Geri Dön

Nextnano3 simülasyon programı ile InN kanallı iki boyutlu yapıların büyütme parametrelerinin belirlenmesi.

Determination of growth parameters of two dimensional structures with InN channel by nextnano3 simulation program.

  1. Tez No: 432820
  2. Yazar: HÜSEYİN AKÇAKAYA
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SİBEL GÖKDEN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2016
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 64

Özet

Bu çalışmada InN kanallı yüksek elektron mobiliteli transistör yapıların Nextnano3 simülasyon programı kullanılarak iki boyutlu elektron yoğunluğunu artırmaya yönelik optimum büyütme parametrelerinin belirlenmesi araştırılmıştır. 1-boyutlu Schrödinger-Poisson denklemleri, In1-xAlxN/InN/In1-yAlyN ve In1-xAlxN/GaN/InN/In1-yAlyNtekli kuantum kuyulu yapılar için çözüldü. Bu yapılarda, InN kuyu ve GaN ara tabaka kalınlıklarının, bariyer tabakadaki Al mol yüzdesinin ve InAlN bariyer katkılanmasının, iletim enerji bant yapılarına, olasılık ve elektron yoğunluklarına etkisi araştırılmıştır.

Özet (Çeviri)

In this study, to improve the device performance of InN-basedhigh electron mobility transistor structures, the optimization of growth parameters is investigated by using Nextnano3 simulation program. For the In1-xAlxN/InN/In1-yAlyN and In1-xAlxN/GaN/InN/In1-yAlyN single quantum wells,the self-consistent 1-band, 1-dimension Schrödinger-Poisson equations including polarization induced carriers have been solved and simulated. The effects of GaN interlayer and InN quantum well layer thicknesses and Al mole fraction in barrier layer and doping of InAlN barrier layer on conduction band structures, carrier densities, two dimensional electron gas wave functions have also been examined

Benzer Tezler

  1. Örgü uyumsuz (x≠0.53, y≠0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapılarının movpe ile büyütülmesi ve optik karakterizasyonu

    Growth and optical characterization of lattice mismatch (x≠0.53, y≠0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures by movpe

    İZEL PERKİTEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Bilim ve TeknolojiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İLKAY DEMİR

    PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN

  2. Kuantum kuyusundan terahertz frekansında sinyal üretimi

    Signal generation at terahertz frequency from quantum well

    YUNUS EMRE KARASU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ TURGUT ÖZTÜRK

  3. AlGa(In)N/AlN/GaN heteroeklem yapıların enerji bant profillerinin ve taşıyıcı yoğunluklarının Nextnano3 simülasyon programı kullanarak incelenmesi

    Investigation of carrier densities and energy band profiles of AlGa(In)N/AlN/GaN heterojunction structures by using Nextnano3 simulation program

    SEVİL TURHAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN

  4. Farklı alaşım oranlarında alıngan dörtlü yapıların transport özellikleri

    Transport properties of di̇fferent alloy compositon of quternary alingan structures

    ASLI BARAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ TEKE