Geri Dön

Phonon mean free path in few layer, two-dimensional hexagonal structures

İki boyutlu, heksagonal yapılarda fonon ortalama serbest yolu

  1. Tez No: 463559
  2. Yazar: HAMED GHOLIVAND
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. FATMA NAZLI DÖNMEZER AKGÜN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Makine Mühendisliği, Mechanical Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 100

Özet

Grafit ve Heksagonal Bor Nitrür (h-BN) gibi iki boyutlu yapılar son on yılın ilgi odağı olmuştur. Bu malzemeler yöne bağlı, eşsiz özelliklerinden dolayı elektronik ve optoelektronik uygulamalar için kusursuz birer adaydır. Üretim tekniklerindeki gelişmeler ile ince katmanları ayırmak daha da mümkün oldukça bu malzemelerin kullanımı da giderek yaygınlaşmaktadır. Bu tür malzemelerin ısıl özelliklerini anlamak daha iyi aygıtlar yapmak için gereklidir. Fonon ortalama serbest yolu (OSY) mikro ve nano boyutlu malzemelerde balistik-yayınım ısı transfer limitlerini belirleyen en önemli ısıl özelliklerdendir. Bu çalışmada az tabakalı grafen, h-BN ve kompozit h-BN/grafen yapıların ısıl özellikleri, özellikle OSY araştırılmıştır. Ayrı fonon modlarının her birinin ısıl özellikleri bulunduktan sonra balistik-yayılım ısı transfer limitlerini anlamak için ısıl iletkenliğin fonon OSY'na göre yığılma grafiği elde edilmiştir. Çok katmanlı grafen ve h-BN yapıları da karşılaştırma amaçlı analiz edilmiş ve tek katmanlı yapıların OSY'nun çok katmanlı yapılara göre çok daha uzun olduğu dolayısıyla da balistik etkilerden daha erken etkileneceği anlaşılmıştır.

Özet (Çeviri)

Two-dimensional materials such as graphene and few layer hexagonal Boron Nitride (h-BN) have been the center of attention in the last decade. These materials provide anisotropic and exclusive properties making them ideal candidates for the modern electronic and optoelectronic applications. With the enhancements in fabrication techniques and the ability to separate thin layers their popularity is continuously increasing. Understanding the thermal properties of these materials is necessary to make better devices. Phonon mean free path (MFP) is one of the most thermal properties that determines the limits of ballistic-diffusive thermal transport in micro and nanoscale domains. In this study thermal properties, specifically the phonon MFP behavior, of few layer graphene, h-BN, and composite graphene/h-BN structures were studied after obtaining the phonon dispersion of each material. After, finding the thermal properties of discrete phonon modes, a plot of accumulated thermal conductivity with respect to phonon MFP of phonons is obtained to understand the ballistic-diffusive limits of in such structures. Bulk structures of graphene and h-BN were also analyzed for comparison purposes and it was observed that single layer structures will experience ballistic effects more since they have considerably higher MFP than their bulk counterparts.

Benzer Tezler

  1. Kaos analizi: Bir finansal sektör uygulaması

    Başlık çevirisi yok

    CAFER ERCAN BOZDAĞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Endüstri ve Endüstri Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Endüstri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET HALUK ERKUT

  2. Bazı lantanit bileşikler kullanılarak üretilen seramiklerin gama ve nötron radyasyonu zırhlama özelliklerinin araştırılması

    Investigation of gamma and neutron radiation shielding properties of ceramics produced using some lanthanide compounds

    ZEKİYE MADAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Radyoloji ve Nükleer TıpVan Yüzüncü Yıl Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BERNA OTO

    DOÇ. DR. ESRA KAVAZ

  3. Phonon mean free path - thermal conductivity relation of 𝐴𝑙𝑥𝐺𝑎1−𝑥𝑁 and 𝛽-Ga2O3 semiconductors

    𝐴𝑙𝑥𝐺𝑎1−𝑥𝑁 ve 𝛽-Ga2O3 yarıiletkenlerinin fonon ortalama serbest yolu - ısıl iletkenlik ilişkisi

    PEGAH GHANIZADEH

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Makine MühendisliğiBoğaziçi Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. FATMA NAZLI DÖNMEZER AKGÜN

  4. Phonon mean free path and thermal conductivity analysis of wide and ultra-wide bandgap materials

    Yüksek ve ultra-yüksek bant aralıklı malzemelerin fonon ortalama serbest yol ve ısıl iletkenlik analizi

    ESRA İLKE ALBAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Makine MühendisliğiBoğaziçi Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ FATMA NAZLI DÖNMEZER AKGÜN

  5. Süperlatislerde akustik fonlarla elektronların etkileşmesi

    Başlık çevirisi yok

    GÜLTEN TAŞÇI ÖZEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NAZMİ POSTACIOĞLU