Geri Dön

RF saçtırma yöntemi ile biriktirilen CdS ve ZnS ince filmlerin karakterizasyonu ve heteroeklem üretiminde kullanılması

Characterization of CdS and ZnS thin films deposited by RF sputtering method and usage in the fabrication heterojunctions

PDF İndir

  1. Tez No: 413316
  2. Yazar: CİHAT BOZKAPLAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. KEMAL AKKILIÇ
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: CdS, ZnS, SEM, AFM, heteroeklem, engel yüksekliği, idealite faktörü ve seri direnç, CdS, ZnS, SEM, AFM, heterojunction, barrier height, ideality factor and series resistance
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Dicle Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 150

Özet

II–VI grubu bileşiklerinden CdS ve ZnS oda sıcaklığında geniş ve doğrudan bant aralığına sahip olmasından dolayı güneş pilleri, optik sensörler ve kızılötesi pencereler gibi optoelektronik uygulamalarda oldukça önemli bir yer bulmaktadır. Bu çalışmada RF saçtırma yöntemi ile biriktirilen CdS ve ZnS ince filmlerinin yüzey ve optik özelliklerine alttaş sıcaklığının etkisi incelendi. Yüksek saflıkta CdS ve ZnS hedefler kullanılarak 40, 150 ve 275 oC alttaş sıcaklıklarında p–Si ve cam üzerine CdS ve ZnS ince filmleri oluşturuldu. Elde edilen filmlerin yüzey özellikleri AFM ve SEM yöntemleri ile araştırıldı. Ayrıca optik özellikleri de UV–Vis ölçümleri ile belirlendi. Alttaş sıcaklığının ince filmlerin fiziksel yapısı üzerine etkisi açık bir şekilde gözlendi. Ag/CdS/p–Si ve Ag/ZnS/p–Si heteroeklem diyotları termal buharlaştırma yoluyla elde edildi. Yapıların karanlıkta ve güneş simülatörü altında alınan I–V ölçümleri ile elektriksel ve fotoelektriksel özellikleri araştırıldı. Üretilen heteroeklemlerin iyi doğrultucu kontak davranışı gösterdiği gözlendi. I–V ve C–V eğrilerinden idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç gibi elektriksel parametreler hesaplandı. Elde edilen sonuçlar literatürde mevcut bulunan CdS ve ZnS heteroeklem kontaklarla karşılaştırıldı.

Özet (Çeviri)

The CdS and ZnS II–VI compounds are of great importance in the optoelectronic applications, for example, in solar cells, optical sensors, infrared windows because of its direct and wide band gap at room temperature. This study presents the effects of substrate temperature on morphological and optical properties of radio frequency (RF) sputtered CdS and ZnS thin films. The thin films were formed on p–Si wafer and soda lime glasses at 40, 150 and 275 oC using high purity CdS and ZnS targets. Morphological properties of CdS and ZnS thin films were analyzed by the help of atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM) methods. The optical properties of sputtered the thin films were determined using UV–vis data. It was seen that substrate temperature had strong effects on physical characteristics of thin films. Ag/CdS/p–Si and Ag/ZnS/p–Si heterojunction diodes were fabricated by thermally evaporation. Electrical and photoelectrical properties of the heterojunctions were analyzed at room temperature by means of current–voltage (I–V) measurements of devices in dark and under a solar simulator with various illumination intensities. The heterojunctions were showed good rectifying behavior by the I–V curves at room temperature. The barrier height, ideality factor and series resistance parameters were investigated using its current–voltage (I–V) measurements. Obtained results have been compared with available results of CdS and ZnS heterjunction contacts in literature.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    746382

    Metal oksit ince filmlerin saçtırma tekniği ile üretimi karakterizasyonu ve gaz sensörü uygulamalarının araştırılması

    Production and characterization of metal oxide thin films by sputtering technique and investigation of gas sensor applications

    FATİH ŞENASLAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Makine MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYHAN ÇELİK

  2. Tez No

    616401

    Temperature dependent electrical properties of MoS2/n-Si heterojunction

    MoS2/n-Si heteroeklemin sıcaklığa bağlı elektriksel özellikleri

    HONAR SALAH AHMED

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK

  3. Tez No

    301098

    Chemistry and structure of sputter deposited boron-carbon-nitrogen thin films

    Saçtırma biriktirme yöntemi ile elde edilen bor-karbon-azot ince filmlerin kimyası ve yapısı

    MUSTAFA FATİH GENİŞEL

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Kimyaİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ERMAN BENGÜ

  4. Tez No

    775032

    Güncel olarak kullanılan dental implant malzemelerinin biyouyumluluk ve mekanik özelliklerinin araştırılması

    Investigation of the biocompatibility and mechanical properties of currently used dental implant materials

    SEDANUR KELEŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    BiyomühendislikAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RECEP SADELER

    PROF. DR. ZEYNEP YEŞİL DUYMUŞ

  5. Tez No

    600115

    Fabrication and characterization of (Al2O3-BST) double dielectric layer full ceramic capacitor

    Çift dielektrik katmanlı (Al2O3-BST) tamamı seramik kapasitörün üretimi ve karakterizasyonu

    ABDULLAH MUDHER ISMAAL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MURAT KALELİ

Geri Dön