Geri Dön

Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) analysis of silicon carbide nanowires

Fourier transform ile silisyum karbür nanotellerinin kızılötesi spektroskopi analizi

  1. Tez No: 438753
  2. Yazar: DILHUMAR ABDURAZIK
  3. Danışmanlar: Assoc. Prof. Dr. KAŞİF TEKER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Mühendislik Bilimleri, Engineering Sciences
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2016
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İstanbul Şehir Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Endüstri ve Sistemler Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 76

Özet

Silisyum karbür nanotelleri, olumlu uygulamalarından dolayı arastırma için cazibe merkezi haline gelmistir. Bu olumlu uygulamaları nano optoelektronik, sensörler, yüksek frekans, yüksek sıcaklık ve yüksek güç elektronigi diye ayırabiliriz. Bu çalısmada SiC nanotellerinin kapsamlı bir Fourier transforumu kızılötesi spektroskopi (FTIR) analizi yapılmıstır. FTIR, materyallerin kimyasal baglarının durumu hakkında önemli ve pratik bilgiler verir. FTIR çalısmaları specktrumda üç tane güçlü tepe noktası oldugunu göstermistir. Bu tepe noktaları SiC enine optik (TO) modu, SiC boyuna optik (LO) modu ve Si-O esneme modu olarak üçe ayrılır. Ayrıca, kitle SiC ve SiC nanotellerinin fonon durumlarının farkları ele alınmıstır. Ni-film katalizörlü, 13 cm-1 ile 31 cm-1 arasında deger alan yarıdoruk genisligine (FWHM) sahip Si-C TO germe emilim genisligi 782 cm-1 ile 784 cm-1 arasında degismekteyken; Fe-film katalizörlü, 21 cm-1 ile 36 cm-1 arasında deger alan yarı-doruk genisligine (FWHM) sahip Si-C TO germe emilim genisligi 783 cm-1 ile 793 cm-1 arasında degismektedir. SiC nanotellerinin TO mod emilimi kitle SiC (FWHM 59 cm-1) mod emiliminden önemli derecede küçüktür. Bu durum SiC nanotellerinin yüksek tahvil kalitesi ve tutarlılıgı oldugunu göstermektedir. Buna ek olarak, toplu tek kristal SiC (800 cm-1) dalga sayısı SiC TO mod emilimi karsılastırıldıgında, SiC TO mod emilimi küçök dalga sayısı olan bölgeye dogru kaymaktadır. Bütün bu sonuçlar sunu göstermektedir; FTIR nano yapılı materiyallerin kimyasal baglarının durumu, kristal yapısı ve kristal kalitesi hakkında hızlı ve degerli bilgiler verir. Bunlara ilave olarak, SiC nanotel üretimi için pratik bir sentez yöntemi ele alınmıs ve çesitli katalizör malzemeler ile yetistirilen SiC nanotellerinin morfolojisi ve kristal yapısı incelenmistir.

Özet (Çeviri)

Silicon carbide (SiC) nanowires have attracted particular research enthusiasm for their favorable applications in nanoscale optoelectronics, sensors, high frequency, high temperature, and high-power electronics. A comprehensive Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) analysis of the SiC nanowires has been conducted. FTIR gives very important and practical information about the chemical bond states of materials. FTIR studies showed three strong peaks at the spectrum, which can be assigned to SiC transverse optical (TO) mode, SiC longitudinal optical (LO) mode, and Si-O stretching mode. Further, the differences of phonon states of SiC nanowires compared to the bulk SiC have been discussed. The Si-C TO stretching absorption band ranges from 783 cm-1 to 793 cm-1 with the full width at half maximum (FWHM) values from 21 cm-1 to 36 cm-1 with Fe-film catalyst, while the Si-C TO stretching absorption band ranges from 782 cm-1 to 784 cm-1 with the FWHM values from 13 cm-1 to 31 cm-1 with Ni-film catalyst. The FWHM values of the TO mode absorption of the SiC nanowires are significantly lower than that of bulk SiC (FWHM 59 cm-1) suggesting higher bond quality and uniformity of the SiC nanowires. Moreover, the SiC TO mode absorption shifted towards the lower wavenumber region compared to the wavenumber of bulk single crystal SiC ( 800 cm-1). These results show that FTIR provides quick and valuable information about the chemical bond states, crystal structure, and crystal quality of the nanostructured materials. Additionally, a practical synthesis method for SiC nanowire fabrication has been discussed; and morphology and crystal structure investigation of the SiC nanowires grown with various catalyst materials has been provided.

Benzer Tezler

  1. Teflon kaplamalarda kullanılan farklı türdeki dolguların kaplamanın özellikleri üzerine etkilerinin incelenmesi

    Investigation of the effects of different types fillings on the properties teflon coatings

    ONURHAN TOÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Kimya MühendisliğiKocaeli Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AYŞE AYTAÇ

  2. Farklı ışık kaynaklarının kütlesel yerleştirilebilen kompozit rezinlerin konversiyon derecelerine etkileri

    Effect of different light curing units on degree of conversion of bulk fill composite resins

    AYNUR YILDIZ

    Diş Hekimliği Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Diş HekimliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Restoratif Diş Tedavisi Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ALPER KAPDAN

  3. Modifiye edilmiş bitkisel yağlardan biyokompozit malzeme üretimi ve karakterizasyonu

    (production and characterization of biocomposite materials from modified vegetable oils

    ELİF SENA GÜL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Makine MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HAMİT AKBULUT

  4. Development of porous ceramics for wastewater purification

    Atık su filtrelenmesi için gözenekli seramiklerin geliştirilmesi

    DAMLA ZEYDANLI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN AKMAN

    DOÇ. DR. ÇEKDAR VAKIF AHMETOĞLU

  5. Osseintegrasyonu arttıracak hidroksiapatit/siklodekstrin kompozit taşıyıcıların geliştirilmesi

    Development of hydroxyapatite/cyclodextrin composite carriers to enhance osseointegration

    MERYEM SÜMEYYE AKDEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    BiyomühendislikHacettepe Üniversitesi

    Biyomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MENEMŞE GÜMÜŞDERELİOĞLU