Geri Dön

ZnO/Si heteroeklem diyotların yapısal, elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi

Investigation of the structural, electrical and optical properties of ZnO/Si heterojunction diodes

  1. Tez No: 499428
  2. Yazar: SERHAT SARSICI
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. SERTAN KEMAL AKAY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: ZnO, p-Si, hetero eklem, ince film, elektriksel özellikler, ZnO, p-type Si, heterojunction, thin film, electrical properties
  7. Yıl: 2018
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Uludağ Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Genel Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 57

Özet

Bu tez çalışmasında, Radyo Frekans Magnetron saçtırma tekniği kullanılarak (100) kristal yönelimli p-tipi Silisyum üzerine ZnO ince film büyütülerek ZnO/Si hetero eklem diyot elde edilmiştir. Üretilen hetero eklem diyotun morfolojik analizi X-Işını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve atomik kuvvet mikroskobu (AFM) kullanılarak incelenmiştir. XRD sonuçları ZnO ince filmin kübik nano kristal yapıda olduğunu göstermiştir. AFM ve SEM analiz sonuçları ile filmin yaklaşık olarak 2 nm yüzey pürüzlülük değeri ile tüm yüzeyi kaplayan düzgün bir dağılım gösterdiği tespit edilmiştir. ZnO ince filmin optik karakterizasyonu cam alt taş üzerine kaplanan ZnO ince filmden ölçülmüştür. ZnO'nun yasak band aralığı 3,34 eV olarak hesaplanmıştır. Üretilen diyotun akım-voltaj ve kapasitans-voltaj ölçümleri gerçekleştirilerek yapının elektriksel parametreleri belirlenmiştir. Elde edilen sonuçlar literatür ile karşılaştırılmıştır. Ayrıca, üretilen yapının fotovoltaik karakteristiği aydınlık akım-voltaj ölçümleri ile belirlenmeye çalışılmıştır.

Özet (Çeviri)

In this thesis, a ZnO/Si heterojunction diode was produced by using the Radio Frequency (RF) Magnetron sputtering technique to deposit ZnO thin film on the p-type (100) Silicon wafer. The morphological properties of the fabricated heterojunction diode were investigated by the X-ray Diffraction (XRD) technique, the Scanning Electron Microscopy (SEM) and the Atomic Force Microscopy (AFM). XRD results showed that ZnO thin film was cubic with a nano crystalline structure. AFM and SEM analysis results showed that the film had a uniform distribution covering the entire surface with a surface roughness value of approximately 2 nm. The optical characterization of the ZnO thin film was measured from the ZnO thin film deposited on the glass substrate. The optical band gap value of the ZnO thin film was calculated to be 3,34 eV. The current-voltage and capacitance-voltage measurements of the fabricated diode were carried out to determine the electrical parameters of the structure. The obtained results were compared with literature. In addition, photovoltaic characterization of the fabricated structure was determined by current-voltage measurements.

Benzer Tezler

  1. Alüminyum katkılı ve katkısız çinko oksit ince filmlerin heteroeklem diyot özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of the heterojunction diode properties of aluminium doped and undoped zinc oxide thin films

    TANER KUTLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HAMİDE KAVAK

  2. Sol jel spin kaplama yöntemiyle elde edilen nano yapılı metal oksit filmlerinin fiziksel karakterizasyonu

    Physical characterization of nano structure metal oxide films deposited by sol gel spin coating method

    SEVAL AKSOY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YASEMİN ÇAĞLAR

  3. Bazı nadir toprak elementi katkılı ZnO filmlerinin eldeedilmesi, karakterizasyonu ve heteroeklem uygulamaları

    Preparation, characterization and heterojunction applications of ZnO films doped with some rare earth elements

    GONCA İLGÜ BÜYÜK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SALİHA ILICAN

  4. N, n′-dioktil-3,4,9,10-perilendikarboksiimid organik yarı iletken katkılı n-zno/p-si heteroeklem fotodiyotun ışığaduyarlılık performansının araştırılması

    Investigation photosensitivity performance of n,n′-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide organicsemiconductor doped n-zno/p-si heterojunction photodiode

    EMRECAN EMEKSİZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    BiyoteknolojiSelçuk Üniversitesi

    Biyoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT YILDIRIM

  5. Farklı sol parametrelerinde sol jel yöntemiyle elde edilen zno filmlerinin karakterizasyonu ve elektronik aygıt uygulamaları

    Characterization of zno films by sol–gel method using different solvents and electronic device applications

    MERAL NESRİN BAŞLANGIÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YASEMİN ÇAĞLAR