Geri Dön

MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve A1GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri

Transport properties of InGaAs/GaAs and A1GaAs/GaAs semiconductors grown by MBE

  1. Tez No: 165915
  2. Yazar: SEFER BORA LİŞESİVDİN
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. MEHMET KASAP
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Metalurji Mühendisliği, Metallurgical Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: MBE, InGaAs/GaAs, AlGaAs/GaAs, Hail Mobilitesi, QMSA, uzay-yükü, metal presipitat, 2DEG
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 116

Özet

Ill MBE TEKNİĞİ İLE BÜYÜTÜLEN InGaAs/GaAs VE AlGaAs/GaAs YARIİLETKENLERİNİN İLETİM ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Sefer Bora LİŞESİVDİN GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Temmuz 2005 ÖZET Bu çalışmada MBE tekniği ile büyütülen Ino,24Ga0,76As/GaAs ve Al0,15Ga0,85As/GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri incelendi. Özdirenç ve Hail etkisi ölçümleri 15-350 K sıcaklık ve 0-1.5 T manyetik alan aralığında yapıldı. Ölçümler neticesinde, Hail mobilitesinin, incelenen sıcaklık aralığında çok düşük değerlere sahip olduğu görüldü (MH= 10~70 cm2/V.s.). Manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hail katsayının QMSA tekniğinde kullanılmasıyla mobilite spektrumları elde edildi. QMSA sonucunda, elektriksel iletimin çoklu taşıyıcılar (elektron ve deşikler) sayesinde olduğu ve her sıcaklıkta elektron-deşik çiftlerinin oluştuğu bulundu. Sıcaklık bağımlı Hail mobilitesi, uzay-yükü saçılma mekanizması ile analiz edildi ve NgA ~ (T/N)-1/3 bağımlılığı bulundu. Ölçümler ve analizler, In0,24Ga0,76As/GaAs ve Al0,15Ga0,85sAs/GaAs yarıiletkenlerinde iletim özelliklerinin uzay-yükü saçılması ve safsızlık bandı iletimi ile olduğunu gösterdi. Her iki numune için de, alıcı ve verici safsızlık enerji seviyelerini içeren bir bant modeli önerildi. Bilim Kodu : 404.05.01

Özet (Çeviri)

IV TRANSPORT PROPERTIES OF InGaAs/GaAs AND AlGaAs/GaAs SEMICONDUCTORS GROWN BY MBE (M.Sc. Thesis) Sefer Bora LISESIVDIN GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY July 2005 ABSTRACT In this work, transport properties of In0,24Ga0,76As/GaAs and Al0,15Ga0,85As/GaAs semiconductors grown by MBE were investigated. Resistivity and Hall effect measurements were taken between 15-350 K and 0- 1.5 T. According to measurements, Hall mobility was seen to had very low values in the investigated temperature range (MH=10~70cm2/V.s.). Mobility spectrums were obtained using the magnetic field dependent resistivity and Hall coefficient data in QMSA technique. QMSA showed that the transport properties was controlled by multiple carriers (electrons and holes), and electron-hole couples were formed at all temperatures. Temperature dependent Hall mobility was analyzed using the space-charge scatterring mechanism and a dependence of NgA ~ (T/N)-1/3 was found. The measurements and analysises showed that the transport properties of In0,24Ga0,76As/GaAs and Al0,15Ga0,85As/GaAs semiconductors were due to the space-charge scattering and impurity band transport. For both samples, a band model including an acceptor and donor energy levels was also suggested. Science Code : 404.05.01 Key Words : MBE, InGaAs/GaAs, AlGaAs/GaAs, Hall Mobility, QMSA, electron transport, magnetoresistivity Page Number : 98 Adviser : Assoc. Prof. Mehmet KASAP

Benzer Tezler

  1. Tez No

    673285

    Electrıcal characterısatıon of InGaAs/GaAs quantum well and graphene semıconductor structures

    InGaAs/GaAs kuantum kuyusu ve grafen yarıiletken yapıların elektriksel karakterizasyonu

    ADAL. AB. MA. RAJHI ADAL. AB. MA. RAJHI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYŞE EROL

  2. Tez No

    360634

    InGaAs/GaAs süperörgü yapılarının moleküler demet epitaksi (MBE) tekniğiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization of InGaAs / GaAs super lattice structures grown via molecular beam epitaxy (MBE)

    HALİL İBRAHİM EFKERE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    YRD. DOÇ. DR. TUNCAY KARAASLAN

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

  3. Tez No

    368772

    Molecular beam epitaxy growth of InP/InGaAs structures for short wavelength infrared photodetectors

    InP/InGaAs yapılarının kısa dalgaboyu kızılötesi fotodedektörler için moleküler ışın epitaksisi tekniği ile büyütülmesi

    OĞUZHAN TEMEL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ

    PROF. DR. MEHMET PARLAK

  4. Tez No

    619827

    Identification and characterization of traps in InGaAs short wavelength infrared photodetectors by deep level transient spectroscopy

    InGaAs kısa dalgaboyu kızılötesi fotodedektörlerdeki tuzakların derin seviye geçici spektroskopi yöntemiyle belirlenmesi ve karakterizasyonu

    NARDIN AVISHAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ

  5. Tez No

    212777

    AlxGa1-xAs/GaAs nanoyapılarının kimyasal aşındırma yöntemi ile incelenmesi

    Examination of AlxGa1-xAs/GaAs nanostructures with chemical etching method

    YUSUF ALPER ULU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TOFİG MAMMADOV

Geri Dön