Geri Dön

Dimetil sarısı ara yüzey kalınlığının heteroeklem aygıtların elektriksel parametreleri üzerine etkisinin incelenmesi

Investigation of the effect of the dimethyl yellow interfacial layer' thickness on the electrical parameters of heterojunction devices

  1. Tez No: 463712
  2. Yazar: OKTAY KARADUMAN
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ARİFE GENÇER İMER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 125

Özet

Bu tez çalışmasında, ince organik dimetil sarısı (DMY) ara yüzey kalınlığının heteroeklem aygıtların elektriksel ve fotoelektriksel parametrelerine etkileri üzerine bir araştırma yapılmıştır. Çalışmada, (100) yönelimine sahip ve özdirenci 1-10 Ω-cm olan p-Si yarıiletken kristali üzerine, ince yalıtkan tabaka olarak dönel kaplama (spin coating) metoduyla, metanolle çözülerek hazırlanmış 1x10-2 molarlık organik dimetil sarısı (C14H15N3) çözeltisi üç farklı kalınlıkta kaplanmış ve yüksek vakum ortamında alüminyum (Al) metali termal buharlaştırılarak Al/DMY/p-Si/Al diyot yapıları elde edilmiş ve üretilen aygıtların elektriksel ve fotoelektriksel karakteristik özellikleri incelenip analiz edilmiştir. Aygıtların elektriksel parametreleri oda sıcaklığı ve karanlıkta akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri ile belirlenmiştir. Buna göre her üç tip diyot da düz beslem I-V ölçümlerinde oldukça iyi bir doğrultucu davranış sergilemiştir. I-V karakteristiklerinden elektriksel idealite faktörü parametreleri ortalama olarak en kalın ara yüzeyli diyot için başta olmak üzere sırasıyla 1.85, 2.24, 3.35 ve ortalama engel yüksekliği değerleri ise 0.760 eV, 0.730 eV ve 0.635 eV olarak elde edilmiştir. Ayrıca Cheung, Norde fonksiyonları ve fotoelektriksel ölçümler aracılığıyla organik-inorganik aygıtın bazı elektriksel ve fotoelektriksel parametreleri hesaplanmıştır. Tüm yöntemlerden elde edilen sonuçların mukayesesi yapılarak tartışılmıştır. Elde edilen tüm bulgulara dayanarak elektriksel ve fotoelektriksel parametrelerin aygıt ara yüzeyi kalınlığıyla ayarlanabilip kontrol edilebilirliği ve Al/DMY/p-Si/Al aygıtının doğrultucu kontak, fotosensör, güneş pili, fotodiyot, fotodedektör gibi pek çok elektronik ve optoelektronik uygulamalarda kullanılabilirliği ortaya konulmuştur.

Özet (Çeviri)

We have fabricated and analyzed dimethyl yellow (DMY)/p-Si organic-inorganic heterojunction device by forming dimethyl yellow (C6H5N=NC6H4N(CH3)2) thin film with three different thicknesses. The DMY solution have been coated via spin coater on the p-Si substrate with an orientation of (100) and resistivity of 1-10 Ω-cm and aluminum (Al) metal have been evaporated on the device to form top contacts. The electrical parameters of the device were determined from current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) measurements in dark at the room temperature. The all three types of diode revealed a pretty good rectifying behavior for the forward bias I-V measurements. The electrical parameters such as ideality factor and barrier height were calculated for all samples with three interlayer thickness from I-V measurements, and the average values of ideality factor were obtained as 1.85, 2.24, 3.35 from the thicker interlayer to thinner one and similarly the average values of barrier height were found as 0.760 eV, 0.730 eV, 0.635 eV, respectively. Furthermore, Cheung and Norde functions were used to obtain and verify some of electrical parameters of the organic-inorganic device. The photoelectrical parameters were also determined under different light illuminations in room conditions. The obtained results from all methods are compared and discussed. According to all findings it is concluded that the electrical and photosensing properties of diode can be controlled by the thickness of the interfacial layer and Al/DMY/p-Si/Al heterojunction devices can be used in various electronic and optoelectronic applications such as rectifier, optical sensor, solar cell, photodiode and photodedector.

Benzer Tezler

  1. Direct synthesis of dimethyl ether from carbon dioxide on a physical mixture of CuO-ZnO-Al2O3 and MCM-41-supported tungstophosphoric acid

    CuO-ZnO-Al2O3 and MCM-41 destekli tungstofosforik asitin fiziksel karışımı üzerinde karbodioksitten doğrudan dimetil eterin sentezi

    BETÜL ŞEKER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Kimya MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Kimya ve Biyoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ALPER UZUN

  2. Deneysel ganglion hücre hasarında isradipinin koruyucu etkinliği

    Protective effectiveness of isradipine in experimental ganglion cell damage

    İLTER GÜÇLÜ

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Göz HastalıklarıFırat Üniversitesi

    Göz Hastalıkları Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FATMA ÜLKÜ ÇELİKER

  3. Hidatik kist skolekslerinde farklı ajanların in vitro etkilerinin değerlendirilmesi

    Evaluation of in vitro effects of different agents on hydatid cyst scolices

    FURKAN AYAN

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Genel CerrahiBezm-i Alem Vakıf Üniversitesi

    Genel Cerrahi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERTAN BÜLBÜLOĞLU

  4. Fosforil diazo asetaldehitleri sentez yöntemleri

    Synthesis of phosphoryl diazoacetaldehydes

    SİBEL HOCAOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÖZKAN SEZER

  5. Colchicum bivonae guss. tohumlarının alkaloitleri üzerinde araştırmalar

    Investigations on the alkaloids of the seeds of colchicum bivonae guss.

    BURÇAK YEŞİLTEPE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Eczacılık ve Farmakolojiİstanbul Üniversitesi

    Farmakognozi Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. NURHAYAT SÜTLÜPINAR