Geri Dön

Leakage current reduction in dynamic analog storage

Cmos analog bellekte kaçak akım azaltımı

  1. Tez No: 480552
  2. Yazar: EROL ASIĞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. UĞUR ÇİLİNGİROĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Yeditepe Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Ayrık zamanlı sistemlerde analog verinin işlenebilmesi için önce örneklenmesi ve bir kondansatör üzerinde tutulması gerekir. Bu basit işlem, yeterince yüksek frekansta tekrarlanması koşuluyla, sorun yaratmadan yerine getirilebilir. Düşük frekans veya yüksek sıcaklık uygulamalarında ise kondansatör üstünde tutulan veride kayda değer kayıp ortaya çıkabilir. Bunun nedeni örnekleme anahtarına ilişkin kaçak akımlarıdır. Bu akımlar özellikle 0.18-μm ve daha yeni CMOS ailelerinde ihmal edilemez boyuttadır. Bu projede, örnekleme ve tutma işlemi yapan bir anahtarın açık olduğu konumda terminalleri arasındaki gerilimleri en fazla 100 μV ile sınırlayarak kaçak akımlarını hemen hemen ortadan kaldıran özgün bir koruma tekniği önerilmektedir. Bu teknikle sağlanacak veri tutma süresinin aynı amaca hizmet eden diğer tekniklerin sağladığı süreden en az bir mertebe daha uzun olması beklenmektedir. Yerleşme süresinin kısalığı ve faz ilişkisi olmayan iki saatla çalışabilmesi gibi ek avantajlara da sahiptir. Üerindeki yegane sınırlama derin n-kuyulu NMOS transistor kullanımıdır.

Özet (Çeviri)

Analog data has to be sampled and held across a capacitor prior to processing by a discrete time system. This requirement can be easily fulfilled as long as the sampling process is repeated at a sufficiently high frequency. In the case of low-frequency sampling or high temperature operation the leakage currents associated with the sampling switch may deteriorate the data held across the storage capacitor. These leakage currents are particularly significant in the 0.18-μm or newer CMOS technology nodes. We propose in this project a novel guarding technique that virtually eliminates the leakage current of an open switch by limiting port voltages to 100 μV at most. The data hold time offered by this technique is expected to be at least an order of magnitude longer than what the alternative techniques serving the same purpose can achieve. Featuring a short settling time and operating with only two unsynchronized clocks are two additional advantages offered by this technique. The only limitation on its application is the necessity of deep n-well NMOS devices.

Benzer Tezler

  1. Promptshıeld: polıcy-aware data loss preventıon framework for generatıve AI prompts

    Promptshıeld: Politika farkındalıklı üretken yapay zekâ istemleri için veri kaybı önleme çerçevesi

    EZGİ KELEŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2026

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik Üniversitesi

    Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞERİF BAHTİYAR

  2. Hidrolik kontrol valflerinde çalışma kuvvetleri

    Operating forces in hydraulic control valves

    MUSTAFA İNAL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. MUSTAFA GEDİKTAŞ

  3. Güneş enerjisi ile soğutma

    Başlık çevirisi yok

    M. ADNAN FERVATİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1984

    Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    DOÇ. DR. REFAH AYBER

  4. Bir konfeksiyon fabrikasında günde 400 adet kaynak pantolonu üretiminin planlanması

    Başlık çevirisi yok

    TUĞRUL EDİZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1987

    Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge Üniversitesi

    Tekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. M. NAZMİ ERCAN

  5. Efficiency optimization of silicon solar cells

    Başlık çevirisi yok

    HASAN GÖKPINAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1988

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    DOÇ. DR. MÜZEYYEN SARITAŞ