Geri Dön

Molecular beam epitaxial growth of ZnSe on (211)B GaAs

ZnSe'ın (211)B GaAs üzerine moleküler demet epitaksiyel büyütülmesi

  1. Tez No: 473183
  2. Yazar: BEGÜM YAVAŞ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. SERKAN ATEŞ, PROF. DR. SERDAR ÖZÇELİK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 81

Özet

Bu tezin amacı ZnSe ara katmanının GaAs(211)B yüzeyine Moleküler Demet Epitaksiyel (MBE) ile büyütülmesidir. Bu çalışmada, büyütme sıcaklığı, VI/II akı oranı, In ve As ile yapılan deoksidasyon adımları çalışılmıştır. Filmlerin kristal kalitesi X-ışın kırınımı (XRD) ile tahmin edilmiştir. Yüzey morfolojisi atomik kuvvet mikroskobu ve Nomarski mikroskobu ile analiz edilmiştir. ZnSe ara katmanının titreşimli fonon modları, termal ve elastik gerilimleri Raman spektroskobisi kullanılarak gözlemlenmiştir.

Özet (Çeviri)

The aim of this theses is the growth of ZnSe epilayer films on (211) GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE). The effect of growth temperature, VI/II flux ratio and deoxidation process with In and As were studied in this study. Crystal qualities of films were investigated by using X-ray diffraction. The surface morphology of ZnSe films were analyzed by atomic force microscopy and Nomarski microscopy. Vibrational phonon modes, thermal and elastic strains of ZnSe epilayer were observed by using Raman spectroscopy.

Benzer Tezler

  1. II-VI elektrolüminesans cihazları

    II-VI electroluminescent devices

    MEHMET DOMAÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. SAMİ GEZCİ

  2. Characterization of defect structure of epitaxial CdtTe films

    Epitaksiyel CdtTe filmlerin kusur yapılarının karakterizasyonu

    SELİN ÖZDEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YUSUF SELAMET

    YRD. DOÇ. DR. ENVER TARHAN

  3. Molecular beam epitaxial growth and characterization of extended short wavelength infrared mercury cadmium telluride detectors

    Uzatılmış kısa dalga boyu kızılötesi cıva kadmiyum tellür dedektörlerin moleküler ışın epitaksisi ile büyütülmesi ve karakterizasyonu

    EMRAH ŞAŞMAZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ

  4. Molecular beam epitaxy growth and characterization of CdTe heterostructures on GaAs– effect of interface, growth and annealing conditions to crystal quality

    CdTe hetero-yapılarının GaAs üzerine moleküler demet epitaksi ile büyütülmesi ve karakterizasyonu – arayüz, büyütme ve tavlama koşullarının kristal kalitesine etkisi

    OZAN ARI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ORHAN ÖZTÜRK

    PROF. DR. SIVALINGAM SIVANANTHAN

  5. Moleküler demet epitaksi ile üretilmiş pd-zr ince filmlerin karakterizasyonu

    Characterization of deposited Pd-Zr thin films by moleculer beam epitaxy

    ELİF TAŞTABAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Metalurji MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü

    PROF. DR. EŞREF AVCI