Geri Dön

Organik tabanlı diyotların sıcaklığa bağlı akım-gerilim karakterizasyonu

Organic-based diodes depending on current-voltage characteristics

  1. Tez No: 477591
  2. Yazar: FATMA ÖZKAHRAMAN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Dicle Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 62

Özet

Bu tezde, (100) yönelimine sahip p-Si ve C21H12N3O2 formülüne sahip Coumarin 30 molekülü kullanılarak Al/Coumarin 30/p-Si yapısı oluşturuldu. Al/Coumarin 30/p-Si yapısının akım-gerilim (I-V) ölçümleri 300-380 K aralığında alındı ve yapının doğrultucu kontak özelliği gösterdiği gözlemlendi. Diyotun idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç gibi elektriksel özellikleri I-V verileri kullanılarak 300-380 K aralığında incelendi. Sıcaklık artar iken idealite faktörünün ve seri direncin azaldığı ve engel yüksekliğinin azaldığı gözlemlendi. Al/Coumarin 30/p-Si yapısının engel yüksekliğinin klasik Al/p-Si metal-yarıiletken (MS) kontağından daha yüksek olduğu Coumarin 30 aratabakası ile Al/p-Si MS kontağının engel yüksekliğinin arttırıldığı görüldü. Yapının I-V ölçümleri aynı zamanda oda sıcaklığında 100 mW/cm2 ışık altında gerçekleştirildi. Yapının fotodiyot özelliği gösterdiği gözlemlendi. Ayrıca diyotun oda sıcaklığında kapasite-gerilim (C-V) ve kapasite-frekans (C-f) ölçümleri gerçekleştirildi. C ışık altında gerçekleştirildi. Yapının fotodiyot özelliği gösterdiği gözlemlendi. C2-V eğrisi kullanılarak yapının elde edilen engel yüksekliği değerinin I-V verileri ile elde edilenden yüksek olduğu gözlemlendi.

Özet (Çeviri)

In this thesis, Al/Coumarin 30/p-Si structure was formed using p-Si wafer with (100) orientation and Coumarin 30 with C21H12N3O2 moleculer formula. Current-voltage (I-V) characteristics of Al/Coumarin 30/p-Si were measured between 300 and 380 K and it was seen that the structure has rectifying behaviour. Electrical properties of the diode such as ideality factor, barrier height and series resistance were analyzed in the range of 300-380 K using I-V data. It was seen that when the temperature increases the both ideality factor and series resistance decreases and barrier height increases. It was observed that the barrier height of Al/Coumarin 30/p-Si structure was higher than the conventional Al/p-Si metal/semiconductor (MS) contact and the barrier height of Al/p-Si MS contact was Coumarin 30 interlayer increases the Al/p-Si MS contact. The I-V measurement of the device was also carried out at room temperature under a light with 100 mW/cm2 illumination. Photodiode property of the structure was observed. Furthermore, capacitance-voltage (C-V) and capacitance-frequency (C-f) measurements of the diode were carried out at room temperature. It was seen that the barrier height value obtained from C2-V plot was higher than the one obtained using I-V

Benzer Tezler

  1. Silisyum tabanlı organik-inorganik diyotların elektriksel karakterizasyonu

    Electrical characterization of silicon based organic-inorganic diodes

    DİLEK DUYGU ORAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YASEMİN ÇAĞLAR

  2. InGaN tabanlı ışık yayan diyotların optik özellikleri

    Optical properties of InGaN based light emitting diodes

    REMZİYE BALCI EREN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. REMZİYE TÜLEK

  3. Electrical properties and device applications of atomic layer deposited ZnO and GaN thin films

    Atomik katman kaplama metoduyla büyütülen ZnO ve GaN ince filmlerin elektriksel özellikleri ve aygıt uygulamaları

    SAMİ BOLAT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY

  4. Synthesis, properties and device applications of thienothiophene containing polymers with different functional groups

    Farklı fonksiyonel gruplara sahip tiyenotiyofen içeren polimerlerin sentezi, özellikleri ve cihaz uygulamaları

    DİLARA GÜNTÜRKÜN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TURAN ÖZTÜRK

  5. Fabrication and characterization of perylene diimide doped polyfluorene based solution processed blue organic light emitting diodes

    Çözelti süreçli, perilen diimid katkılı, polifloren tabanlı mavi ışık yayan organik diyotların hazırlığı ve karakterizasyonu

    SEVDE NUR UTLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Bilim ve Teknolojiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CANAN VARLIKLI

    PROF. DR. MUSTAFA MUAMMER DEMİR