Grafen alan etkili transistörlerde litografik kalıntıların SERS yöntemiyle incelenmesi
Investigation of lithographic residues by SERS method at graphene field effect transistors
- Tez No: 390405
- Danışmanlar: DOÇ. DR. HİDAYET ÇETİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Grafen, Litografi, Fotorezist, Mobilite, SERS, Graphene, Lithography, Photoresist, Mobility, SERS
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Bozok Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 97
Özet
Grafen ile devre elemanı üretiminde litografik süreçlerden kalma yabancı atomlar veya moleküllerin grafen yüzeyinde bulunabileceği düşünülmektedir. Özellikle fotorezist kalıntıları yüksek verimle çalışacak grafen devre elemanlarının verimleri açısından en büyük sınırlayıcı etken olarak ortaya çıkmaktadır. Teorik olarak grafenin elektron mobilitesinin 200,000 cm2/V.s civarında olması ve deneysel olarak elde edilen mobilite değerlerinin yalnızca birkaç bin cm2/V.s düzeyinde kalması bu problemi daha önemli hale getirmektedir. Literatürdeki bu problemden yola çıkarak bu tez çalışmasında grafen yüzeyinde kalan ancak optik litografi esnasında görülemeyen bu kalıntılar yüzey zenginleştirilmiş raman spektroskopisi (SERS) yöntemi gibi hassaslık yönünden güçlü bir yöntemle incelenmiş, yüzeyde litografik atıkların varlığı kanıtlanmıştır. Yüzeyde kalan kalıntıların optik olarak ta görünür hale getirilmesi için litografi işleminden geçmiş yüzeyler ultraviyole ışık altında oksijen ve hidrojen gazlarına maruz bırakılmıştır. Bu iki işlem sonucunda yüzeydeki kalıntıların yalnızca SERS yöntemi ile değil optik olarak ta görünür hale geldiği tespit edilmiştir. Ayrıca litografi işlemleri esnasında resist kalıntılarını en aza indirecek resist çözücüsü araştırılmış ve uygun çözücü saptanmıştır. Tüm bu süreçlerde değişik çözücüler kullanılarak lift-off işlemleri gerçekleştirilmiş ve üretilen numuneler elektriksel karakteristikler açısından da birbirleri ile mukayese edilmiştir.
Özet (Çeviri)
It is thought that foreign atoms or molecules which are produced by lithographic process can stay on graphene surface in the fabrication process of circuit elements which are made from graphene. In particular, photoresist residues are emerging as the biggest limiting factor of efficiency of graphene based circuit elements which can operate with theoretically calculated 200,000 cm2/Vs electron mobility. Furthermore, only a few thousand cm2/Vs experimentally obtained mobility values make this problem more important. In this thesis, our motivation source is lithographic residue problem which is often mentioned in the literature and litographic residues which are remain but cannot be observed by optical microscopy on the graphene surface are investigated and proven the existance of residues by a powerful method in terms of quality as the SERS. It is found that when lift-off applied surfaces exposed to oxygen or hydrogen gas under ultraviolet light, the procedure makes residues optical visible. Furthermore, a resist-solvent which can reduce litographic residues is investigated and found. At the all processes, different solvents are used and lift-off process is performed. The fabricated samples are compared with each other in terms of electrical characteristics.
Benzer Tezler
- Kompozit tabanlı alan etkili transistör tasarımı ve dokunsal algılama uygulaması
Composite based field effect transistor design and tactile sensing application
İBRAHİM BOZYEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. DİNÇER GÖKCEN
- Düşük güçlü ve gerilimli transistörler kullanarak lojik devre tasarımı
Logic circuit design using low power and voltage transistors
RECEP EMİR
Doktora
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEZAİ ALPER TEKİN
- Grafen tabanlı alan etkili transistörler
Graphene based field-effect transistors
MERVE AKIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiNecmettin Erbakan ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET AKİF ERİŞMİŞ
- Grafen tabanlı analog devre tasarımı
Graphene based analog circuit design
NİHAT AKKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BURCU ERKMEN
- Grafen esaslı elektronik devre elemanlarının elektriksel karakteristiklerinin incelenmesi
Investigation of electrical characteristics of graphene based field effect transistors
BEHİYE BOYARBAY KANTAR
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
PROF. DR. HİDAYET ÇETİN