III-V yarı iletkenlerinin yüzey özellikleri
Surface properties of III-V semiconductors
- Tez No: 212806
- Danışmanlar: PROF. DR. BÜLENT KUTLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 54
Özet
Bu çalısmada (1x1) Si (110) yüzeyi ve üzerine kaplanan GaAs'in yapısal ve elektronik incelemesi CASTEP yazılımı kullanılarak gerçeklestirildi. Hesaplamalarda kullanılan parametreler Si ve GaAs yığın kristallerinin sistematik optimizasyonları ile elde edildi. Parametre belirleme çalısması ardından 7 katman içeren, tabanı H ile etkisizlestirilmis, 10 Å vakum içeren (1x1) Si(110) 180 eV kesim enerjisinde geometri optimizasyonuna bırakıldı. Hesaplama sonucunda ortaya çıkan yapısal değisimler ve enerji bant diyagramı incelendi. Yedi katman Si(110) içeren yapıya, 10 Å vakum katmanı sabit kalacak sekilde 1, 2 ve 3 katman GaAs kaplandı. Geometri optimizasyonu sonrası olusan yapılanma ve enerji bant yapısı incelendi. Hesaplama sonrası enerji bant semasında 0,5 - 0,7 eV aralığında doğrudan geçisli enerji aralıkları tespit edildi. Anahtar Kelimeler : Silikon, III-V, yarıiletken, CASTEP, DFT, yüzey
Özet (Çeviri)
In this work, Structural and electronic properties of both clean and GaAs coated surfaces of (1x1) Si(110) had been investigated by using CASTEP software. Parameters which have been used in calculations investigated by making systematic series of optimizations on Si and GaAs bulk crystals. After a decision on parameters, a structure of (1x1) Si(110); which has 7 layers of silicon, a bottom layer which is passivized by hydrogens and with 10 Å vacuum region on top had been given to a geometry optimization with 180 eV of cut-off energy. Structural changes and energy band diagram had been examined by the results. By holding 10 Å vaccum region constant, 1, 2 and 3 layers of GaAs had been coated over this structure. Geometric formation and energy band diagrams had been examined after a geometry optimization calculation. After calculation, direct energy gaps had been found by values in range 0,5 - 0,7 eV Key Words : Silicon, III-V semiconductor, CASTEP, DFT, surface
Benzer Tezler
- Fındık zurufu kompostunun toprak kalitesi üzerine etkisi
The effect of adding of hazelnut husk compost on soil quality
SELAHATTİN AYGÜN
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
ZiraatOrdu ÜniversitesiToprak Bilimi ve Bitki Besleme Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYFUN AŞKIN
- Tam gömülü alt yirmi yaş dişlerinin folikül ebatları ile epidermal büyüme faktörü arasındaki ilişkinin araştırılması
Exploration of the relation between impacted inferior third molar teeth follicle dimensions and epidermal growth factor
YEŞİM ERKAN
Doktora
Türkçe
2013
Diş HekimliğiGATAAğız, Diş, Çene Hastalıkları ve Cerrahisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. Necdet DOĞAN
- İskemi/reperfüzyon hasarının önlenmesinde tadalafilin etkisi (deneysel çalışma)
İskemi̇/reperfüzyon hasarinin önlenmesi̇nde tadalafi̇li̇n etki̇si̇ (deneysel çalişma)
OĞUZ KAYIRAN
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2008
Plastik ve Rekonstrüktif CerrahiSağlık BakanlığıPlastik Rekonstrüktif ve Estetik Cerrahi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AFŞİN UYSAL
- Deneysel nazal mukozal fleplerde histopatolojik değişikliklerin ve mukosilier aktivitenin değerlendirilmesi
Evaluation of histopathologic changes and mucociliary activity in experimental nasal mucosal flaps.
ALTAY ATEŞPARE
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2003
Kulak Burun ve BoğazKocaeli ÜniversitesiKulak Burun Boğaz Ana Bilim Dalı
PROF. EMRE ÜSTÜNDAĞ
- Kontrollü hipotansif anestezi uygulanan hastalarda deksmedetomidin ve esmolol'ün hemodinami, ekstubasyona yanıt ve postoperatif etkilerinin karşılaştırılması
A comparison of the effects of esmolol and dexmedetomidine on the hemodynamics, response to extubation and postoperative hemodynamics in controlled hypotensive anaesthesia
GÜLŞAH KARAÖREN
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2006
Anestezi ve ReanimasyonSağlık BakanlığıAnesteziyoloji ve Reanimasyon Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYFUN ADANIR