Si3N4 ile pasive edilmiş AlGaN/GaN temelli çoklu yapılarda düşük alan iletimi ve sıcak-elektron iletimi çalışmaları
Investigations of low-field transport and hot-electron transport in passivated AlGaN/GaN hemts with Si3N4
- Tez No: 493713
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 179
Özet
AlGaN/GaN çokluyapıları günümüz modern elektroniği için yüksek güç, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık uygulama alanlarında yaygın bir kullanım alanı bulmaktadır. Bu yaygın kullanım alanına rağmen AlGaN/GaN çokluyapılara dayanan elektronik aygıtlar işleyişleri sırasında bazı problemlere de sahiptir. Bu problemlerden biri akım-gerilim karakteristiklerinde görülen akım çöküşüdür. Çokluyapı yüzeyindeki yüzey durumlarında tuzaklanan elektronların neden olduğu akım çöküşünü önlemek için uzun yıllardır yüzeyde bir Si3N4 yüzey pasivasyonu katmanı kullanılır. Bu katman sayesinde yüzey durumlarında azalma sağlanarak tuzaklanan elektron sayısı indirgenir ve akım çöküşü belirli oranda hafifletilir. Yüksek güç ve yüksek frekans elektronik aygıtlarında yaygın olarak kullanılan bu yöntemin ardındaki mekanizmaların daha iyi anlaşılmasında düşük alan ve sıcak-elektron iletim incelemeleri önemli bir rol oynayabilir. Bu tez çalışmasında, AlGaN/GaN çokluyapılarda Si3N4 yüzey pasivasyonunun iki boyutlu elekton gazı üzerine etkisi farklı numune gruplarının sıcaklığa bağlı Hall etkisi ve sıcak-elektron dinamiği ölçümleri sayesinde deneysel olarak incelenmiştir. Düşük alan iletimi incelemelerinde yüzey pasivasyon katmanının taşıyıcı yoğunluğunu artırmasıyla arayüzey bozukluğu saçılma mekanizmasının hareketlilik üzerindeki etkisini artırdığı bulunmuştur. Sıcak-elektron dinamiği ölçümleri ile yapılan analizlerde AlGaN/GaN çokluyapılarda sürüklenme hızıelektrik alan karakteristiklerinde negatif diferansiyel direnç olgusunun deneysel gözlemi ilk kez başarılmıştır.
Özet (Çeviri)
AlGaN/GaN heterostructures have a widely usage area in high power, high frequency and high temperature applications for modern electronics. Despite of this widely usage area, AlGaN/GaN based electronics devices have some problems during the operation. One of these problems is current collapse in current-voltage characteristics. For long years, Si3N4 surface passivation is used in surface of heterostructure to prevent current collapse. Because electrons trapped by surface states in surface leads to current collapse and this passivation layer reduces surface states in surface. Therefore, number of trapped electrons is decreased and current collapse is suppressed at certain amount. Low-field transport and hot-electron transport investigations can play an important role in better understanding the behind mechanisms of this method widely used in high power and high frequency electronics devices. In this thesis study, the effect of Si3N4 passivation layer on two dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures is investigated with temperature dependent Hall effect and hot-electron dynamics measurements of different sample groups. In low-field transport investigations, since carrier density is increased with surface passivation, it was found that effect of interface roughness scattering mechanism on mobility is increased. In analyses with hot-electron dynamics measurements, the experimental observation of the negative differential resistance phenomena in drift velocity-electric field characteristics of AlGaN/GaN heterostructures was firstly achieved.
Benzer Tezler
- Grafen/Sİ3N4 ile nano boyutta katkılandırılmış termoplastiğin mekanik özelliklerinin incelenmesi
Investigation the mechanical properties of thermoplastic nano-doped with graphene/Sİ3N4
OSMAN DALAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Mühendislik BilimleriEge ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FAZİLET ZÜMRÜT BİBER MÜFTÜLER
DR. ÖĞR. ÜYESİ COŞKUN HARMANŞAH
- VC ve Si3N4 katkılı Ti6Al4V alaşımının spark plazma sinterleme yöntemi ile üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of VC and Si3N4 added Ti6Al4V alloy via spark plasma sintering method
BÜŞRA GÜNEY
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FİLİZ ŞAHİN
- Grafen- Si3N4 takviyeli titanyum hibrit kompozitlerin tribolojik özelliklerinin incelenmesi
Investigations on tribological properties of graphene-Si3N4 reinforced Ti64 matrix hybrid composites
HALİL İBRAHİM BİLİCİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Makine MühendisliğiHitit ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ YUSUF KANCA
DOÇ. DR. MEVLÜT GÜRBÜZ
- Heterojen içyapıya sahip seramik kesici uçların geliştirilmesi
Development of ceramic cutting tools with heterogeneous microstructures
UFUK AKKAŞOĞLU
Doktora
Türkçe
2018
Metalurji MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FERHAT KARA
PROF. DR. SERVET TURAN
- α/ß-SiAlON seramiklerinin sürünme davranışlarının incelenmesi
The creep behavior study of α/ß-SiAlON ceramics
ALPER ULUDAĞ
Doktora
Türkçe
2010
Mühendislik BilimleriAnadolu ÜniversitesiSivil Havacılık Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. DİLEK TURAN