Temperature dependence of zero phonon line emission from defects in hexagonal boron nitride and design of photon-pair source
Altıgen bor nitrürdeki kusur merkezlerinden sıcaklığa bağlı sıfır fonon çizgisi ışıması ve foton-çifti kaynağı tasarımı
- Tez No: 482470
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SERKAN ATEŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez altıgen bor nitrürdeki kusur merkezleri üzerine yapılan çalışmaları ve lineer olmayan dalga kılavuzu tasarınımını gösterir. Çok katmanlı hBN pulları ve silikon nitrür modern nanofotonik uygulamaları için uygun malzemelerdir. hBN'deki renk merkezleri kesikli enerji seviyelerinden oluşur, çünkü her bir kusur merkezi farklı doyum güçlerine ve dipol kutuplaşmalarına sahiptir. Kusur merkezlerinden gelen ışımanın çizgi s¸ekli doğrudan phonon titreşimleri ve örneğin sıcaklığı ile ilgilidir. Ayrıca, renk merkezlerindeki fonon bantları ışımanın dalga boyunu etkiler ve istatistiksel fononların sıfır fonon çizgisine etkisini çalıştık. Dolanık foton çifti üretmek için Si3N4 dalga kılavuzu görünür bölgede çok verimli çip ölçekli foton çifti kaynağı olabilir. Sıfır dağılım dalga boyu hesaplamaları 780 nm pompa dalga boyu için verimli bir dalga kılavuzu geometrisini 650 600 nm2 olarak verir.
Özet (Çeviri)
This thesis presents studies of the defect centers in hBN and design of nonlinear waveguide. The multilayer hBN flakes and Si3N4 waveguide are available materials in modern nanophotonics applications. The color centers in hBN are consisted of quantized states because each defect center has different saturation power and dipole polarization. The line shape of emission from defect centers is directly depended photon vibrations and temperature of sample. Moreover, phonon bands in the color centers affect the wavelength of emission and we statistically worked on the phonon effects on ZPL. The Si3N4 waveguide can be more efficient chip scale photon pair sources to create entangled photons in visible band. The zero dispersion wavelength calculations give an efficient waveguide geometry as 650 600 nm2 for 780 nm pump wavelength. iv
Benzer Tezler
- Amorf silisyumda staebler wronski etkisinin fotoiletkenlik parametresi üzerindeki rolü
The Role of staebler-wronski effect on the prameter of photocondictivity in amorphus silicon
SEVİLAY UĞUR
- Thermoelectric properties of Si-based two dimensional structures
Başlık çevirisi yok
SEDAT AĞAN
Doktora
İngilizce
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiUnıversıty Of WarwıckFizik Ana Bilim Dalı
PROF. T. E. WHALL
PROF. E. H. C. PARKER
- Impurity effects on superconductors and the electron-phonon interaction
Üstüniletkenlerde safsızlık etkileri ve elektron-fonon etkileşimleri
KERİM SAVRAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. YORG-JİHN KİİN
- Synthesis and optoelectronic properties of two-dimensional transition metal dichalcogenides
Başlık çevirisi yok
İSMAİL BİLGİN
- İzotropik yapılarda sıfır diş alan için enerjiye bağımlı süperiletken yasak bandı denklemlerinin kritik bölgede çözümü
The Critical region solution to the energy dependent superconductor gap equations in zero field for isotropic structures
AYTEKİN TÜBLEK
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. HAMİT YURTSEVEN