AlGa(In)N/AlN/GaN heteroeklem yapıların enerji bant profillerinin ve taşıyıcı yoğunluklarının Nextnano3 simülasyon programı kullanarak incelenmesi
Investigation of carrier densities and energy band profiles of AlGa(In)N/AlN/GaN heterojunction structures by using Nextnano3 simulation program
- Tez No: 300058
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 70
Özet
Bu çalışmada, GaN tabanlı yüksek elektron mobiliteli transistör yapıların cihaz performanslarını geliştirmek için Nextnano3 simülasyon programı kullanılarak büyütme parametrelerinin optimizasyonu araştırılmıştır. Kutuplanmanın indüklediği taşıyıcıları içeren kendi içinde tutarlı 1-band, 1-boyutlu Schrödinger-Poisson denklemlerinin çözümleri, AlGa(In)N/AlN/GaN tekli kuantum kuyulu yapılar için yapıldı. AlN ara tabaka ve AlGa(In)N bariyer kalınlıklarının ve bariyerdeki Al ve In mol kesirlerinin iletkenlik bant yapıları, taşıyıcı yoğunlukları ve elektronların olasılık dalga fonksiyonları üzerine etkileri araştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, to improve the device performance of GaN-based high electron mobility transistor structures, the optimization of growth parameters is investigted by using Nextnano3 simulation program. For the AlGa(In)N/AlN/GaN single quantum wells the self-consistent 1-band, 1-dimension Schrödinger-Poisson equations including polarization induced carriers have been solved and simulated. The effects of Al interlayer and AlGa(In)N barrier layer thicknesses and Al and In mole fractions in barrier layer on conduction band structures, carrier densities, two dimensional electron gas wave functions have also been examined.
Benzer Tezler
- AlGa(In)N/GaN yüksek elektron mobiliteli transistörlerde iki boyutlu elektron gazına ait sıcak elektron dinamiğinin incelenmesi
Investigation of hot electron dynamics of two dimensional electron gas in AlGa(In)N/GaN high electron mobility transistors
AYKUT ILGAZ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN
PROF. DR. ALİ TEKE
- AlGaN tabanlı morötesi ışık yayan diyotların çalışma prensibi, yapısı ve uygulama alanlarının araştırılması
III-nitride ultraviolet emitters technologies & applications
GÖKTÜRK TAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
BiyoteknolojiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. İLKAY DEMİR
- Farklı ortam koşullarının (ışık, sıcaklık, besin eksikliği ve havalandırma) Haematococcus Pluvialis flotow'da büyüme ve astaksantin miktarına etkisi
The effects of the different environmental conditions (light, temperature, nutrient deficiency and aeration) on the growth and astaxanthin quantity of Haematococcus Pluvialis flotow
MÜZEYYEN KÖKSAL
- Atıksulardaki ağır metal iyonlarının tutuklanmış C.vulgaris'e biyosorbsiyonunun dolgulu kolonda incelenmesi
Başlık çevirisi yok
GAMZE EĞRETLİ
- Farklı polaritedeki çözgenlerin ALG (Nannochloropsis sp.) yağı ekstraksiyonuna etkileri
Effect of different polarity solvents on ALG (Nannocloropsis sp.) oil extraction
TUĞÇE AYGÜN
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Gıda MühendisliğiAkdeniz ÜniversitesiSu Ürünleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. OSMAN KADİR TOPUZ