Geri Dön

Phonon mean free path and thermal conductivity analysis of wide and ultra-wide bandgap materials

Yüksek ve ultra-yüksek bant aralıklı malzemelerin fonon ortalama serbest yol ve ısıl iletkenlik analizi

  1. Tez No: 652309
  2. Yazar: ESRA İLKE ALBAR
  3. Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ FATMA NAZLI DÖNMEZER AKGÜN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Makine Mühendisliği, Mechanical Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2020
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 84

Özet

Moleküler ortalama serbest yolun, cihaz karakteristik uzunluğuna oranı olarak tanımlanan Knudsen sayısı arttıkça, fonon hareketinin engellenmesi sonucu malzemenin ısıl özelliklerinde kayıp yaşanır. Eğer fononların ısıl iletkenlik ve ortalama serbest yol(OSY) ilişkisi bilinirse, malzemedeki boyut etkileri ve kaybedilen ısıl iletkenlik miktarı tahmin edilebilir. Bu amaçla, dört würtzit yarıiletken malzeme: galyum nitrat, alüminyum nitrat, alüminyum galyum nitrat ve beta form galyum oksit için ısıl iletkenlik birikimi farklı sıcaklıklarda hesaplanmıştır. Bu malzemeler çoğunlukla yüksek güç elektroniği uygulamalarında, küçük ve kısıtlı boyutlarda kullanıldıklarından, ısıl iletkenlik birikim grafiğinden küçük boyutlarda karşılaşılan iletkenlik miktarının elde edilebilmesi için bir yöntem geliştirilmiştir.Kristal enerjisinin Üçüncü dereceden güç katsayıları bu hesaplamalarda kullanılmıştır. Bu yaklaşımın anharmonikliğin arttığı kısa OSY ve yüksek sıcaklık durumlarında kullanışlı olduğu anlaşılmıştır. Isıl iletkenliğe katkıda bulunan en büyük OSY değerleri GaN, AlN, AlGaN ve beta-form Ga_2O_3 için sırasıyla 1661.7 nm, 1648.8 nm, 442.3 nm and 467.3 nm olarak hesaplanmıştır. Boyut etkilerinin, bu uzunluklardan daha küçük cihaz boyutlarında gözlemlenmesi beklenmektedir.

Özet (Çeviri)

As the Knudsen number (defined as the as the ratio of the molecular mean free path length to length scale of the device) increases, materials' thermal properties are compromised due to disruption of phonon movement. If the thermal conductivity and mean free path relationship of the phonons is known, interference of size effects at small scales can be predicted as well as thermal conductivity reductions. To do this, thermal accumulation spectra of four wurtzite semiconductor materials: gallium nitride, aluminum nitride, aluminum gallium nitride, and beta form gallium oxide were calculated at different temperatures. As these materials are usually employed in high power electronic applications in confined structures, a method was devised in order to infer their conductivities at small scales from accumulation spectra. Third-order force constants, which are the expanded coefficients of crystal ground energy, are used directly for mentioned calculations.It was observed that this approach is very useful at high anharmonicity where MFP range is short and temperature is high. This work concluded that MFP spectra contributing to thermal conductivity were 1661.7 nm, 1648.8 nm, 442.3 nm and 467.3 nm respectively for GaN, AlN, AlGaN and beta-form Ga_2O_3 at 300 K. Hence, size effects are expected to dominate conductivity at scales smaller than these values.

Benzer Tezler

  1. Phonon mean free path - thermal conductivity relation of 𝐴𝑙𝑥𝐺𝑎1−𝑥𝑁 and 𝛽-Ga2O3 semiconductors

    𝐴𝑙𝑥𝐺𝑎1−𝑥𝑁 ve 𝛽-Ga2O3 yarıiletkenlerinin fonon ortalama serbest yolu - ısıl iletkenlik ilişkisi

    PEGAH GHANIZADEH

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Makine MühendisliğiBoğaziçi Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. FATMA NAZLI DÖNMEZER AKGÜN

  2. Dilute magnesium alloys and their damping characteristics

    Seyreltik magnezyum alaşımları ve sönümleme özellikleri

    OSAMA AMIN AHMAD RAHALL OSAMA AMIN AHMAD RAHALL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Metalurji MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ ARSLAN KAYA

  3. Phonon mean free path in few layer, two-dimensional hexagonal structures

    İki boyutlu, heksagonal yapılarda fonon ortalama serbest yolu

    HAMED GHOLIVAND

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Makine MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. FATMA NAZLI DÖNMEZER AKGÜN

  4. Impurity effects on superconductors and the electron-phonon interaction

    Üstüniletkenlerde safsızlık etkileri ve elektron-fonon etkileşimleri

    KERİM SAVRAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. YORG-JİHN KİİN

  5. Kuantum ölçek etkileri altında termoelektrik ve termoölçek potansiyeller

    Başlık çevirisi yok

    SEVAN KARABETOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HACI OSMAN ALTUĞ ŞİŞMAN