Geri Dön

Kinetik taşınma teorisini kullanarak yarı iletkenlerin bazı özelliklerinin incelenmesi

Investigation of some properties of semiconductors using kinetic transport theory

  1. Tez No: 700288
  2. Yazar: ADEM AKKUŞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. İSKENDER ASKEROĞLU
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Tokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 73

Özet

Bu çalışmada, genel teorik yaklaşımlardan biri olan kinetik etki teorisini kullanarak yarı iletkenlerin birçok fiziksel özellikleri incelenmiştir. Bir ve iki parametreli Fermi fonksiyonlarının analitik hesaplanması için yeni çalışmalar, yarı iletkenlerde kinetik etkilerinin ve elektron taşınım olaylarının incelenmesinde büyük rol oynamaktadır. Bir ve iki parametreli Fermi fonksiyonları üzerine literatürde yapılan yeni gelişmeler zayıf manyetik alan durumunda yarı iletkenlerin standart bölgeli enine Nernst-Ettingshausen etkisinin, Hall katsayısının ve diğer önemli özelliklerinin değerlendirilmesine imkan vermiştir. Yapılan uygulamalarda Guseinov ve Mamedov tarafından yakın zamanda bir ve iki parametreli Fermi fonksiyonları için geliştirilmiş analitik formüller kullanılmıştır. Bu çalışmanın avantajı, kinetik etki teorisinin gerçek sistemlere uygulanabilmesi için yarı iletkenlerin birçok özelliklerinin hesaplanmasına olanak sağlamasıdır. Kinetik etki teorisi kullanılarak zayıf manyetik alanda silisyum (Si) yarı iletkeninin standart bölgeli enine Nernst-Ettingshausen etkisi, elektrik direnci, Seebeck katsayısı ve galyum nitrit (GaN) yarı iletkeninin elektron konsantrasyonu ve germanyum (Ge) yarı iletkeninin Hall etkisi parametrelerin farklı değerlerinde hesaplanmıştır. Uygulanan yaklaşımın, yarı iletkenlerin birçok fiziksel özelliklerinin teorik olarak araştırılmasında çok faydalı olacağı gösterilmiştir. Ayrıca Debye yaklaşımı kullanılarak yarı iletkenlerin ısı miktarının sıcaklığa göre değişiminin hesaplaması için literatürde önerilen yeni analitik yaklaşımın uygulaması yapılmıştır. Teknolojik açıdan önemli indiyim arsenit (InAs) ve galyum arsenit (GaAs) yarı iletkenlerine uygulaması yapılmıştır. Bu çalışmadaki formüllerin etkinliğini göstermek için elde ettiğimiz sonuçlar sayısal verilerle karşılaştırılarak uyum sağladığı gösterilmiş ve güvenirliği tespit edilmiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, many physical properties of semiconductors were investigated by using the kinetic effect theory, which is one of the general theoretical approaches. New studies for analytical calculation of one and two parameter Fermi functions play a major role in the study of kinetic effects and electron transport phenomena in semiconductors. Recent developments in the literature, such as one- and two-parameter Fermi functions, have allowed the evaluation of the standard region transverse Nernst-Ettingshausen effect, Hall coefficient and other important properties of semiconductors in the case of weak magnetic field. In the applications, analytical formulas developed by Guseinov and Mamedov for one and two parameter Fermi functions have been used recently. The advantage of this work is that new developments in the application of kinetic effect theory allow the calculation of many properties of semiconductors. By using the kinetic effect theory, the standard zone transverse Nernst-Ettingshausen effect of silicon (Si) and germanium(Ge) semiconductors in weak magnetic field, electrical resistance, Hall effect and Seebeck coefficient and gallium nitride (GaN) semiconductor electron concentration were calculated at different values of parameters. It has been shown that the applied method will be very useful in the theoretical investigation of many physical properties of semiconductors. In addition, using the Debye approach, the application of the new analytical approach proposed in the literature has been made to calculate the change of the heat amount of the semiconductors according to the temperature. The approach proposed in the literature has been applied to indium arsenide (InAs) and gallium arsenide (GaAs) semiconductors. Our results were checked with numerical data to show the effectiveness of the formulas in this study.

Benzer Tezler

  1. Dynamic and aeroelastic analysis of a helicopter blade with actively controlled trailing edge flap in forward flight

    Aktif olarak kontrol edilen firar kenarı flabına sahip bir helikopter palinin ileri uçuş şartları altında dinamik ve aeroelastik incelemesi

    ÖZGE ÖZDEMİR ÖZGÜMÜŞ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Havacılık Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Uçak ve Uzay Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. METİH ORHAN KAYA

  2. Çok parçacıklı sistemlerin taşıma özelliklerinin enskog yaklaşımı ile hesaplanması ve kuantum dengesizlik durumlarının incelenmesi

    Calculation of transport properties inenskog approach and quantum nonequilibrium states of many particle systems

    NURETDİN EREN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RIZA OĞUL

  3. Trajectory planning of a six axis serial robot based on dynamic analysis

    Altı eksenli seri robotun yörüngesinin dinamik analiz tabanlı planlanması

    ŞAHİN YAVUZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Makine MühendisliğiDokuz Eylül Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Bölümü

    PROF. DR. HİRA KARAGÜLLE

  4. Evaluation of the strength of a three axis serial robot performing a task by integrated dynamic analysis

    Bir iş yapan üç eksenli seri bir robotun entegre dinamik analiz ile mukavemetinin değerlendirilmesi

    ARMİN AMİNDARİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Makine MühendisliğiDokuz Eylül Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Bölümü

    PROF. DR. HİRA KARAGÜLLE

  5. Vibration analysis of a rotating double tapered euler-bernoulli beam featuring bending–bending-torsion coupled using finite element method

    Egilme-egilme-burulma etkileşime maruz kalan iki eksende daralan bir euler bernoullı kirişin doğal frekansının sonlu elemanlar yöntemiyle incelenmesi

    YUNUS EMRE COŞKUN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Uçak Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Uçak ve Uzay Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ÖZGE ÖZDEMİR