Geri Dön

Bor katkılı NİO ince filmlerinde K tabakasından L tabakasına boşluk geçiş ihtimalinin ölçülmesi

Measurement of the vacancy transition probabilities from K shell to L shells in boron-doped NIO thin films

  1. Tez No: 456486
  2. Yazar: FATİH DEDEOĞLU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ÖMER SÖĞÜT
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Metalurji Mühendisliği, Physics and Physics Engineering, Metallurgical Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 61

Özet

Araştırmamızda, çeşitli konsantrasyonlarda (%1-6) kimyasal püskürtme yöntemiyle üretilmiş olan bor katkılı NiO ince filmlerinde, nikelin K tabakasından L tabaka/alttabakalarına ve M tabakasına boşluk geçiş ihtimalleri XRF tekniği ile ölçüldü. Bu ölçümler saf nikel elementi ve çeşitli konsantrasyonlarda üretilmiş olan bor katkılı NiO ince filmlerindeki nikel için yapıldı. Boşluk geçişleri için bulunan sonuçlar diğer araştırmacıların deneysel ve teorik değerleri ile karşılaştırıldı. Bor katkısız NiO ince filminin KL boşluk geçişinin deneysel değeri, diğer araştırmacıların teorik değerlerden ortalama olarak %3.260 farklı iken, diğer araştırmacıların deneysel değerlerinden ortalama %3.193 farklıdır. Ek olarak, katkısız NiO ince filminde ölçülen KL, KL2, KL3 ve KM boşluk geçiş ihtimallerinin değerleri, farklı oranlarda (%1-6) bor katkılanmış NiO ince filmlerinde ölçülen boşluk geçiş ihtimallerinden ortalama olarak, sırasıyla, %0.879, %0.862, %0.889 ve %0.885 farklıdır. Araştırma sonuçları tablolar ve grafikler halinde verilmiştir.

Özet (Çeviri)

In our research, the probability of vacancy transitions of nickel from K to L shell/subshells and to M shell (KL, KL2, KL3 and KM) in the boron-doped NiO thin films produced by the chemical spraying method at various concentrations (1-6%) were measured by XRF technique. These measurements were made for pure nickel element and for nickel in boron-doped NiO thin films produced at various concentrations. The results for KL, KL2, KL3 and KM were compared with the experimental and theoretical values obtained by other researchers. The experimental value of KL vacancy transition of the boron-undoped NiO thin film is 3.193% different from the experimental value obtained by other researchers while it is 3.260% different from the theoretical values obtained by the other researchers. In addition, the values of KL, KL2, KL3 and KM vacancy transition probabilities measured in undoped NiO thin film are different 0.879%, 0.862%, 0.889% and 0.885% respectively on the avarage according to the vacancy transition probabilities of measured in the boron-doped NiO thin films obtained at different ratios (1-6%). The results obtained in this study are given in tables and graphics.

Benzer Tezler

  1. Kimyasal püskürtme yöntemiyle üretilen bor katkılı NiO ince filmlerinin Kβ/Kα X-ışını şiddet oranının incelenmesi

    Measurement of Kβ/Kα X-ray intensity ratios in boron doped NiO thin films produced by chemical spraying method

    SAİM DAĞLI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÖMER SÖĞÜT

  2. Kimyasal püskürtme yöntemi ile üretilen bor katkılı nio ince filmlerinin elektriksel ve optiksel özelliklerinin ölçülmesi

    Measurement of electrical and optical properties of boron doped nio thin films produced by chemical spray pyrolysis method

    HAKAN YAYKAŞLI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÜMİT ALVER

  3. Yüksek performanslı metal-yarı iletken Schottky diyotların elde edilmesi için yeni nesil nano yapılı grafen esaslı kompozit malzemelerin üretilmesi

    Production of new generation nano-constructed graphen based composite materials for obtaining high performance metal-semiconductor Schottky diode

    HALİL ÖZERLİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Mühendislik BilimleriKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ

  4. Ni1-xBx/NiOy çekirdek/kabuk manyetik nano-parçacıkların (MNP) fiziksel özelliklerinin araştırılması

    Investigation of physical properties of Ni1-xBx/NiOy core/shell magnetic nano-particles (MNPs)

    İDRİS ADANUR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET EKİCİBİL

  5. İndirgenmiş grafen oksit katkılı nikel esaslı süperkapasitör elektrot malzemelerinin üretilmesi ve özelliklerinin incelenmesi

    Synthesis and characterization of nickel-based supercapacitor electrode materials doped with reduced graphene oxide

    EROL KAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Metalurji MühendisliğiZonguldak Bülent Ecevit Üniversitesi

    Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BARIŞ AVAR