Phonon mean free path in few layer, two-dimensional hexagonal structures
İki boyutlu, heksagonal yapılarda fonon ortalama serbest yolu
- Tez No: 463559
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. FATMA NAZLI DÖNMEZER AKGÜN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Makine Mühendisliği, Mechanical Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 100
Özet
Grafit ve Heksagonal Bor Nitrür (h-BN) gibi iki boyutlu yapılar son on yılın ilgi odağı olmuştur. Bu malzemeler yöne bağlı, eşsiz özelliklerinden dolayı elektronik ve optoelektronik uygulamalar için kusursuz birer adaydır. Üretim tekniklerindeki gelişmeler ile ince katmanları ayırmak daha da mümkün oldukça bu malzemelerin kullanımı da giderek yaygınlaşmaktadır. Bu tür malzemelerin ısıl özelliklerini anlamak daha iyi aygıtlar yapmak için gereklidir. Fonon ortalama serbest yolu (OSY) mikro ve nano boyutlu malzemelerde balistik-yayınım ısı transfer limitlerini belirleyen en önemli ısıl özelliklerdendir. Bu çalışmada az tabakalı grafen, h-BN ve kompozit h-BN/grafen yapıların ısıl özellikleri, özellikle OSY araştırılmıştır. Ayrı fonon modlarının her birinin ısıl özellikleri bulunduktan sonra balistik-yayılım ısı transfer limitlerini anlamak için ısıl iletkenliğin fonon OSY'na göre yığılma grafiği elde edilmiştir. Çok katmanlı grafen ve h-BN yapıları da karşılaştırma amaçlı analiz edilmiş ve tek katmanlı yapıların OSY'nun çok katmanlı yapılara göre çok daha uzun olduğu dolayısıyla da balistik etkilerden daha erken etkileneceği anlaşılmıştır.
Özet (Çeviri)
Two-dimensional materials such as graphene and few layer hexagonal Boron Nitride (h-BN) have been the center of attention in the last decade. These materials provide anisotropic and exclusive properties making them ideal candidates for the modern electronic and optoelectronic applications. With the enhancements in fabrication techniques and the ability to separate thin layers their popularity is continuously increasing. Understanding the thermal properties of these materials is necessary to make better devices. Phonon mean free path (MFP) is one of the most thermal properties that determines the limits of ballistic-diffusive thermal transport in micro and nanoscale domains. In this study thermal properties, specifically the phonon MFP behavior, of few layer graphene, h-BN, and composite graphene/h-BN structures were studied after obtaining the phonon dispersion of each material. After, finding the thermal properties of discrete phonon modes, a plot of accumulated thermal conductivity with respect to phonon MFP of phonons is obtained to understand the ballistic-diffusive limits of in such structures. Bulk structures of graphene and h-BN were also analyzed for comparison purposes and it was observed that single layer structures will experience ballistic effects more since they have considerably higher MFP than their bulk counterparts.
Benzer Tezler
- Kaos analizi: Bir finansal sektör uygulaması
Başlık çevirisi yok
CAFER ERCAN BOZDAĞ
Doktora
Türkçe
1998
Endüstri ve Endüstri Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiEndüstri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET HALUK ERKUT
- Bazı lantanit bileşikler kullanılarak üretilen seramiklerin gama ve nötron radyasyonu zırhlama özelliklerinin araştırılması
Investigation of gamma and neutron radiation shielding properties of ceramics produced using some lanthanide compounds
ZEKİYE MADAK
Doktora
Türkçe
2024
Radyoloji ve Nükleer TıpVan Yüzüncü Yıl ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BERNA OTO
DOÇ. DR. ESRA KAVAZ
- Phonon mean free path - thermal conductivity relation of 𝐴𝑙𝑥𝐺𝑎1−𝑥𝑁 and 𝛽-Ga2O3 semiconductors
𝐴𝑙𝑥𝐺𝑎1−𝑥𝑁 ve 𝛽-Ga2O3 yarıiletkenlerinin fonon ortalama serbest yolu - ısıl iletkenlik ilişkisi
PEGAH GHANIZADEH
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Makine MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. FATMA NAZLI DÖNMEZER AKGÜN
- Phonon mean free path and thermal conductivity analysis of wide and ultra-wide bandgap materials
Yüksek ve ultra-yüksek bant aralıklı malzemelerin fonon ortalama serbest yol ve ısıl iletkenlik analizi
ESRA İLKE ALBAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Makine MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ FATMA NAZLI DÖNMEZER AKGÜN
- Süperlatislerde akustik fonlarla elektronların etkileşmesi
Başlık çevirisi yok
GÜLTEN TAŞÇI ÖZEN
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NAZMİ POSTACIOĞLU