Geri Dön

P-tipi bakır oksit ince film/n-tipi silisyum nanotel heteroeklemli diyotların üretimi ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Fabrication of p-type copper oxide thin film/n-type silicon nanowire heterojunction diodes and investigation of their electrical properties

PDF İndir

  1. Tez No: 457232
  2. Yazar: MUHAMMET KAYA
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. FUNDA AKSOY AKGÜL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2016
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Niğde Ömer Halisdemir Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 109

Özet

Aygıt uygulamaları için nanoyapılı materyallerin sentezlenmesinde, ucuz olması sebebiyle solüsyon-bazlı işlemler kullanılır. Bu çalışma, akımsız dağlama ve kimyasal depolama metotlarının birleşiminden oluşan iki-adımlı işlemle hazırlanmış CuO kaplı Si nanotel-temelli heteroeklemli diyotların üretiminden ve elektriksel karakterizasyonundan elde edilmiş sonuçları sunar. Düşey olarak sıralanmış Si nanoteller, n-tipi (100)-yönlü kristal Si dilimi üzerine MACE (Metal-Assisted Chemical Etching) tekniği kullanılarak büyütüldü. Daha sonra, üç-boyutlu heteroyapılar üretmek için p-tipi CuO ince filmleri Si nanoteller üzerine kimyasal depolama ile kaplandı. Üretilen diyotların elektriksel özellikleri, 220-360 K sıcaklık aralığında akım-gerilim (I-V) ölçümleri vasıtasıyla belirlendi. İdealite faktörü (n), doyum akımı (I0) ve bariyer yüksekliği (B) gibi temel diyot parametreleri sıcaklığın bir fonksiyonu olarak hesaplandı. I-V ölçümleri diyotların doğrultucu davranış sergilediğini, karanlıkta ve oda sıcaklığında ±3 V gerilim değerlerinde 103 doğrultma oranına ve n = 1.56 değerinde oldukça küçük idealite faktörü değerine sahip olduğunu ortaya koydu. n, I0 and B için elde edilen sonuçlar, bu değerlerin sıcaklığa güçlü şekilde bağlı olduğunu gösterdi.

Özet (Çeviri)

Solution-based processes are used to synthesize nanostructured materials for device applications to reduce material production and device fabrication costs. This study presents results on the fabrication and electrical characterization of CuO coated Si nanowire-based heterojunction diodes prepared by a two-step route through combined electroless etching and chemical bath deposition methods. Dense arrays of vertically well-aligned Si nanowires were synthesized on the n-type (100)-oriented crystalline Si wafer through MACE (Metal-Assisted Chemical Etching) technique. p-type CuO thin films were then deposited onto the Si nanowire arrays via chemical bath deposition to construct three-dimensional heterostructures. Electrical properties of the fabricated diodes were determined with the current-voltage (I-V) measurements over the temperature range of 220-360 K. Main diode parameters including ideality factor (n), dark saturation current (I0) and zero-bias barrier height (B) were evaluated as a function temperature. I-V measurements exhibited that the diodes have a well-defined rectifying behavior with a good rectification ratio of 103 at ±3 V and a relatively small ideality factor of n = 1.56 under dark conditions at room temperature. The obtained values for n, I0 and B were found to be strongly temperature dependent.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    127050

    Reaktif DC magnetron sıçratma tekniği ile n-tipi silisyum taban malzeme üzerine bakır oksit ince film biriktirme

    Deposition of copper oxide thin films with DC magnetron sputtering on n-type silicon substrate

    S. ALPER YEŞİLÇUBUK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. M. KELAMİ ŞEŞEN

  2. Tez No

    393044

    Production of dye sensitized solar cell and optimization of production parameters

    Boya uyarımlı güneş pillerinin üretimi ve üretim parametrelerinin optimizasyonu

    RAMAZAN ŞİMŞEK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ALİ KILIÇ

  3. Tez No

    692258

    Fotovoltaik uygulamalar için ZnO - Cu2O filmlerinin ultrasonik sprey piroliz tekniği ile üretilmesi ve karakterizasyonu

    Deposition and characterization of ZnO - Cu2O films for photovoltaic applications by ultrasonic spray pyrolysis technique

    HAKAN BİLAL ÖZCAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Bilim ve TeknolojiBursa Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ASLI AYTEN KAYA

    DOÇ. DR. EMRAH SARICA

  4. Tez No

    437993

    Tavlama sıcaklığının farklı kalınlıklarda hazırlanan Cu2O ince filmlerin fiziksel özelliklerine etkisi

    Physical properties of Cu2O thin films prepared with different thicknesses of the annealing temperature effect on

    DOĞAN ÖZASLAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ

  5. Tez No

    571380

    Synthesis of ZnO and Si nanowires for the fabrication of 3rd generation solar cells

    Üçüncü nesil güneş pillerinin üretimi için ZnO ve Si nanotellerin sentezlenmesi

    ELİF PEKSU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAKAN KARAAĞAÇ

Geri Dön