Geri Dön

Ag/SiOx-DLC/p-Si Schottky diyodun elektriksel karakterizasyonu

Electrical characterization of Ag/SiOx-DLC/p-Si schottky barrier diode

  1. Tez No: 436415
  2. Yazar: EBRU GÖÇER
  3. Danışmanlar: PROF. DR. UĞUR KÖLEMEN, YRD. DOÇ. DR. NECATİ BAŞMAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2016
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gaziosmanpaşa Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 80

Özet

Bu çalışmada, SiOx katkılı elmas-benzeri karbon (EBK) filmi Ag/SiOx-EBK/p-Si metal-aratabaka-yarıiletken (MAY) Schottky diyodu üretmek için kullanıldı.SiOx katkılı EBK film; karbon kaynağı olarak methanol (CH3OH) ve SiOx kaynağı olarak ta tetraethoxysilane (Si(OC2H5)4) kullanılarak elektrokimyasal biriktirme yöntemiyle biriktirildi. Filmin morfolojisi taramalı electron mikroskobu ile araştırıldı. Yüzey fotoğraflarından filmin yoğun ve çatlaksız olduğu gözlendi. Filmin yapısal ve kimyasal analizi Raman spektroskropisi ve X-ışınları fotoelektron spektroskipisi (XPS) ile analiz edildi. Filmin Raman spektrumunda, Si-C bağlarınından dolayı tipik D ve G bandları gözlenmedi. XPS analizlerinden Si/C ve O/C oranları 0.44 ve 1.12 olarak bulundu. Oluşturulan yarıiletken aygıtın diyot parametrelerinin bulunması için akım-gerilim (I-V) ölçümleri gerçekleştirildi. Diyodun doğrultma oranı~103 olarak bulundu. Diyodun ileri yön yarı-logaritmik I-V grafiği biri düşük gerilim bölgesinde diğeri yüksek gerilim bölgesinde olmak üzere farklı eğimlere sahip iki ayrı lineer bölge göstermiştir. I-V grafiğindeki böyle bir davranış iki parallel diyot modeli ile açıklanmıştır. Bariyer yüksekliği, idealite faktörü, seri direnç ve şönt direnci gibi diyodun temel parametreleri I-V metodu ve Cheung-Cheung metodu ile hesaplanarak karşılaştırılmıştır.

Özet (Çeviri)

In this study, SiOx containing diamond- like carbon (DLC) film was used to fabricate Ag/SiOx-DLC/p-Si metal-interlayer-semiconductor (MIS) Schottky diode. The film was deposited by electrochemical method using methanol (CH3OH) as carbon source and tetraethoxysilane (Si(OC2H5)4) as SiOx source. Morphology of the film was observed by scanning electron microscopy. It was seen that the film was dense and crack-free. Structural and chemical composition analysis of the film was made by Raman and X-ray photo electron spectroscopy (XPS). Typical D and G bands were not observed due to Si-C bonds. From XPS analysis, Si/C and O/C ratios were found to be 0.44 and 1.12, respectively. Current-Voltage (I-V) measurement was carried out to obtain diodes' parameters. The rectification ratio of the MIS diode was found as ~103. Forward bias semi-logarithmic I-V plot of MIS Schottky barrier diode showed two distinct linear regions, with different slopes in the low and intermediate voltage region. Such a behavior in I-V plot was explained by two parallel diodes model. The main electrical parameters of the diode such as the zero-bias barrier height, ideality factor, series resistance and shunt resistance were calculated by I-V method and Cheung-Cheung methods and compared.

Benzer Tezler

  1. Integration of web based adaptive and intelligent education system into METU-online

    Ağ-tabanlı uyarlayan ve akıllı bir eğitim sisteminin METU-on line ile entegrasyonu

    ALP GİRAY ŞİMŞEK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Bilişim Sistemleri Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FERDA NUR ALPASLAN

  2. Ağ kafeslerde kefal (Chelon labrosus R.1826) yetiştiriciliği

    Başlık çevirisi yok

    MUHAMMET ALTUNOK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Su ÜrünleriEge Üniversitesi

    Su Ürünleri Yetiştiriciliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. OSMAN ÖZDEN

  3. Ağ kafes sistemlerinde alternatif yöntemler ve uygulamaları

    Alternative methods of cage culture system and its application

    ALİ KIRTIK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Su ÜrünleriEge Üniversitesi

    Su Ürünleri Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ALİ YILDIRIM KORKUT

  4. Ağ ve ağ paylaşımlı ortamlarda mimari mekan iletişimi

    Architectural space communication on the network and network environment

    AHMET TURAN KÖKSAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    MimarlıkYıldız Teknik Üniversitesi

    Mimarlık Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZEKİYE ABALI

  5. Controlling network traffic overflow and ensuring qos routing in manets

    Ağ trafiği taşımını kontrol etmek ve manetlerde qos yönlendirmesini sağlamak

    ELAF ANWAR ABDULMAGED ALWINDAWI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAltınbaş Üniversitesi

    Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. SEFER KURNAZ