Epitaksiyel-silisyum'dan yapılan Au/n-Si Schottky diyotlarına havaya maruz bırakılma süresinin ve yaşlanmanın etkileri
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 50872
- Danışmanlar: PROF.DR. NECATİ YALÇIN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1996
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erciyes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 68
Özet
V ÖZET Laboratuvar ortamında havaya maruz bırakılan epileyir-silisyumdan yapılan Au-Sb/n-Si/Au, metal (omik)/n-tipi yaniletken/metal (doğrultucu), Schottky diyotiannın havaya maruz bırakılma süresinin ve yaşlanmasının etkileri araştırıldı. Au/n-Si Schottky diy otlan için kullanılan Si kristali, fosfor katkılı, LPE (Liquid-Phase Epitaxy) tekniği ile büyütülmüş, [100] doğrultusunda 0.01 O-cm özdirençli n+ taban malzeme üzerine 2 Q-cm özdirençli ve yaklaşık 15 um kalınlıkta Sb katkılı bir örnektir. Kristalin bir yüzünü tümüyle omik kontak yapabilmek için, Au-Sb (% 0.1 Sb) alaşımı 10“5 torr basmç altında buharlaştinldı. Çalışmanın amacına uygun olarak kristal beş parçaya bölündü. Buradan belli periyotlarla (Hemen, Bir Gün, Üç Gün, Bir Hafta ve İki Hafta Sonra) doğrultucu kontak yapabilmek için, 10”5 torr basınçta Au (% 99.99 saflıkta) metali buharlaştinldı. Böylece beş farklı Schottky engel diyodu elde edildi. Havaya maruz kalmanın ve yaşlanmanın etkisini inceleyebilmek için, Au-Sb/n-Si/Au Schottky diyotiannın, oda sıcaklığında (T=300 °K), belli periyotlarda (Hemen, 15 Gün, 30 Gün ve 45 Gün Sonra) I-V ölçümleri alındı ve karakteristikleri çizildi, n idealite faktörleri ve 0Bn. engel yükseklikleri sırasıyla yanlog-doğru beslem I-V grafiklerinin lineer kısımlannın eğimlerinden ve y-eksenini kesen noktalanndan bulundu. Yukandaki değerlerden, ilk (Hemen Yapılan) diyodun hemen hemen ideal I-V karakteristiklerine sahip olduğu fakat diğerlerinin ideal olmayan Schottky diyodu yapısına, yani MİS (Metal-yahtkan-yaniletken) yapışma sahip olduğu söylenebilir. Buna ilaveten, n idealite faktörleri ve etkin engel yükseklikleri doğru beslem I-V karakteristiklerinden elde edilen Cheung fonksiyonları kullanılarak hesaplandı. Bu değerlerin literatürde verilenlerle uyum içinde olduğu görüldü. Cheung fonksiyonlarından seri direnç değerleri hesaplandı. Seri direnç değerlerinin artan havaya maruz kalma zamamyla artığını gördük. Havaya maruz kalma zamanı ve yaşlanmanın etkileri etkin engel yüksekliklerinden belirlendi. Bu değerler de literatürle iyi bir uyum içindedir.
Özet (Çeviri)
VI SUMMARY The effects of exposure-time to the room air and aging of Au-Sb/n-Si/Au, metal (ohmic)/ n-type semiconductor/metal (rectifying), Schottky diodes made of epitaxial-silicon have been investigated by exposing to the room air in the laboratory medium. The n-type Si wafer used for the Au/n-Si Schottky diodes was about 15 um- thickness Sb- doped layer with 2 fi~cm resistivity on P-doped n+ substrate grown by LPE (Liquid-Phase Epitaxy) in the direction of [100] with 0.01 Q-cm resistivity. In order to deposit ohmic contact through a face of crystal, the alloy of Au-Sb (%0. 1 Sb) was evacuated under the 10“5 torr pressure. Crystal was divided into five pieces for the purpose of study. To deposit rectifying contact for the ordered periods (immediately, one- day, three-day, one-week and two-week after), Au (%99.99) metal was evacuated under the 10”5 torr pressure. Thus, we obtained five different Schottky barrier diodes. In order to investigate the effects of exposure-time to the room air and aging at the room temperature (T=300 °K ), for the ordered periods (immediately, 15-days, 30-days and 45- days after) I-V measurements have been done and its characteristics have been plotted, n ideality factors and Ogn barrier height values have been obtained from the slopes of linear parts of the characteristics of semilog-forward bias I-V plots and linear parts intercepting the y-axis, respectively. From the above values, it can be said that the first ( made immediately) has near ideal I-V characteristics but others have non-ideal Schottky diodes, that is, MIS (Metal-Insulated-Semiconductor) structure. Besides, n ideality factors and effective barrier heights were calculated using Cheung functions obtained from forward bias I-V characteristics. It has been seen that these values are in good agreement those of literature. Serial resistance values have been calculated from Cheung functions. We have seen that serial resistance values increase with increasing exposure-time to air. The effects of exposure-time to air and aging have been determined from the effective barrier heights. This values are also in good agreement with literature.
Benzer Tezler
- a-SiOx:H ve kristal silisyumdan (c-Si) oluşan a-SiOx:H/c-Si heteroeklem güneş pillerinin fabrikasyonunu ve karakterizasyonu
The characterisation and fabrication of a-SiOx:H/c-Si heterojunction solar cells
OKAN YILMAZ
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR
DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ
- Al-GaAs(001) schottky diodlarında engel yüksekliğinin raryüzeydeki silisyum tabakasıyla değiştirilmesi
Başlık çevirisi yok
SAFFETTİN YILDIRIM
Doktora
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. YAN ISKARLATOS
- The growth of epitaxial graphene for two-dimensional electronics
İki boyutlu elektronik aygıtlar için epitaksiyel grafen büyütülmesi
ALNAZIR IBRAHIM
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
Assist. Prof. Dr. CEM ÇELEBİ
- Mikro/nano entegre devrelerde çeşitli ara bağlantı ve transistör üretim yaklaşımlarının aygıt performansına etkisinin incelenmesi
Analysing the effect of various interconnect structures and transistor production approaches on the device performance in micro/nano integrated circuits
GÖKHAN KURT
Doktora
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET KABAK
- Growth, characterization and fabrication of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on silicon carbide substrates
Yüksek elektron mobiliteli transistörlerin silisyum karbür alttaşlar üzerine büyütülmesi, karakterizasyonu ve fabrikasyonu
AYÇA EMEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN
PROF. DR. RAŞİT TURAN