Kinetik taşınma teorisini kullanarak yarı iletkenlerin bazı özelliklerinin incelenmesi
Investigation of some properties of semiconductors using kinetic transport theory
- Tez No: 700288
- Danışmanlar: PROF. DR. İSKENDER ASKEROĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Tokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 73
Özet
Bu çalışmada, genel teorik yaklaşımlardan biri olan kinetik etki teorisini kullanarak yarı iletkenlerin birçok fiziksel özellikleri incelenmiştir. Bir ve iki parametreli Fermi fonksiyonlarının analitik hesaplanması için yeni çalışmalar, yarı iletkenlerde kinetik etkilerinin ve elektron taşınım olaylarının incelenmesinde büyük rol oynamaktadır. Bir ve iki parametreli Fermi fonksiyonları üzerine literatürde yapılan yeni gelişmeler zayıf manyetik alan durumunda yarı iletkenlerin standart bölgeli enine Nernst-Ettingshausen etkisinin, Hall katsayısının ve diğer önemli özelliklerinin değerlendirilmesine imkan vermiştir. Yapılan uygulamalarda Guseinov ve Mamedov tarafından yakın zamanda bir ve iki parametreli Fermi fonksiyonları için geliştirilmiş analitik formüller kullanılmıştır. Bu çalışmanın avantajı, kinetik etki teorisinin gerçek sistemlere uygulanabilmesi için yarı iletkenlerin birçok özelliklerinin hesaplanmasına olanak sağlamasıdır. Kinetik etki teorisi kullanılarak zayıf manyetik alanda silisyum (Si) yarı iletkeninin standart bölgeli enine Nernst-Ettingshausen etkisi, elektrik direnci, Seebeck katsayısı ve galyum nitrit (GaN) yarı iletkeninin elektron konsantrasyonu ve germanyum (Ge) yarı iletkeninin Hall etkisi parametrelerin farklı değerlerinde hesaplanmıştır. Uygulanan yaklaşımın, yarı iletkenlerin birçok fiziksel özelliklerinin teorik olarak araştırılmasında çok faydalı olacağı gösterilmiştir. Ayrıca Debye yaklaşımı kullanılarak yarı iletkenlerin ısı miktarının sıcaklığa göre değişiminin hesaplaması için literatürde önerilen yeni analitik yaklaşımın uygulaması yapılmıştır. Teknolojik açıdan önemli indiyim arsenit (InAs) ve galyum arsenit (GaAs) yarı iletkenlerine uygulaması yapılmıştır. Bu çalışmadaki formüllerin etkinliğini göstermek için elde ettiğimiz sonuçlar sayısal verilerle karşılaştırılarak uyum sağladığı gösterilmiş ve güvenirliği tespit edilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, many physical properties of semiconductors were investigated by using the kinetic effect theory, which is one of the general theoretical approaches. New studies for analytical calculation of one and two parameter Fermi functions play a major role in the study of kinetic effects and electron transport phenomena in semiconductors. Recent developments in the literature, such as one- and two-parameter Fermi functions, have allowed the evaluation of the standard region transverse Nernst-Ettingshausen effect, Hall coefficient and other important properties of semiconductors in the case of weak magnetic field. In the applications, analytical formulas developed by Guseinov and Mamedov for one and two parameter Fermi functions have been used recently. The advantage of this work is that new developments in the application of kinetic effect theory allow the calculation of many properties of semiconductors. By using the kinetic effect theory, the standard zone transverse Nernst-Ettingshausen effect of silicon (Si) and germanium(Ge) semiconductors in weak magnetic field, electrical resistance, Hall effect and Seebeck coefficient and gallium nitride (GaN) semiconductor electron concentration were calculated at different values of parameters. It has been shown that the applied method will be very useful in the theoretical investigation of many physical properties of semiconductors. In addition, using the Debye approach, the application of the new analytical approach proposed in the literature has been made to calculate the change of the heat amount of the semiconductors according to the temperature. The approach proposed in the literature has been applied to indium arsenide (InAs) and gallium arsenide (GaAs) semiconductors. Our results were checked with numerical data to show the effectiveness of the formulas in this study.
Benzer Tezler
- Dynamic and aeroelastic analysis of a helicopter blade with actively controlled trailing edge flap in forward flight
Aktif olarak kontrol edilen firar kenarı flabına sahip bir helikopter palinin ileri uçuş şartları altında dinamik ve aeroelastik incelemesi
ÖZGE ÖZDEMİR ÖZGÜMÜŞ
Doktora
İngilizce
2012
Havacılık Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiUçak ve Uzay Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. METİH ORHAN KAYA
- Çok parçacıklı sistemlerin taşıma özelliklerinin enskog yaklaşımı ile hesaplanması ve kuantum dengesizlik durumlarının incelenmesi
Calculation of transport properties inenskog approach and quantum nonequilibrium states of many particle systems
NURETDİN EREN
Doktora
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RIZA OĞUL
- Trajectory planning of a six axis serial robot based on dynamic analysis
Altı eksenli seri robotun yörüngesinin dinamik analiz tabanlı planlanması
ŞAHİN YAVUZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Makine MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiMakine Mühendisliği Bölümü
PROF. DR. HİRA KARAGÜLLE
- Evaluation of the strength of a three axis serial robot performing a task by integrated dynamic analysis
Bir iş yapan üç eksenli seri bir robotun entegre dinamik analiz ile mukavemetinin değerlendirilmesi
ARMİN AMİNDARİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Makine MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiMakine Mühendisliği Bölümü
PROF. DR. HİRA KARAGÜLLE
- Vibration analysis of a rotating double tapered euler-bernoulli beam featuring bending–bending-torsion coupled using finite element method
Egilme-egilme-burulma etkileşime maruz kalan iki eksende daralan bir euler bernoullı kirişin doğal frekansının sonlu elemanlar yöntemiyle incelenmesi
YUNUS EMRE COŞKUN
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Uçak Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiUçak ve Uzay Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ÖZGE ÖZDEMİR