Geri Dön

Alüminyum katkılı ve katkısız çinko oksit ince filmlerin heteroeklem diyot özelliklerinin incelenmesi

Investigation of the heterojunction diode properties of aluminium doped and undoped zinc oxide thin films

PDF İndir

  1. Tez No: 763590
  2. Yazar: TANER KUTLU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. HAMİDE KAVAK
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Çukurova Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 112

Özet

Bu tez çalışmasında, çinko oksit (ZnO) ve %1, %2, %3, %5 molar oranlarında Al katkılı ZnO (ZnO:Al) ince filmler sol-jel yöntemi ile cam alttaşa biriktirildi. ZnO ince filmlerin yapısal, morfolojik, optiksel ve elektriksel davranışına Al katkı miktarının etkisi, X-ışını kırınımı, atomik kuvvet mikroskobu, taramalı elektron mikroskobu, X-ışını fotoelektron spektrometresi, fotolüminesans, ultraviyole görünür spektrofotometre ve Hall etkisi ölçümü ile incelendi. ZnO:Al ince filmler (002) yönelimli polikristal hegzagonal wurtzite yapıda olduğu belirlendi. En yüksek optik geçirgenlik %3 Al katkılı ZnO ince filmde görüldü. %1 Al katkılı ZnO film için minimum 5,50 Ωcm özdirenç ve filmlerin tamamının n-tipi elektriksel iletkenliğe sahip olduğu belirlendi. Bununla birlikte sol-jel yöntemi ile p tipi (100) yönelimli tek kristal silisyum (Si) yüzeye n-ZnO ve n-ZnO:Al ince filmlerin biriktirilmesiyle n-ZnO/p-Si ve n-ZnO:Al/p-Si heteroeklem diyotlar elde edildi. Bu yapıların I-V ve C-V karakteristiği incelendi ve diyot benzeri tek yönlü akım iletimi sergiledi. Heteroeklem diyotların doyum akımı, ideallik faktörü, yerleşik potansiyeli ve alıcı yoğunluğu gibi elektriksel parametreleri hesaplandı.

Özet (Çeviri)

In this thesis, zinc oxide (ZnO) and Al-doped ZnO (ZnO:Al) solutions prepared with different molar ratios of Al dopant 1%, 2%, 3%, 5% by sol-gel method were deposited on glass substrates by spin coating technique. The effect of Al dopant concentration on the structural, morphological, optical and electrical behavior of ZnO thin films was investigated with X-ray Diffraction, Atomic Force Microscopy, X-ray Photoelectron Spectroscopy, UV-Vis Spectrophotometer and Hall effect measurement. The ZnO and ZnO:Al films exhibited hexagonal wurtzite polycrystal structure with a preferred orientation along (002) direction. ZnO film with high optical transmittance more than 90% was obtained with 3% Al-doped. A minimum resistivity of 5,50 Ωcm was obtained in the 1at.% Al-doped ZnO film. All of the films were determined to have n-type electrical conductivity. n-ZnO/p-Si ve n-ZnO:Al/p-Si heterojunction diode fabricated by n-ZnO and n-ZnO:Al thin films (range of 1–5 at.% Al) have been deposited on p-type Si (100) substrates by sol-gel method. The electrical heterojunction properties were investigated current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics. The heterojunction diodes showed rectifying current feature behavior like diode. Saturation current, ideality factor, built-in potential and acceptor concentration as electrical parameters of heterojunction diodes were calculated.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    650793

    Zinc oxide based transparent conductive oxide thin films deposited by R.F. magnetron sputtering for photovoltaic applications

    Çinko oksit alaşımlı saydam illetken oksit ince filmlerin fotovoltaik uygulamalar için R. F. manyetik sıçratma tekniğiyle biriktirilmesi

    NİLÜFER DUYGULU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Metalurji MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Üretim Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET EKERİM

    DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ

  2. Tez No

    151143

    Isisal tavlamanın püskürtme yöntemiyle elde edilmiş çinko oksit filmlerin elektriksel iletkenlik ve optiksel özelliklerine etkisi

    The annealing effect on the electrical conductivity and optical properties of ZnO films deposited by spray pyrolysis method

    FİGEN ÖZYURT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. TÜLAY SERİN

  3. Tez No

    252334

    Katkılı ve katkısız çinko oksit (ZnO) ince filmlerin hazırlanması ve karakterizasyonu

    Preparation and characterization of doped and undoped zinc oxide (ZnO) thin films

    İDRİS SORAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FATMA Z. TEPEHAN

  4. Tez No

    541554

    Flor(F) katkılı ZnO ince filmlerin büyütülmesi, karakterizasyonu ve güneş pili potansiyeli

    Growth and charachterization of F doped ZnO thin films and their solar cell potential

    AHMET ÖZMEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET YILMAZ

  5. Tez No

    266621

    Growth and characterization of aluminum doped transparent and conductive zinc oxide thin films

    Aluminyum ile safsızlaştırılmış çinko oksit saydam ve iletken ince filmlerin üretilmesi ve karakterizasyonu

    DERYA ATAÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2010

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. YUSUF SELAMET

Geri Dön