Geri Dön

Katkılı yarı iletken nanotellerin yapısal ve elektronik özelliklerinin teorik olarak incelenmesi

Theoretical investigation of structural and electronic properties of doped semiconductor nanowires

  1. Tez No: 423864
  2. Yazar: SENA GÜLER ÖZKAPI
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEYFETTİN DALGIÇ
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2016
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Trakya Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 79

Özet

Bu tezde, Zinc blende yapıdaki BN yarıiletkeninin bulk ve (001) yönü boyunca uzanan farklı çaplardaki nanotellerinin yapısal ve elektronik özellikleri Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi'ne dayanan Düzlem Dalga Öz Uyum Alan (PWSCF) programı kullanılarak incelenmiştir. BN yarıiletkeninden oluşturulan 0.72 nm, 0.92 nm ve 1.45 nm olmak üzere üç farklı çapta modellenen nanotellerin merkez atomu yerine Cr ve Mn atomları katkılanarak elektronik özellikleri araştırılmıştır. Cr ve Mn katkısının, nanotellerin bant aralığının daralmasına ve iletkenliğin artmasına neden olduğu belirlenmiştir. Spin polarize durumlar incelendiğinde 0.92 nm çaplı Cr katkılı BN nanotelinin toplam durum yoğunluğunun spin yukarı ve spin aşağı durumları simetrik bir yapı göstermektedir. Bununla beraber, diğer tüm nanotellerin toplam durum yoğunluklarından antisimetrik yapı elde edilmiştir.

Özet (Çeviri)

In this thesis, structural and electronic properties of bulk structure of BN semiconductor in Zinc blende and nanowires with different diameter in the (001) direction have been examined by using Plane Wave Self Consistent Field (PWSCF) based on Density Functional Theory. The electronic properties of BN semiconductor nanowires with different diameter 0.72 nm, 0.92 nm and 1.45 nm have been investigated by substitutioning centre atom of these nanowires with either Cr or Mn atoms. Substitution of Cr and Mn, the nanowires is determined that the band gap narrowing and cause increased conductivity. In the analysis of spin polarized states, it is observed that in 0.92 nm diameter Cr doped BN nanowire, spin up and spin down states show symmetric structure. However, for all other nanowires antisymmetric structure has been obtained from the total density of states.

Benzer Tezler

  1. Hydrothermal growth of ZnO nanowires enhanced characteristic properties

    ZnO nanotellerin karakteristik özellikleri iyileştirilerek hidrotermal olarak büyütülmesi

    ÜMÜŞ HALE TUĞRAL ARSLAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CÜNEYT ARSLAN

    PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN

  2. Karbon nanotüplerin elektronik yapısına sıcaklığın etkisi

    Electronic struktures of carbon nanotübes (SWCNT)

    AİJAMAL MURZAKASYMOVA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. GÜLAY DERELİ

  3. Titanyum dioksit nanotüplerin fotoelektrokimyasal etkinliklerinin incelenmesi

    Investigation of the photoelectrochemical activity of titanium dioxide nanotubes

    İLKNUR KÜTÜKÇÜ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Enerjiİstanbul Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSMAİL BOZ

  4. Metal iyonları ilaveli nanotüp tio2 fotokatalizörlerinin kesikli reaktörde fotokatalitik aktivitelerinin incelenmesi

    Investigation of photocatalytic activities of metal ions doped tio2 nanotube in the batch reactor

    HAKAN KIZILTAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Kimya MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TANER TEKİN

  5. Fabrication of junctionless silicon nanowire transistors via mix and match patterning based on field emission scanning probe lithography

    Alan-salımlı tarama probu litografisine dayalı karıştır ve eşleştir modelleme ile bağlantısız silisyum nanotel transistörlerin üretimi

    MERT ÖZDEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Makine MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BURHANETTİN ERDEM ALACA