Geri Dön

Formation and functionalization of boron phosphide monolayers

Tek atomik katmanlı boron fosfor yapılarının oluşturulması ve işlevselleştirilmesi

  1. Tez No: 406412
  2. Yazar: LÜTFİYE HALLIOĞLU
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ENGİN DURGUN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Kimya, Science and Technology, Physics and Physics Engineering, Chemistry
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 66

Özet

2-boyutlu(2B) ve tek katmanlı grafenin sentezlenmesi ile elde edilen üstün özellikler, benzer malzemeler üzerinde araştırmaları yoğunlaştırmıştır. İnce-film büyütme ve karakterizasyonundaki gelişmeleri takiben, gerek katmanlı gerekse katmanlı olmayan 2B malzemeler (ard arda) sentezlendi. Yapısal olarak kararlı ve bal peteği örgüsüne sahip bir 2B yapı olan h-BN, en çok dikkat çeken malzemelerden biri olmuştur. h-BN elektriksel olarak yalıtkan olup, termal olarak iletkendir. 2B malzemelerin katkılamaya ve adsorpsiyona çok elverişli olmaları, elektriksel ve yapısal ̈ozelliklerinin geniş çapta değiştirilebilmesine olanak sağlamaktadır. Bu çalışmamızda 2B ve tek katman BN yapısını, değişen oranlarda fosfor atomu ile katkılayarak, sistemdeki yapısal ve elektronik değişimleri ab-initio method kullanarak inceledik ve tüm P atomları N atomlarının yerine geçtiğinde 2B Boron Fosfor (BP) elde edildiğini bulduk. Yapısal olarak, düzlemsel bir ̈orgüye sahip olan BN, P atomu ile katkılandığında düzlemsel yapısını kaybederek burgulu bir yapıya kavuşur. Katkılanan P atomu konsantrasyonu arttıkça BN yapısının burulma miktarı artar, ancak daha sonra (%75'ten sonra), bu burulma miktarı azalır ve nihayetinde BN, tamamen düzlemsel BP'ye dönüşmüş olur. Tüm N atomları P ile yer değiştirildiğinde elde edilen BP yapısının da yapısal olarak kararlı bir yapı olduğu sonucuna vardık. 2B BP deneysel olarak elde edilmemiş olsa da yapmış olduğumuz yüksek sıcaklık moleküler dinamik ve fonon hesaplamaları normal deneysel koşullarda bu yapının yapısal kararlılıgını koruyabildiğini gostermiştir. Elektronik yapı analiz edildiğinde, BN yüksek bant aralıklı bir yalıtkan iken tek tabakalı BP yaklaşık direkt ~1.3 eV bant aralığına sahip bir yarı iletkendir. P katkılaması ile bant aralığı kontrol edilebilir şekilde değiştirilen yalıtkan yarı iletken geçişi mümkün olmaktadır. Yaptığımız çalışmalar sonucunda kararlı olduğunu bulduğumuz hekzagonal BP (h-BP)'ye Grup III-IV-V atomlarının katkılanması ve adsorpsiyonu ile oluşan yapısal ve elektriksel özelliklerdeki değişimi inceledik. Yapısal olarak yeni bir faz olan Dumbbell fazı, h-BP'nin adsorpsiyonu sırasında kilit role sahip olup ekzotermik olarak oluşmaktadır. Bu adsorpsiyon, safsızlık atomu karakteristiğine sahip atomlar sayesinde tek tabaka BP yi küçük bant aralıklı yarı iletkene dönüştürür. Al ve Ga atomları hariç eklenen atomlarla, makul sıcaklıklarda, bu alaşımlara küçük de olsa magnetik özellik kazandırılabilir. Adsorpsiyona ek olarak, Grup III-IV-V atomlarıyla tek katmanlı BP'nin katkılanması da çalışıldı. Çalışmalarımız C ve N atomlarının, deney koşullarına bağlı olarak, P atomlarının yerine katkılanabilece ğini göstermiştir. Bununla birlikte, N atomları katkılamada P atomlarını tercih ederken C atomları hem B hem de P atomları yerine katkılanabilmektedir. C atomlarının B/P atomlarının yerine katkılanması sonucu katkılanan sistem metalik özellikler kazanırken, N atomlarının P yerine katkılanması sonucu sistem direkt bant aralıklı yarı-iletkenliğini korur. Katkılama sonucu hiçbir atom sisteme magnetik özellik kazandırmamıştır. Yoğunluk Fonksiyonel Teori(YFT)'ye dayanan, son teknoloji bilgisayar hesaplamaları kullanarak P-katkılanmış h-BN and katkılanmış tek katmanlı boron fosforun yapısal ve elektriksel özellikleri incelendi.

