential eVj = 0,31 eV and hole barrier height eta) = 0,65 eV were found. In this case, calculated the barrier height for electons, e^n = 0,47 eV. By using I- V mesuring of the Schottky diode, eta = 0,66 eV was found from Schottky drawing and ep = 0,76 eV, from reserve bias [dV /din I] - 1 and H(I) - 1 plots. Hence, obtain the barrier heights of the electons are etaj = 0,46 eV nd e^ = 0,36 eV. In addition; the diode ideality factor and series resistance obtined as n = 1,8 and Rs = 8 k£2, Rs = 7,2 kQ. As results, the measured values from I - V and C - V characteristics of the Al / p- Si/ CrNiCo Schottky diode Structure are in agreement with each ether.
Benzer Tezler
- Hidrostatik basınç altında metal/p-Si schottky diyotların elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of metal/p-Si schottky diodes under hydrostatic pressure
GÜVEN ÇANKAYA
Doktora
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NAZIM UÇAR
- Ege Bölgesindeki bir Türk popülasyonunda retromolar kanal prevelansının ve özelliklerinin konik ışınlı bilgisayarlı tomografi kullanılarak retrospektif olarak incelenmesi
A retrospective investigation of the prevention and features of retromolar canal in a Turkish population in the Aegean Region using cone beam computerized tomography
FATOŞ CAN
Diş Hekimliği Uzmanlık
Türkçe
2025
Diş Hekimliğiİzmir Katip Çelebi ÜniversitesiAğız, Diş ve Çene Radyolojisi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EMRE AYTUĞAR
- Tip-II diabette insülin ve oral antidiabetik kullanımının serum HDL, apoprotein A1 ve apoprotein B seviyelerine etkisi
Başlık çevirisi yok
MEHMET ÇİFTÇİOĞLU
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
1990
Endokrinoloji ve Metabolizma HastalıklarıErciyes Üniversitesiİç Hastalıkları Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. M. YÜCESOY