Ag/SiOx-DLC/p-Si Schottky diyodun elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of Ag/SiOx-DLC/p-Si schottky barrier diode
- Tez No: 436415
- Danışmanlar: PROF. DR. UĞUR KÖLEMEN, YRD. DOÇ. DR. NECATİ BAŞMAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gaziosmanpaşa Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, SiOx katkılı elmas-benzeri karbon (EBK) filmi Ag/SiOx-EBK/p-Si metal-aratabaka-yarıiletken (MAY) Schottky diyodu üretmek için kullanıldı.SiOx katkılı EBK film; karbon kaynağı olarak methanol (CH3OH) ve SiOx kaynağı olarak ta tetraethoxysilane (Si(OC2H5)4) kullanılarak elektrokimyasal biriktirme yöntemiyle biriktirildi. Filmin morfolojisi taramalı electron mikroskobu ile araştırıldı. Yüzey fotoğraflarından filmin yoğun ve çatlaksız olduğu gözlendi. Filmin yapısal ve kimyasal analizi Raman spektroskropisi ve X-ışınları fotoelektron spektroskipisi (XPS) ile analiz edildi. Filmin Raman spektrumunda, Si-C bağlarınından dolayı tipik D ve G bandları gözlenmedi. XPS analizlerinden Si/C ve O/C oranları 0.44 ve 1.12 olarak bulundu. Oluşturulan yarıiletken aygıtın diyot parametrelerinin bulunması için akım-gerilim (I-V) ölçümleri gerçekleştirildi. Diyodun doğrultma oranı~103 olarak bulundu. Diyodun ileri yön yarı-logaritmik I-V grafiği biri düşük gerilim bölgesinde diğeri yüksek gerilim bölgesinde olmak üzere farklı eğimlere sahip iki ayrı lineer bölge göstermiştir. I-V grafiğindeki böyle bir davranış iki parallel diyot modeli ile açıklanmıştır. Bariyer yüksekliği, idealite faktörü, seri direnç ve şönt direnci gibi diyodun temel parametreleri I-V metodu ve Cheung-Cheung metodu ile hesaplanarak karşılaştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, SiOx containing diamond- like carbon (DLC) film was used to fabricate Ag/SiOx-DLC/p-Si metal-interlayer-semiconductor (MIS) Schottky diode. The film was deposited by electrochemical method using methanol (CH3OH) as carbon source and tetraethoxysilane (Si(OC2H5)4) as SiOx source. Morphology of the film was observed by scanning electron microscopy. It was seen that the film was dense and crack-free. Structural and chemical composition analysis of the film was made by Raman and X-ray photo electron spectroscopy (XPS). Typical D and G bands were not observed due to Si-C bonds. From XPS analysis, Si/C and O/C ratios were found to be 0.44 and 1.12, respectively. Current-Voltage (I-V) measurement was carried out to obtain diodes' parameters. The rectification ratio of the MIS diode was found as ~103. Forward bias semi-logarithmic I-V plot of MIS Schottky barrier diode showed two distinct linear regions, with different slopes in the low and intermediate voltage region. Such a behavior in I-V plot was explained by two parallel diodes model. The main electrical parameters of the diode such as the zero-bias barrier height, ideality factor, series resistance and shunt resistance were calculated by I-V method and Cheung-Cheung methods and compared.
Benzer Tezler
- Design and production of biomass-derived anode active materials for lithium ion batteries
Lityum iyon bataryalar için organik atıklardan anot aktif malzeme tasarımı ve üretimi
İPEK TUNÇ
Doktora
İngilizce
2024
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖZGÜL KELEŞ
- Kelenderis (2000-2006) arkeolojik kazılarında ele geçen odeon cam buluntuların arkeometrik yöntemlerle incelenmesi
Investigation of some glass finds uncovered in Kelenderis (2000-2006) archaeological excavations by archaeometric methods
SEVDA AYDIN
- Lab-scale DC electric arc furnace design and thermodynamic slag optimization for metal recovery from slag phase
Cüruf fazından metal geri kazanımı için laboratuvar ölçekli DC elektrik arf fırını tasarımı ve termodinamik cüruf optimizasyonu
MERT SARAÇOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERVET İBRAHİM TİMUR
- Optik ve elektronik veri kaydetme özelliği olan sodalit/hidroksi sodalit sentez ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of sodalite/ hydroxysodelite with potential of optical and electronic data strorage
SENA YAŞYERLİ ALTINTAŞ
- Lityum iyon piller için üç boyutlu grafen/karbon nanotüp/silisyum nanokompozit anotların geliştirilmesi
Development of three-dimensional graphene/carbon nanotube/silicon nanocomposite anodes for lithium-ion batteries
SELİN DEMİRCİ
Doktora
Türkçe
2024
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN YAVUZ