Özet (Çeviri)

Since the synthesis of graphene with its unique properties has increased the focus on novel two dimensional (2D) materials, successively new 2D materials from either layered or non-layered materials have been synthesized following the advances in thin film growth and characterization techniques. Hexagonal boron nitride (h-BN) is the runner-up material, which is structurally stable in hexagonal honeycomb form. h-BN is an insulator whereas, it is a good thermal conductor. However, the electronic and structural properties of these 2D materials are very susceptible to doping and adsorption, as such, these properties can be altered extensively. Therefore, we have examined the phosphorization of h-BN with varying concentrations, which leads to stable 2D boron phosphide at the ultimate limit. The lattice constant of the BN16−xPx alloy have been found to increase with increasing x. The planar geometry of h-BN is deformed and alloy turns into buckled structure until x > 0.75 (corresponding to (75% P) concentration). Beyond this point, planarity is recovered and planar monolayer h-BP achieved when all N atoms are replaced with P. Although 2D BP has not been synthesized yet, phonon spectrum analysis and high temperature molecular dynamics calculations indicate the stability of the system. Interestingly, while h-BN is an insulator, h-BP is semiconductor with 1.3 eV direct band gap. Owing to decreasing of electronic band gap with increasing x, it is possible to tune the band gap of BN16−xPx alloy, allowing various device applications in nanoelectronics. After proving of the stability of h-BP in monolayer form, we have elucidated the effect of doping and adsorption on electronic and structural properties of monolayer BP with selected atoms from Group III-IV-V atoms. The Dumbbell phase has been found to play a key role to stabilize the monolayer BP upon adsorption, suggesting full coverage of the monolayer BP surface. Evenmore, this new phase forms exothermically. Adsorption also leaves monolayer BP as small gap semiconductor with impurity characteristics of adsorbants. Also, we have shown that except for Al and Ga, these impurity adatoms carry small amount of magnetic moment in moderate temperatures. In addition, we have studied the substitution of monolayer BP with Group III-IV-V atoms. Based on our calculations, we have found that C and N can substitute P atom under ambient conditions. Nonetheless, only N atom selectively substitute for P atom, whereas C atom substitutes both for B and P giving rise to possible chemical etching of monolayer BP in the presence of excess C atom. Substitution of C for B/P results in metallic state in monolayer BP, while substitution of N for P leaves monolayer BP direct gap semiconductor. It is also found that none of these substitutions makes substrate magnetic. Using state-of-the-art computational tools based on the Density Functional Theory(DFT), we have calculated the structural and electronic properties of phosphorization of monolayer h-BN and doped monolayer h-BP.

Benzer Tezler

  1. Investigation of new polymorphs of borophene and their functionalization

    Borofenin yeni polimorflarının araştırılması ve fonksiyonelleştirilmesi

    JAMOLIDDIN KHANIFAEV

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    Assist. Prof. Dr. ENGİN DURGUN

  2. Synthesis and applications of aza-BODIPY derivatives with benzoic acid functional groups

    Benzoik asit fonksiyonel grupları içeren aza-BODIPY türevlerinin sentezi ve uygulaması

    SAADET ELİF DURAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET GÜL

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ŞENNUR ÖZÇELİK

  3. Covalent and non-covalent functionalization of graphene for application in catalysis and device technology: A first principles computational study

    Kataliz ve cihaz teknolojisi uygulamaları için grafenin kovalent ve kovalent olmayan şekilde işlevselleştirilmesi: İlk-ilkeler hesaplama çalışması

    TUĞÇE İRFAN AKAY

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HANDE TOFFOLİ

    DOÇ. DR. BURCU AKATA KURÇ

  4. Ftalosiyanin-kuantum dot konjugatların eldesi ve elektrokimyasal uygulamaları

    Phthalocyanine and heteroatom‐doped carbon quantum dots conjugate: synthesis and electrochemical investigation

    BAŞAK GİZEM KARAHAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İBRAHİM ÖZÇEŞMECİ

  5. Silika nanopartiküllerin sentezi, fonksiyonlandırılması ve insan prostat kanseri hücreleri üzerine sitotoksik etkilerinin incelenmesi

    Synthesis and functionalization of silica nanoparticles, and investigation of their cytotoxic effects on human prostate cancer cells

    İREM MUKADDES DURMUŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    BiyokimyaSelçuk Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SERDAR KARAKURT