Geri Dön

Tavlama sıcaklığının farklı kalınlıklarda hazırlanan Cu2O ince filmlerin fiziksel özelliklerine etkisi

Physical properties of Cu2O thin films prepared with different thicknesses of the annealing temperature effect on

PDF İndir

  1. Tez No: 437993
  2. Yazar: DOĞAN ÖZASLAN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2016
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Çukurova Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 230

Özet

Bu tezde, SILAR yöntemi (ardışık iyonik tabaka adsorpsiyonu ve reaksiyonu) kullanılarak 70 °C'de cam alttabanlar üzerine 10, 30 ve 40 daldırma döngüsü ile Cu2O yarıiletken ince filmler elde edilmiştir. Elde edilen Cu2O ince filmler, 100, 300 ve 500 oC'de bir saat süre ile tavlanarak tavlama sıcaklığının filmlerin yapısal, optik, morfolojik ve elektriksel özelliklerine etkisi araştırılmıştır. Cu2O ince filmlerin X-ışını kırınım (XRD) analizlerinden filmlerin polikristal yapıda ve kübik fazda oluştuğu görülmüştür. Tavlama ile Cu2O ince filmlerin CuO ince filmlere dönüştüğü tespit edilmiştir. Elde edilen veriler ile filmlerin temel optik parametreleri olan enerji bant aralığı (Eg), yansıma (R), kırılma indisi (n) değerleri hesaplanmıştır. Bakır oksit ince filmlerinin görünür bölgedeki optik geçirgenlik değerleri %2-61 olarak bulunmuştur. Görünür bölgedeki ortalama kırılma indisi (n) değerleri 2.14-11olarak hesaplanmıştır. Filmlerin enerji bant aralığı değerlerinin (Eg) tavlama sıcaklığı ile azaldığı ve 2.57-1.77 eV arasında değiştiği tespit edilmiştir. FE-SEM (Alan Emisyonlu Taramalı Elektron Mikroskobu) görüntülerinden filmlerin genellikle küresel yapıda homojen dağılım gösterdiği ve tavlama sıcaklığının etkisi ile daha sıkı bir yapının oluştuğu görülmüştür. Hall ölçümlerinden ince filmlerin p-tipi iletkenlik gösterdiği bulunmuştur. Cu2O ve CuO ince filmlerin özdirenç (ρ) değerleri ise sırasıyla 7.4x103-1.1x104 ve 5.1x102-8.2x103 Ωcm bulunmuştur.

Özet (Çeviri)

In this thesis, semiconductor Cu2O thin films are obtained using SILAR (Succesive Ionic Layer Adsorption and Reaction) method at 70 °C on a substrate through 10, 30 and 40 immersion cycles. The films then are subjected to different annealing procedures at 100, 300 and 500 °C. The effect of various annealing temperatures are examined in terms of the change in structural, optical, morpholgical and electrical properties of the films. The XRD analyses indicate that Cu2O thin films exhibit a polycrystal structure and cubic phase. It is also concluded that annealing leads to a transition from Cu2O to CuO in the thin film structure. Optical parameters such as energy band gap (Eg), reflectivity (R) and refractive index values are acquired using aforementioned basic parameters. Optical transmittance values of Cu2O thin films in the visible region are attained to be between 2-61% whereas calculations for refractive indices (n) indicate that the values vary between 2.14-11. There found to be an inverse correlation between the annealing temperature and energy band gap values (Eg) where an increase in the anneling temperature leads to a drop in the energy band gap of given thin films within the interval of 2.57-1.77 eV. FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope) analyses demonstrate that a homogeneous spherical structure through the sample is observed. A more closely-packed structure is detected with respect to increasing annealing temperature. From the Hall effect measurement, it was found that Cu2O and CuO thin film exhibits p-type conduction. The resistivity values of Cu2O and CuO thin films are measured to be 7.4x103-1.1x104 ve 5.1x102-8.2x103 Ωcm, respectively.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    653719

    Döndürerek kaplama yöntemi ile hazırlanan ZnO:Al ince filmlerin üretilmesi ve karakterizasyonu

    Characterization and production of ZnO:Al thin films prepared by spin coating method

    SENA ALTUNCU KÖK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MEHMET PEKER

  2. Tez No

    457371

    Farklı kalınlıklarda Cbd ile üretilen Cds ince filmlerinin karakterizasyonu

    Characterization of Cds thin films produced by Cbd at different thicknesses

    BURHAN ŞAHAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMersin Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HÜLYA METİN GÜBÜR

  3. Tez No

    346726

    Titanyum dioksitin optik özelliklerinin fabrikasyon parametrelerine bağlılığı

    Fabrication parameters dependency of optical properties of titanium dioxide

    HAVA POLAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TEVHİT KARACALI

  4. Tez No

    796180

    100Cr6 malzeme üzerine RF magnetron püskürtme tekniği ile farklı kalınlıklarda TiN nano kaplamanın mikroyapı özellikleri ve elektrokimyasal korozyon direnci üzerine etkilerinin incelenmesi

    Investigation of the effects of TiN nano coating on 100Cr6 material with RF magnetron sputtering technique on microstructural properties and electrochemical corrosion resistance

    BURCU ÇİL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Mühendislik BilimleriGazi Üniversitesi

    İmalat Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MAHMUT İZCİLER

  5. Tez No

    752922

    Vanadyum pentaoksit temelli optik sensörlerde numune kalınlığının ve tavlama sıcaklığının sensör parametrelerine etkisi

    The effect of sample thickness and anneali̇ng temperature on sensor parameters in vanadium pentoxide based optical sensors

    EVREN ERDİL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Metalurji MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SELİM ACAR

Geri Dön