Ag/SiOx-DLC/p-Si Schottky diyodun elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of Ag/SiOx-DLC/p-Si schottky barrier diode
- Tez No: 436415
- Danışmanlar: PROF. DR. UĞUR KÖLEMEN, YRD. DOÇ. DR. NECATİ BAŞMAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gaziosmanpaşa Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 80
Özet
Bu çalışmada, SiOx katkılı elmas-benzeri karbon (EBK) filmi Ag/SiOx-EBK/p-Si metal-aratabaka-yarıiletken (MAY) Schottky diyodu üretmek için kullanıldı.SiOx katkılı EBK film; karbon kaynağı olarak methanol (CH3OH) ve SiOx kaynağı olarak ta tetraethoxysilane (Si(OC2H5)4) kullanılarak elektrokimyasal biriktirme yöntemiyle biriktirildi. Filmin morfolojisi taramalı electron mikroskobu ile araştırıldı. Yüzey fotoğraflarından filmin yoğun ve çatlaksız olduğu gözlendi. Filmin yapısal ve kimyasal analizi Raman spektroskropisi ve X-ışınları fotoelektron spektroskipisi (XPS) ile analiz edildi. Filmin Raman spektrumunda, Si-C bağlarınından dolayı tipik D ve G bandları gözlenmedi. XPS analizlerinden Si/C ve O/C oranları 0.44 ve 1.12 olarak bulundu. Oluşturulan yarıiletken aygıtın diyot parametrelerinin bulunması için akım-gerilim (I-V) ölçümleri gerçekleştirildi. Diyodun doğrultma oranı~103 olarak bulundu. Diyodun ileri yön yarı-logaritmik I-V grafiği biri düşük gerilim bölgesinde diğeri yüksek gerilim bölgesinde olmak üzere farklı eğimlere sahip iki ayrı lineer bölge göstermiştir. I-V grafiğindeki böyle bir davranış iki parallel diyot modeli ile açıklanmıştır. Bariyer yüksekliği, idealite faktörü, seri direnç ve şönt direnci gibi diyodun temel parametreleri I-V metodu ve Cheung-Cheung metodu ile hesaplanarak karşılaştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, SiOx containing diamond- like carbon (DLC) film was used to fabricate Ag/SiOx-DLC/p-Si metal-interlayer-semiconductor (MIS) Schottky diode. The film was deposited by electrochemical method using methanol (CH3OH) as carbon source and tetraethoxysilane (Si(OC2H5)4) as SiOx source. Morphology of the film was observed by scanning electron microscopy. It was seen that the film was dense and crack-free. Structural and chemical composition analysis of the film was made by Raman and X-ray photo electron spectroscopy (XPS). Typical D and G bands were not observed due to Si-C bonds. From XPS analysis, Si/C and O/C ratios were found to be 0.44 and 1.12, respectively. Current-Voltage (I-V) measurement was carried out to obtain diodes' parameters. The rectification ratio of the MIS diode was found as ~103. Forward bias semi-logarithmic I-V plot of MIS Schottky barrier diode showed two distinct linear regions, with different slopes in the low and intermediate voltage region. Such a behavior in I-V plot was explained by two parallel diodes model. The main electrical parameters of the diode such as the zero-bias barrier height, ideality factor, series resistance and shunt resistance were calculated by I-V method and Cheung-Cheung methods and compared.
Benzer Tezler
- Identification through heteroscedasticity within the network connectedness framework: The Systemic Five stock markets
Ağ bağlanmışlık çerçevesinde ayrı varyans kullanımı ile belirleme: Sistemik Beşli hisse senedi piyasaları
ERHAN ULUCEVİZ
Doktora
İngilizce
2015
Ekonometriİstanbul Bilgi Üniversitesiİktisat Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HARALD WERNER SCHMIDBAUER
- Robust optimization models for network revenue management
Ağ gelir yönetimi için sağlamcı optimizasyon modelleri
İREM BAHTİYAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Endüstri ve Endüstri Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiEndüstri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA ÇELEBİ PINAR
- Ag@NP bağlı amino asitlerle modifiye edilmiş heparin türevlerinin sentezi ve farklı hücre hatlarındaki sitotoksik etkilerinin araştırılması
Synthesis of heparin derivatives modified with Ag@NP linked amino acids and investigation of their cytotoxic effects on various cell lines
MUHAMMET TURGUT
- Network-aware federated neural architecture search
Ağ duyarlı federe sinir mimarisi araması
GÖKTUĞ ÖCAL
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolBoğaziçi ÜniversitesiBilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ BAHRİ ATAY ÖZGÖVDE
- The effects of using the EPOSTL on prospective EFL teachers' teaching autonomy
EPOSTL kullanımının aday İngilizce öğretmenlerinin öğretim özerkliklerine etkisi
PINAR SASA
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Eğitim ve ÖğretimHacettepe ÜniversitesiYabancı Diller Eğitimi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSMAİL HAKKI MİRİCİ
