Geri Dön

GaAs ve Si yarı iletkenlerinin etkin atom numarası ve kütle soğurma katsayısının yönelime bağlı ölçümü

GaAs and Si semiconductors effective atomic number and orientation depending on the measurement of the mass aborption coefficient

  1. Tez No: 431076
  2. Yazar: BURAK CERAH
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ŞAHİN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2016
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 43

Özet

Bu çalışmada özellikle teknolojide çok kullanılan yarı iletkenlerden olan GaAs ve Si kristallerinin kütle soğurma katsayısı, toplam tesir kesiti ve elektron yoğunlukları ölçülmüştür. Özellikle GaAs kristali için etkin atom numarasında deney ve teori arasında bir farkın olduğu görülmüştür. Bu fark küçük gözükse de uygulamada önemlidir.

Özet (Çeviri)

In this study, the mass absorption coefficient and the total cross section of the electron density were measured of GaAs and Si semiconductors, materials which are of technological importance. A difference was determined between theory and experiamental values, especially for GaAs crystals and its effective atomic number. Although this difference was small, it has important implications in pratice.

Benzer Tezler

  1. Kinetik taşınma teorisini kullanarak yarı iletkenlerin bazı özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of some properties of semiconductors using kinetic transport theory

    ADEM AKKUŞ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSKENDER ASKEROĞLU

  2. Seyreltik manyetik yarı iletken malzemelerin sentezlenmesi ve karakterizasyonu

    The characterizating and synthesizing of dilute magnetic semiconductor materials

    BAYRAM YEŞİLBAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. CİHAT BOYRAZ

  3. III-V yarı iletkenlerinin yüzey özellikleri

    Surface properties of III-V semiconductors

    EMRE ERSİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BÜLENT KUTLU

  4. Development of thin film GaAs p-i-n solar cells peeled-off from Si substrates

    p-i-n yapıda GaAs tabanlı esnek ince film güneş hücrelerinin Si alttaşlar üzerinden geliştirilmesi

    FURKAN AZİM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    EnerjiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI

  5. Dış elektrik alanın bazı yarı iletkenlerin kütle soğurma katsayısına etkisi

    The effect of external electric field on mass attenuation coefficient of some semiconductors

    SERDAR YAVUZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiRize Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET ŞAHİN