Geri Dön

Cds/cuo heteroeklem yapının elde edilmesi ve fiziksel özelliklerinin incelenmesi

Obtaining of cds/cuo heterojunction structure and investigation of physical properties

PDF İndir

  1. Tez No: 467645
  2. Yazar: HİLAL RÜZGAR
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. AHMET ŞENOL AYBEK
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Elektriksel özellikler, Optik özellikler, X ışını kırınımı, Electrical properties, Optical properties, X ray diffraction
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Anadolu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada CdS ve CuO yarıiletken filmleri mikroskop ve flor katkılı kalay oksit kaplı cam tabanlar üzerine kimyasal banyo depolama yöntemi ile elde edilmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden elde edilen CdS filmlerinin yüzey merkezli kübik ve CuO filmlerinin basit taban merkezli monoklinik yapıda oldukları belirlenmiş, örgü sabitleri, kristal tanecik boyutları, kristal yapıdaki sıkışmalar, gerilmeler ve dislokasyon yoğunlukları hesaplanmıştır. Filmlerin yasak enerji aralıklarının direkt bant geçişli oldukları belirlenmiş, cam ve FTO taban üzerine elde edilen CdS filmlerinin yasak enerji aralıkları sırasıyla 2,39 ve 2,35 eV, CuO filmleri için sırasıyla 1,61 ve 1,26 eV olduğu hesaplanmıştır. Filmlerin fotolüminesans ölçümlerinden tuzaklar tanımlanmıştır. Filmlerin yüzey morfolojisi analizleri atomik kuvvet mikroskobu ve alan emisyon taramalı elektron mikroskobu ile incelenmiştir. KBD yöntemiyle FTO taban üzerine p-CuO/n-CdS yapısı elde edilerek üzerine altın kontaklar buharlaştırılmıştır. Filmlerin elektriksel özelliklerinden tuzaklı yapıya sahip oldukları ve tuzak yoğunluklarının CdS ve CuO filmleri için sırasıyla 1,04×1021 ve 3,18×1025 m-3, tuzak enerji seviyelerinin CdS için 0,67 eV iletim bandının altında ve CuO filmi için 0,31 eV valans bandının üzerinde olduğu belirlenmiştir. C-V ölçümlerinde Vbi değeri CdS için 0,43 V ve CuO filmi için 0,68 V olarak hesaplanmıştır. G-f ölçümlerinden CdS filmindeki tuzakların yasak enerji aralığında düzgün olmayan dağılım gösterdikleri belirlenmiştir. FTO/p-CuO/n-CdS/Au yapısının I-V ölçümlerinden ideal diyot faktörünün 3,53 olduğu hesaplanmıştır.

Özet (Çeviri)

CdS and CuO films have been grown onto microscope and fluorine doped tin oxide coated glass substrates using the chemical bath deposition method. Crystal structures of the CdS and CuO have been determined face-centered cubic and simple base-centered monoclinic structure respectively, and lattice constants, crystallite sizes, strains and dislocation densities calculated by xrd diffraction patterns. The forbidden energy gaps of films have been estimated. The films have exhibited direct band transition and the optical band gap values of the CdS are calculated 2.39 and 2.35eV for glass and FTO, respectively. Also, the band gap values of the CuO films are 1.61 and 1.26eV for glass and FTO, respectively. Traps are defined from the photoluminescence measurements of the films. The surface morphology analyses of the films have been investigated by atomic force microscopy and field emission scanning electron microscopy. The p-CuO/n-CdS stucture has been obtained on the FTO by CBD method and the gold contacts were evaporated as top electrode on the n-CdS. Trap density of CdS and CuO have been found to be 1.04×1021 and 3.18×1025 m-3 respectively, trap energy levels is 0.61eV below conduction band for CdS and 0.31eV above valance band for CuO. From the C-V measurements, the Vbi value was calculated to be 0.43V for CdS and 0.68V for CuO. It has been determined that the traps in the CdS from the G-f measurements show an non-uniformly distribution inside the forbidden energy gap. The diode ideality factor of the FTO/p-CuO/n-CdS/Au structure has been estimated 3.53 from the I-V measurements.

Geri Dön