Geri Dön

Örgü uyumsuz (x≠0.53, y≠0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapılarının movpe ile büyütülmesi ve optik karakterizasyonu

Growth and optical characterization of lattice mismatch (x≠0.53, y≠0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures by movpe

PDF İndir

  1. Tez No: 779298
  2. Yazar: İZEL PERKİTEL
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. İLKAY DEMİR, PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Science and Technology, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 113

Özet

Bu tez çalışması kapsamında, Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Nanofotonik Uygulama ve Araştırma Merkezi'ndeki Metal Organik Buhar Faz Epitaksi (MOVPE) sistemi ile InP alttaş üzerine örgü uyumsuz (x≠0.53, y≠0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapıları büyütülmüş ve karakterizasyonları yapılmıştır. Örgü uyumsuz InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapılarında yer alan Si-katkılı ve katkısız tabakalar arası geçiş sürelerinde optimum değerleri elde edebilmek için farklı kombinasyonlar oluşturularak incelenmiştir. Büyütme sonrasında örneklerin kristal kalitesi ve kalınlık hassasiyeti X-ışını kırınımı (XRD) ile analiz edilmiştir. Ayrıca büyütülen numunelerin kalınlık hassasiyetlerini daha detaylı incelemek için Global Fit simülasyon programından iki farklı hesaplama yöntemi kullanılmıştır. Örneklerin optik karakterizasyonunu ve optik bantlar arası geçişlerini hesaplamak için 10 K- 300 K sıcaklık aralığında fotolüminesans (PL) ölçümü yapılmıştır. Ölçüm sonuçları ile teoriyi karşılaştırmak için InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapılarındaki optik bantlar arası geçişler Nextnano simülasyon programı ile hesaplanmıştır. Yapılan karakterizasyon ve simülasyon çalışmaları sonucunda Si-katkılı ve katkısız tabakalar arası geçiş sürelerinin yapıların kalınlığını ve InGaAs/InAlAs arayüzlerini etkilediği gözlemlenmiştir.

Özet (Çeviri)

In the scope of this thesis, lattice mismatched (x≠0.53, y≠0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures on InP substrate were grown with the Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) system at Sivas Cumhuriyet University Nanophotonics Application and Research Center and characterizations were made. The lattice mismatched InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures were investigated by forming different combinations to obtain optimum values for Si-doped and undoped interlayer transition times. After growth, the crystal quality and thickness sensitivity of the samples were analyzed by X-ray diffraction (XRD). In addition, two different calculation methods from the Global Fit simulation program were used to examine the thickness sensitivities of the grown samples in more detail. In order to calculate the optical characterization and optical band transitions of the samples, photoluminescence (PL) measurements were made in the temperature range of 10 K-300 K. In order to compare the measurement results with the theory, the optical band transitions in InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures were calculated with the Nextnano simulation program. As a result of the characterization and simulation studies, it was observed that the transition times between Si-doped and undoped layers affect the thickness of the structures and the InGaAs/InAlAs interfaces.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    810512

    Dalgaboyu genişletilmiş swır dedektör uygulaması için (100) InP alttaş üzerine büyütülen zengin indiyum içerikli InxGa1-xAs epitaksiyel katmanların karekterizasyonu

    Characterization of indium rich InxGa1-xAs epitaxial layers grown on (100) InP substrate for extended wavelength swir detector application

    REYHAN KEKÜL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Bilim ve TeknolojiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İSMAİL ALTUNTAŞ

  2. Tez No

    444415

    Computational modelling of highly mis-matched alloys of GaNAsP and GaNAsBi as a laser gain material

    Yüksek örgü uyumsuz GaNAsP ve GaNAsBi alaşımlarının lazer kazanç malzemesi olarak bilgisayarlı modellenmesi

    ÖMER LÜTFİ ÜNSAL

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BEŞİRE GÖNÜL

  3. Tez No

    619827

    Identification and characterization of traps in InGaAs short wavelength infrared photodetectors by deep level transient spectroscopy

    InGaAs kısa dalgaboyu kızılötesi fotodedektörlerdeki tuzakların derin seviye geçici spektroskopi yöntemiyle belirlenmesi ve karakterizasyonu

    NARDIN AVISHAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ

  4. Tez No

    457695

    InxGa1-xAs/InyAl1-yAs tabanlı kuantum çağlayan lazer yapılarının büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization of InxGa1-xAs/InyAl1-yAs based quantum cascade laser structures

    İLKAY DEMİR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  5. Tez No

    93205

    Performance assesment of pseudomorphicMODFETs through Monte Carlo simulations

    Örgü uyumsuz MODFET'lerin Monte Carlo simülasyonları yoluyla performanslarının belirlenmesi

    SELÇUK ÖZER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. CENGİZ BEŞİKÇİ

Geri Dön