Low temperature thermoluminescence study of some ternary and quaternary layered structured semiconductors
Bazı üçlü ve dörtlü katmanlı yapılı yarıiletkenlerin düşük sıcaklık termolüminesans incelenmesi
- Tez No: 441765
- Danışmanlar: PROF. DR. NİZAMİ HASANLİ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 138
Özet
Üçlü ve dörtlü katmanlı tek kristalleri için termolüminesans (TL) deneyleri 0.2 ve 1.2 K/s arasındaki ısıtma hızları kullanılarak 10−300 K sıcaklık aralığında gerçekleştirildi. Çalışılan kristallerdeki tuzak merkezlerinden gelen TL salınımları her bir kristal için farklı sıcaklık bölgelerinde pikler sergileyen TL spektrumları ortaya çıkardı. Bu pikler ilgili tuzak seviyelerinin TL özelliklerini göstermek için dikkate alındı. Kristallerde bulunan kusurların karakterizasyonu TL teorisinin en iyi bilinen metodlarından yararlanılarak yapıldı (eğri fitleme, ilk yükselme, pik şekil ve ısıtma hızı metodları). Tuzak merkezlerinin termal aktivasyon enerjileri, yakalama kesit alanları ve kaçış frekansları bu metodlar ile hesaplandı. Bazı kristallerin aktivasyon enerjisini ısıtma hızı metodu kullanılarak hesaplamak için sıcaklık gecikme etkisinden kaynaklanan düzeltmeler hesaba katıldı. Eğri fitleme ve pik şekil metodları vasıtasıyla tuzak seviyelerinin sergilediği kinetik sıraları tanımlandı. Kristallerde bulunan tuzak merkezlerinin TL mekanizmaları farklı ısıtma hızları ve aydınlatma sıcaklıklarına karşı davranışları araştırılarak derinlemesine çalışıldı. Kristallerdeki çoğu tuzak merkezlerinin normal ısıtma hızı davranışı göstermesine rağmen, Tl2GaInS4 ve GaS kristallerindeki tuzaklar anormal ısıtma hızı davranışının özelliklerini göstermiştir. Ayrıca, Tl2Ga2S3Se kristali için termal sönüm gözlendi. Ek olarak, sırasıyla devamlı tuzak dağılımı ve tek tuzak seviyesine sahip olan Tl4In3GaS8 ve GaSe:Mn kristallerinin dışındaki kristallerde devamlı tuzak dağılımı gibi davranış sergilenmiştir.
Özet (Çeviri)
Thermoluminescence (TL) experiments for ternary and quaternary layered single crystals were carried out in 10−300 K temperature range by employing various heating rates between 0.2 and 1.2 K/s. The TL emissions coming from the trapping centers in the studied samples brought out the TL spectra exhibiting peaks at different temperature regions for each crystals. These peaks were taken under consideration to reveal the TL properties of the associated trap levels. Characterizations of defect centers existing in the crystals were achieved utilizing the best-known analysis methods (curve fitting, initial rise, peak shape and heating rate methods) of TL theory. Thermal activation energies, capture cross sections and frequency factors of trapping levels were calculated with used TL analysis methods. Corrections due to temperature lag effect were taken into account for some of the studied crystals to evaluate the activation energy using heating rate method. Order of kinetics exhibited by trap levels were determined through curve fitting and peak shape methods. TL mechanisms of the trap centers in the crystals were studied in depth by investigating the behaviors against different heating rates and stopping temperatures. Although most of the trap levels in the crystals showed the normal heating rate behavior, the traps in Tl2GaInS4 and GaS crystals exhibited the properties of anomalous heating rate behavior. Also, thermal quenching was observed for the Tl2Ga2S3Se crystal. In addition, except for the Tl4In3GaS8 and GaSe:Mn crystals, which possess the continuous distribution of traps and single trap level, respectively, the quasi-continuous distributions of the trapping levels were exhibited in other studied crystals.
Benzer Tezler
- Gadolinyum katkılanmış ZnO nanokristallerin termolüminesans özelliklerinin incelenmesi
Investigation of thermoluminescence properties of gadolinium doped ZnO nanocrystals
MELEK GÜNER
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiNevşehir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TACETTİN YILDIRIM
- Paleosismolojik çalışmalarda TL/OSL ve ESR yöntemlerinin kullanılması: Kütahya-Simav ve Kuzey Anadolu fay hattı
TL/OSL and ESR methods used in paleoseismology studies: Kütahya-Simav and North Anatolian fault zone
EREN ŞAHİNER
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NİYAZİ MERİÇ
- Dy ve Li katkılanmış CaSO4 ile Dy katkılanmış CaB4O7 termolüminesans malzemelerin kinetik parametrelerinin incelenmesi
Investigation of the kinetic parameters of thermoluminescence materials in Dy and Li doped CaSO4 with Dy doped CaB4O7
AYCAN AKIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiEge ÜniversitesiNükleer Bilimler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TURGAY KARALI
- Krom katkılı lityum spinal malzemelerde kızılötesi fosforesans özelliklerinin geliştirilmesi
Enhancement of infrared phosphorescence properties in lithium spinal materials with chromium doped
SİNAN BOSNA
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. NURİ SOLAK
DOÇ. DR. ESRA ALVEROĞLU DURUCU
- Doğal kalsit minerallerinin termolüminesans ve ser yöntemleriyle incelenmesi ve tarihlenmesi
Termoluminescence and esr studies and dating of natural calcite minerals
BİROL ENGİN