Geri Dön

Al katkılı n-ZnO/p-Si heterojonksiyon foto diyotun ışığa duyarlılık performansının incelenmesi

Photosensitivity performance of Al doped n-ZnO/p-Si heterojunction devices

  1. Tez No: 515619
  2. Yazar: ÖMER FARUK GÖKTAŞ
  3. Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ ORHAN KAPLAN, PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2018
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 73

Özet

Al-katkılı ZnO (AZO)/p-Si heterojonksiyon fotodiyot sol – jel spin kaplama yöntemiyle p Si alttaşı üzerine AZO filmlerinin depozisyonu ile üretildi. ZnO tabakasının üç farklı kalınlık değeri için üretilen cihazların diyot, fotodiyot ve fotovoltaik parametreleri araştırıldı. Elde edilen üç farklı kalınlıktaki (AZO 2, AZO 4, AZO 6) ince filmlerin yapısal, yüzeysel ve optik özellikleri araştırıldı. X-ışını difraksiyon (XRD) desenlerinden, üretilen ZnO ince filmlerin hegzagonal yapıda olduğu tespit edildi. Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ölçümleri üretilen üç farklı kalınlıktaki ince filmin yüzeylerinin düzgün ve homojen bir dağılıma sahip olduğu görüldü. Taramalı elektron mikroskobu (SEM) ölçümleri ile ince filmlerin kalınlıkları tespit edildi. İnce filmlerin karanlık ve AM 1.5 standart test şartları altında elde edilen akım-gerilim karakteristiklerinden ışığa duyarlılık (PS) ve doğrultma oranları (RR) hesaplandı. Elde edilen sonuçlardan üretilen ince filmlerin diyot, fotodiyot ve fotovoltaik cihaz olarak çalışması için ZnO tabakasının optimum kalınlıkları tespit edildi. Sonuç olarak AZO 2/Si cihazının, AZO 4/Si ve AZO 6/Si cihazlarına göre nispeten daha iyi sonuçlar verdiği görüldü.

Özet (Çeviri)

Al-doped ZnO (AZO)/p-Si heterojunction devices were fabricated by deposition of AZO films on p-Si substrates using sol - jel spin coating technique. Diode, photodiode and photovoltaic parameters of fabricated devices in three different thickness were studied. Structural, surface and optical properties of fabricated thin films in three different thickness (AZO 2, AZO 4, AZO 6) of ZnO were investigated. It was observed from the x-ray diffraction patterns that AZO films were oriented to the c-axis of the hexagonal wurtzite structure along the growth direction. Scanning AFM measurements presented that ZnO thin films had a homogeneous and uniform distribution. The thickness of the film were measured by scanning electron microscope. Photosensitivity (PS) and rectification rates (RR) of devices were calculated from current-voltage characteristics performed under dark and AM 1.5 standard test conditions. Optimum thickness of ZnO layer for fabricated devices to function as diode, photodiode and photovoltaic device were obtained. It was concluded that AZO 2/Si showed better performance as compared to AZO 4/Si and AZO 6/Si devices.

Benzer Tezler

  1. Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction

    ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri

    YELİZ KÖSE

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN

  2. Nanocrystalline ZnO:Al thin films prepared by sol-gel dip coating technique and ZnO: Al/p-Si heterojunctions

    Sol-gel daldırmalı kaplama tekniği ile üretilmiş nano yapılı ZnO:Al ince filmler ve ZnO: Al/p-Si heterokavşaklar

    ÖZGE KARACASU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2010

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN

    PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU

  3. Alüminyum katkılı ve katkısız çinko oksit ince filmlerin heteroeklem diyot özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of the heterojunction diode properties of aluminium doped and undoped zinc oxide thin films

    TANER KUTLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HAMİDE KAVAK

  4. ZnO:Mg ince filminin fiziksel özellikleri ve Al/n-ZnO:Mg /p-Si eklem diyot uygulaması

    Physical properties of ZnO:Mg thin films and application of Al/n-ZnO:Mg /p-Si heterojuntion diodes

    ZEKİYE ABA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ABDULLAH GÖKTAŞ

  5. Çinko oksit arayüzeyli yarıiletken-yarıiletken UV fotodedektörler

    Zinc oxide interface semiconductor- semiconductor UV photodedectors

    NİHAT DEMİRBİLEK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FAHRETTİN YAKUPHANOĞLU