III-V yarı iletkenlerinin yüzey özellikleri
Surface properties of III-V semiconductors
- Tez No: 212806
- Danışmanlar: PROF. DR. BÜLENT KUTLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 54
Özet
Bu çalısmada (1x1) Si (110) yüzeyi ve üzerine kaplanan GaAs'in yapısal ve elektronik incelemesi CASTEP yazılımı kullanılarak gerçeklestirildi. Hesaplamalarda kullanılan parametreler Si ve GaAs yığın kristallerinin sistematik optimizasyonları ile elde edildi. Parametre belirleme çalısması ardından 7 katman içeren, tabanı H ile etkisizlestirilmis, 10 Å vakum içeren (1x1) Si(110) 180 eV kesim enerjisinde geometri optimizasyonuna bırakıldı. Hesaplama sonucunda ortaya çıkan yapısal değisimler ve enerji bant diyagramı incelendi. Yedi katman Si(110) içeren yapıya, 10 Å vakum katmanı sabit kalacak sekilde 1, 2 ve 3 katman GaAs kaplandı. Geometri optimizasyonu sonrası olusan yapılanma ve enerji bant yapısı incelendi. Hesaplama sonrası enerji bant semasında 0,5 - 0,7 eV aralığında doğrudan geçisli enerji aralıkları tespit edildi. Anahtar Kelimeler : Silikon, III-V, yarıiletken, CASTEP, DFT, yüzey
Özet (Çeviri)
In this work, Structural and electronic properties of both clean and GaAs coated surfaces of (1x1) Si(110) had been investigated by using CASTEP software. Parameters which have been used in calculations investigated by making systematic series of optimizations on Si and GaAs bulk crystals. After a decision on parameters, a structure of (1x1) Si(110); which has 7 layers of silicon, a bottom layer which is passivized by hydrogens and with 10 Å vacuum region on top had been given to a geometry optimization with 180 eV of cut-off energy. Structural changes and energy band diagram had been examined by the results. By holding 10 Å vaccum region constant, 1, 2 and 3 layers of GaAs had been coated over this structure. Geometric formation and energy band diagrams had been examined after a geometry optimization calculation. After calculation, direct energy gaps had been found by values in range 0,5 - 0,7 eV Key Words : Silicon, III-V semiconductor, CASTEP, DFT, surface
Benzer Tezler
- Development of novel thermal conductive polymer nanocomposites
Yeni nesil termal iletken polimer nanokompozitlerin geliştirilmesi
ELİFTEN SEMERCİ
Doktora
İngilizce
2021
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN KIZILCAN
DOÇ. DR. TUBA ERDOĞAN BEDRİ
- Development of thin film GaAs p-i-n solar cells peeled-off from Si substrates
p-i-n yapıda GaAs tabanlı esnek ince film güneş hücrelerinin Si alttaşlar üzerinden geliştirilmesi
FURKAN AZİM
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
EnerjiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI
- GaSe, GaSe:Gd ve GaSe:In yarı iletkenlerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi
The Influence of the electric field on energy band gap of the GaSe, GaSe:Gd and GaSe:In semiconductors
ŞULE ŞİŞMAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
- III-V yarı iletkenlerinden oluşan heteroyapıların elektronik özelliklerinin yoğunluk fonksiyoneli teorisi ile incelenmesi
Density functional theory study of the electronic structure of heterostructures of III-V semiconductors
HARUN ÖZKİŞİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEYFETTİN DALGIÇ
- III-V nitrit yarıiletkenlerde yük taşınımının monte carlo simülasyonu ile incelenmesi
Investigation of particle transportation in III-V nitrite semiconductors by monte carlo simulation
MUHAMMED VEHBİ PEKTAŞ
Doktora
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA AKARSU