Leakage current reduction in dynamic analog storage
Cmos analog bellekte kaçak akım azaltımı
- Tez No: 480552
- Danışmanlar: PROF. DR. UĞUR ÇİLİNGİROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Yeditepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 58
Özet
Ayrık zamanlı sistemlerde analog verinin işlenebilmesi için önce örneklenmesi ve bir kondansatör üzerinde tutulması gerekir. Bu basit işlem, yeterince yüksek frekansta tekrarlanması koşuluyla, sorun yaratmadan yerine getirilebilir. Düşük frekans veya yüksek sıcaklık uygulamalarında ise kondansatör üstünde tutulan veride kayda değer kayıp ortaya çıkabilir. Bunun nedeni örnekleme anahtarına ilişkin kaçak akımlarıdır. Bu akımlar özellikle 0.18-μm ve daha yeni CMOS ailelerinde ihmal edilemez boyuttadır. Bu projede, örnekleme ve tutma işlemi yapan bir anahtarın açık olduğu konumda terminalleri arasındaki gerilimleri en fazla 100 μV ile sınırlayarak kaçak akımlarını hemen hemen ortadan kaldıran özgün bir koruma tekniği önerilmektedir. Bu teknikle sağlanacak veri tutma süresinin aynı amaca hizmet eden diğer tekniklerin sağladığı süreden en az bir mertebe daha uzun olması beklenmektedir. Yerleşme süresinin kısalığı ve faz ilişkisi olmayan iki saatla çalışabilmesi gibi ek avantajlara da sahiptir. Üerindeki yegane sınırlama derin n-kuyulu NMOS transistor kullanımıdır.
Özet (Çeviri)
Analog data has to be sampled and held across a capacitor prior to processing by a discrete time system. This requirement can be easily fulfilled as long as the sampling process is repeated at a sufficiently high frequency. In the case of low-frequency sampling or high temperature operation the leakage currents associated with the sampling switch may deteriorate the data held across the storage capacitor. These leakage currents are particularly significant in the 0.18-μm or newer CMOS technology nodes. We propose in this project a novel guarding technique that virtually eliminates the leakage current of an open switch by limiting port voltages to 100 μV at most. The data hold time offered by this technique is expected to be at least an order of magnitude longer than what the alternative techniques serving the same purpose can achieve. Featuring a short settling time and operating with only two unsynchronized clocks are two additional advantages offered by this technique. The only limitation on its application is the necessity of deep n-well NMOS devices.
Benzer Tezler
- Yüksek güçlü IGBT'ler için kapı sürme devresi
Gate drive circuit for high power IGBTs
OSMAN TANRIVERDİ
Doktora
Türkçe
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ DENİZ YILDIRIM
- Sincap kafesli asenkron makinenin rotor alan yönlendirmeli kontrolü
Rotor field-orientation control of a squirrel cage induction machine
SAFFET ALTAY
Yüksek Lisans
Türkçe
1995
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. M. EMİN TACER
- Sincap kafesli asenkron makinanın kayma kipli vektör kontrolü
Başlık çevirisi yok
RENAN MERT ÖZEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik ÜniversitesiDOÇ.DR. İBRAHİM EKSİN
- Asenkron makinenin hız sensörsüz vektör kontrolü
Başlık çevirisi yok
ANIL BÜYÜKATLI
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. M. EMİN TACER
- Maksimum güç noktası izleme sistemine sahip 500 kw gücünde şebeke bağlantılı bir güneş enerji santralinde kısmi gölgelenmenin üretim üzerindeki etkilerinin incelenmesi
An investigation of partial shading effect in a 500 kw solar power plant which have a maximum peak point tracking system
ALPER TURAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ LEVENT OVACIK