Nextnano3 simülasyon programı ile InN kanallı iki boyutlu yapıların büyütme parametrelerinin belirlenmesi.
Determination of growth parameters of two dimensional structures with InN channel by nextnano3 simulation program.
- Tez No: 432820
- Danışmanlar: PROF. DR. SİBEL GÖKDEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 64
Özet
Bu çalışmada InN kanallı yüksek elektron mobiliteli transistör yapıların Nextnano3 simülasyon programı kullanılarak iki boyutlu elektron yoğunluğunu artırmaya yönelik optimum büyütme parametrelerinin belirlenmesi araştırılmıştır. 1-boyutlu Schrödinger-Poisson denklemleri, In1-xAlxN/InN/In1-yAlyN ve In1-xAlxN/GaN/InN/In1-yAlyNtekli kuantum kuyulu yapılar için çözüldü. Bu yapılarda, InN kuyu ve GaN ara tabaka kalınlıklarının, bariyer tabakadaki Al mol yüzdesinin ve InAlN bariyer katkılanmasının, iletim enerji bant yapılarına, olasılık ve elektron yoğunluklarına etkisi araştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, to improve the device performance of InN-basedhigh electron mobility transistor structures, the optimization of growth parameters is investigated by using Nextnano3 simulation program. For the In1-xAlxN/InN/In1-yAlyN and In1-xAlxN/GaN/InN/In1-yAlyN single quantum wells,the self-consistent 1-band, 1-dimension Schrödinger-Poisson equations including polarization induced carriers have been solved and simulated. The effects of GaN interlayer and InN quantum well layer thicknesses and Al mole fraction in barrier layer and doping of InAlN barrier layer on conduction band structures, carrier densities, two dimensional electron gas wave functions have also been examined
Benzer Tezler
- Örgü uyumsuz (x≠0.53, y≠0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapılarının movpe ile büyütülmesi ve optik karakterizasyonu
Growth and optical characterization of lattice mismatch (x≠0.53, y≠0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures by movpe
İZEL PERKİTEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Bilim ve TeknolojiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLKAY DEMİR
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Kuantum kuyusundan terahertz frekansında sinyal üretimi
Signal generation at terahertz frequency from quantum well
YUNUS EMRE KARASU
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ TURGUT ÖZTÜRK
- AlGa(In)N/AlN/GaN heteroeklem yapıların enerji bant profillerinin ve taşıyıcı yoğunluklarının Nextnano3 simülasyon programı kullanarak incelenmesi
Investigation of carrier densities and energy band profiles of AlGa(In)N/AlN/GaN heterojunction structures by using Nextnano3 simulation program
SEVİL TURHAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN
- Farklı alaşım oranlarında alıngan dörtlü yapıların transport özellikleri
Transport properties of di̇fferent alloy compositon of quternary alingan structures
ASLI BARAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ TEKE