Geri Dön

Al katkılı n-ZnO/p-Si heterojonksiyon foto diyotun ışığa duyarlılık performansının incelenmesi

Photosensitivity performance of Al doped n-ZnO/p-Si heterojunction devices

PDF İndir

  1. Tez No: 515619
  2. Yazar: ÖMER FARUK GÖKTAŞ
  3. Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ ORHAN KAPLAN, PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2018
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Al-katkılı ZnO (AZO)/p-Si heterojonksiyon fotodiyot sol – jel spin kaplama yöntemiyle p Si alttaşı üzerine AZO filmlerinin depozisyonu ile üretildi. ZnO tabakasının üç farklı kalınlık değeri için üretilen cihazların diyot, fotodiyot ve fotovoltaik parametreleri araştırıldı. Elde edilen üç farklı kalınlıktaki (AZO 2, AZO 4, AZO 6) ince filmlerin yapısal, yüzeysel ve optik özellikleri araştırıldı. X-ışını difraksiyon (XRD) desenlerinden, üretilen ZnO ince filmlerin hegzagonal yapıda olduğu tespit edildi. Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ölçümleri üretilen üç farklı kalınlıktaki ince filmin yüzeylerinin düzgün ve homojen bir dağılıma sahip olduğu görüldü. Taramalı elektron mikroskobu (SEM) ölçümleri ile ince filmlerin kalınlıkları tespit edildi. İnce filmlerin karanlık ve AM 1.5 standart test şartları altında elde edilen akım-gerilim karakteristiklerinden ışığa duyarlılık (PS) ve doğrultma oranları (RR) hesaplandı. Elde edilen sonuçlardan üretilen ince filmlerin diyot, fotodiyot ve fotovoltaik cihaz olarak çalışması için ZnO tabakasının optimum kalınlıkları tespit edildi. Sonuç olarak AZO 2/Si cihazının, AZO 4/Si ve AZO 6/Si cihazlarına göre nispeten daha iyi sonuçlar verdiği görüldü.

Özet (Çeviri)

Al-doped ZnO (AZO)/p-Si heterojunction devices were fabricated by deposition of AZO films on p-Si substrates using sol - jel spin coating technique. Diode, photodiode and photovoltaic parameters of fabricated devices in three different thickness were studied. Structural, surface and optical properties of fabricated thin films in three different thickness (AZO 2, AZO 4, AZO 6) of ZnO were investigated. It was observed from the x-ray diffraction patterns that AZO films were oriented to the c-axis of the hexagonal wurtzite structure along the growth direction. Scanning AFM measurements presented that ZnO thin films had a homogeneous and uniform distribution. The thickness of the film were measured by scanning electron microscope. Photosensitivity (PS) and rectification rates (RR) of devices were calculated from current-voltage characteristics performed under dark and AM 1.5 standard test conditions. Optimum thickness of ZnO layer for fabricated devices to function as diode, photodiode and photovoltaic device were obtained. It was concluded that AZO 2/Si showed better performance as compared to AZO 4/Si and AZO 6/Si devices.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    541354

    ZnO:Mg ince filminin fiziksel özellikleri ve Al/n-ZnO:Mg /p-Si eklem diyot uygulaması

    Physical properties of ZnO:Mg thin films and application of Al/n-ZnO:Mg /p-Si heterojuntion diodes

    ZEKİYE ABA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ABDULLAH GÖKTAŞ

  2. Tez No

    841968

    Farklı oranlarda bi katkılı ZnO ara yüzey tabakalı Al/(Bi:ZnO)/p-Si (MIS) fotodiyotların optik ve elektrik parametrelerinin incelenmesi

    Optical and electrical parameters of Al/(Bi:ZnO)/p-Si (MIS) photodiodeodes with different ratios of bi doped zno interfacial layer

    AHMET DEMİRCİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesi

    Fotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

    DOÇ. DR. HAYRİYE GÖKÇEN ÇETİNKAYA

  3. Tez No

    751566

    SILAR yöntemi ile Al/Cd:ZnO/p-Si/Al Fotodiyot üretimi ve karakterizasyonu

    Characterization of Al/ZnO/p-Si/Al photodiode fabricated by SILAR method

    YASEMİN ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞÜKRÜ ÇAVDAR

  4. Tez No

    376142

    p-Si, GaAs ve ge alttaşlar üzerine Al:ZnO filmlerin büyütülmesi; yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    The deposition of Al:ZnO films on p-Si, GaAs and ge substrates: The investigation of structural, optical and electrical properties

    GÜRKAN KURTULUŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERGÜN KASAP

  5. Tez No

    421255

    Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction

    ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri

    YELİZ KÖSE

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN

Geri Dön