MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve A1GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri
Transport properties of InGaAs/GaAs and A1GaAs/GaAs semiconductors grown by MBE
- Tez No: 165915
- Danışmanlar: DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Metalurji Mühendisliği, Metallurgical Engineering
- Anahtar Kelimeler: MBE, InGaAs/GaAs, AlGaAs/GaAs, Hail Mobilitesi, QMSA, uzay-yükü, metal presipitat, 2DEG, MBE, InGaAs/GaAs, AlGaAs/GaAs, Hall Mobility, QMSA, electron transport, magnetoresistivity Page Number : 98 Adviser : Assoc. Prof. Mehmet KASAP
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Ill MBE TEKNİĞİ İLE BÜYÜTÜLEN InGaAs/GaAs VE AlGaAs/GaAs YARIİLETKENLERİNİN İLETİM ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Sefer Bora LİŞESİVDİN GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Temmuz 2005 ÖZET Bu çalışmada MBE tekniği ile büyütülen Ino,24Ga0,76As/GaAs ve Al0,15Ga0,85As/GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri incelendi. Özdirenç ve Hail etkisi ölçümleri 15-350 K sıcaklık ve 0-1.5 T manyetik alan aralığında yapıldı. Ölçümler neticesinde, Hail mobilitesinin, incelenen sıcaklık aralığında çok düşük değerlere sahip olduğu görüldü (MH= 10~70 cm2/V.s.). Manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hail katsayının QMSA tekniğinde kullanılmasıyla mobilite spektrumları elde edildi. QMSA sonucunda, elektriksel iletimin çoklu taşıyıcılar (elektron ve deşikler) sayesinde olduğu ve her sıcaklıkta elektron-deşik çiftlerinin oluştuğu bulundu. Sıcaklık bağımlı Hail mobilitesi, uzay-yükü saçılma mekanizması ile analiz edildi ve NgA ~ (T/N)-1/3 bağımlılığı bulundu. Ölçümler ve analizler, In0,24Ga0,76As/GaAs ve Al0,15Ga0,85sAs/GaAs yarıiletkenlerinde iletim özelliklerinin uzay-yükü saçılması ve safsızlık bandı iletimi ile olduğunu gösterdi. Her iki numune için de, alıcı ve verici safsızlık enerji seviyelerini içeren bir bant modeli önerildi. Bilim Kodu : 404.05.01
Özet (Çeviri)
IV TRANSPORT PROPERTIES OF InGaAs/GaAs AND AlGaAs/GaAs SEMICONDUCTORS GROWN BY MBE (M.Sc. Thesis) Sefer Bora LISESIVDIN GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY July 2005 ABSTRACT In this work, transport properties of In0,24Ga0,76As/GaAs and Al0,15Ga0,85As/GaAs semiconductors grown by MBE were investigated. Resistivity and Hall effect measurements were taken between 15-350 K and 0- 1.5 T. According to measurements, Hall mobility was seen to had very low values in the investigated temperature range (MH=10~70cm2/V.s.). Mobility spectrums were obtained using the magnetic field dependent resistivity and Hall coefficient data in QMSA technique. QMSA showed that the transport properties was controlled by multiple carriers (electrons and holes), and electron-hole couples were formed at all temperatures. Temperature dependent Hall mobility was analyzed using the space-charge scatterring mechanism and a dependence of NgA ~ (T/N)-1/3 was found. The measurements and analysises showed that the transport properties of In0,24Ga0,76As/GaAs and Al0,15Ga0,85As/GaAs semiconductors were due to the space-charge scattering and impurity band transport. For both samples, a band model including an acceptor and donor energy levels was also suggested. Science Code : 404.05.01
Benzer Tezler
- GaAs-AlxGa1-xAs heteroyapı ve çoklu kuantum kuyu IR fotodedektörün elektro-optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the electro-optic features of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructure and multiple quantum well IR photodetector
ASLAN TÜRKOĞLU
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Kuantum noktaları temelli bellek aygıtlar
Memory devices based on quantum dots
NAMIK AKÇAY
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NURTEN ÖNCAN
- AlxGa1-xAs/GaAs nanoyapılarının kimyasal aşındırma yöntemi ile incelenmesi
Examination of AlxGa1-xAs/GaAs nanostructures with chemical etching method
YUSUF ALPER ULU
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TOFİG MAMMADOV
- İki eklemli GaxIn1-xP/GaAs güneş hücrelerinin tasarımı, epitaksiyel büyütülmeleri ve hücre fabrikasyonu
Desing, epitaxial growth and cell fabrication of GaxIn1-xP/GaAs dual junction solar cells
TUĞÇE ATAŞER
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN ZEYBEK
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Fabrication and characterization of GaInP/InGuAs/GuAs modulation doped field effect transistors
GaInP/InGuits/GuAs modüle katkılı alan etkili transistörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
TOLGA YALÇIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